近日，國產(chǎn)SiC設(shè)備又傳來了振奮人心的消息：北京中電科電子裝備有限公司的SiC晶錠和晶片減薄機(jī)實現(xiàn)了6/8英寸大尺寸和新工藝路線匹配的雙技術(shù)突破。

據(jù)了解，該技術(shù)已經(jīng)在SiC襯底制備段及器件背面減薄段實現(xiàn)了小批量應(yīng)用，并且獲得了頭部企業(yè)的一致認(rèn)可，而且新的減薄機(jī)協(xié)調(diào)SiC激光改質(zhì)剝離切割技術(shù)，可以大幅度的降低SiC襯底成本。

碳化硅（SiC）是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料?！丁笆奈濉币?guī)劃和2035年遠(yuǎn)景目標(biāo)綱要》提出，我國將加速推動以SiC、 GaN為主的第三代半導(dǎo)體新材料、新技術(shù)產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展被列入十四五規(guī)劃以來，就一直處于風(fēng)口浪尖狀態(tài)。

產(chǎn)業(yè)和政策共同拉動碳化硅技術(shù)的發(fā)展，其能夠在廣泛的應(yīng)用中提供顯著的性能，同時與傳統(tǒng)硅技術(shù)相比，減少了提供同等性能所需的能量和物理空間。碳化硅部署在各種各樣的使用場景中，SiC適合高功率和高頻率應(yīng)用場景，如智能電網(wǎng)、工業(yè)控制、新能源汽車、儲能和充電樁等行業(yè)。

在智能電網(wǎng)領(lǐng)域，傳統(tǒng)電網(wǎng)正向智能電網(wǎng)轉(zhuǎn)型，智能化電網(wǎng)設(shè)備以及優(yōu)良器件的應(yīng)用是實現(xiàn)集智能、靈活、互動、兼容、高效等多功能于一體的關(guān)鍵。碳化硅功率器件在高溫下具有較高的穩(wěn)定性與可靠性，可以確保電力系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行。

在工業(yè)控制中，基于SiC的功率半導(dǎo)體器件可在高溫、高壓、高頻、強(qiáng)輻射等極端環(huán)境下工作，性能優(yōu)勢突出。不但可以降低驅(qū)動器的體積重量和損耗、減少音頻噪聲，還能提高功率密度和電機(jī)相應(yīng)性能，其獨特的性能使其成為大功率工業(yè)驅(qū)動器中的電力電子材料的首選。

在新能源汽車領(lǐng)域，碳化硅功率器件可以提供更高功率密度和更高的效率，從而提高電池續(xù)航里程和減少能源消耗。對于新能源汽車來說，SiC具有高性能尺寸比、耐高溫、抗輻射等優(yōu)勢，能夠滿足對電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)的需求，幫助系統(tǒng)減少尺寸、降低重量、提高系統(tǒng)可靠性。

在儲能和充電樁中，SiC技術(shù)能極大地降低儲能應(yīng)用成本，儲能系統(tǒng)中包含了電源、DC/DC轉(zhuǎn)換器、逆變器等等，碳化硅技術(shù)在這種配置下的電源模塊中可以達(dá)到減少成本、重量、尺寸的目的，同時還可以提高電源模塊的效率。SiC能夠承受更高的電壓（1700V到2000V），可以實現(xiàn)對超級快充功能的支持，從而可以提高能量轉(zhuǎn)換效率并減小產(chǎn)品體積。

隨著國內(nèi)新能源市場的迅猛發(fā)展，碳化硅功率器的需求呈井噴式爆發(fā)，其高效率、高穩(wěn)定、高可靠等特性可以滿足充電樁的需求。目前來看，特斯拉等國外公司已經(jīng)開始大規(guī)模布局碳化硅車型，而國內(nèi)的廠商也在迅速跟進(jìn)，以比亞迪為代表的整車廠商已經(jīng)開始全面布局，將碳化硅技術(shù)應(yīng)用到充電樁以及整車中。充電樁也有越來越多的新企業(yè)加入到了這個市場中，市場的容量在不斷地擴(kuò)大。

相關(guān)芯片推薦如下：

先楫HPM6200芯片：

HPM6200是先楫半導(dǎo)體針對新能源、儲能、高性能控制等應(yīng)用市場推出的全新一代RISC-V內(nèi)核芯片，HPM6200 100ps的高分辨率PWM、16bit ADC以及可編程邏輯陣列PLA，可以為新型的電源系統(tǒng)建設(shè)帶來諸多可能。其中，100ps高精度PWM可以提高電源變換器的效率、功率密度及性價比;可單芯片實現(xiàn)多種電源拓?fù)浜蛦涡酒瑢崿F(xiàn)多軸電機(jī)控制;16位ADC可提高電流、電壓等信號的采樣精度;PLA可實現(xiàn)豐富、多邏輯的保護(hù)，并能獨立于CPU運(yùn)行，大大提高了產(chǎn)品的穩(wěn)定性。