開關(guān)電源中的局部放電
發(fā)布時(shí)間:2021-09-07 來(lái)源:伍堂順 施三保 責(zé)任編輯:wenwei
【導(dǎo)讀】局部放電(partial discharge,簡(jiǎn)稱PD)現(xiàn)象,通常主要指的是高壓電氣設(shè)備絕緣層在足夠強(qiáng)的電場(chǎng)作用下局部范圍內(nèi)發(fā)生的放電,某個(gè)區(qū)域的電場(chǎng)強(qiáng)度一旦達(dá)到其介質(zhì)擊穿場(chǎng)強(qiáng)時(shí),該區(qū)域就會(huì)出現(xiàn)放電現(xiàn)象。這種放電以僅造成導(dǎo)體間的絕緣局部短(路橋)接而不形成導(dǎo)電通道為限。每一次局部放電對(duì)絕緣介質(zhì)都會(huì)有一些影響,輕微的局部放電對(duì)電力設(shè)備絕緣的影響較小,絕緣強(qiáng)度的下降較慢;而強(qiáng)烈的局部放電,則會(huì)使絕緣強(qiáng)度很快下降。
一、局部放電現(xiàn)象
局部放電(partial discharge,簡(jiǎn)稱PD)現(xiàn)象,通常主要指的是高壓電氣設(shè)備絕緣層在足夠強(qiáng)的電場(chǎng)作用下局部范圍內(nèi)發(fā)生的放電,某個(gè)區(qū)域的電場(chǎng)強(qiáng)度一旦達(dá)到其介質(zhì)擊穿場(chǎng)強(qiáng)時(shí),該區(qū)域就會(huì)出現(xiàn)放電現(xiàn)象。這種放電以僅造成導(dǎo)體間的絕緣局部短(路橋)接而不形成導(dǎo)電通道為限。每一次局部放電對(duì)絕緣介質(zhì)都會(huì)有一些影響,輕微的局部放電對(duì)電力設(shè)備絕緣的影響較小,絕緣強(qiáng)度的下降較慢;而強(qiáng)烈的局部放電,則會(huì)使絕緣強(qiáng)度很快下降。
實(shí)際上,局部放電現(xiàn)象不僅僅發(fā)生在高壓電氣設(shè)備中,也會(huì)發(fā)生在開關(guān)電源系統(tǒng)中,并且也有相應(yīng)的安規(guī)標(biāo)準(zhǔn)去檢驗(yàn)整個(gè)開關(guān)電源系統(tǒng)的絕緣是否滿足局部放電要求。以三相變頻器為例,IEC61800-5-1中明確指出,如果一次測(cè)高壓端與安全二次側(cè)電壓(SELV)之間的重復(fù)峰值電壓超過(guò)了750V,并且,在絕緣層厚度上的電壓應(yīng)力超過(guò)了1KV/mm,則必須做局部放電測(cè)試認(rèn)證。
局部放電發(fā)生時(shí),主要伴隨有以下幾種能量釋放方式:
圖1.局部放電能量釋放方式
我們先來(lái)感受一下夜色中高壓輸電線絕緣子上的電暈局部放電,紫色的弧光,狐媚而又破壞力十足。
圖2.電暈局部放電
局部放電對(duì)絕緣結(jié)構(gòu)的破壞機(jī)理主要有三個(gè)方面:
1.帶電粒子(電子、離子等)沖擊絕緣層,破壞其分子結(jié)構(gòu),如纖維碎裂,因而絕緣受到損傷。
2.由于帶電離子的撞擊作用,使該絕緣出現(xiàn)局部溫度升高,從而易引起絕緣的過(guò)熱,嚴(yán)重時(shí)就會(huì)出現(xiàn)碳化。
3.局部放電產(chǎn)生的臭氧及氮的氧化物會(huì)侵蝕絕緣,當(dāng)遇有水分則產(chǎn)生硝酸,對(duì)絕緣的侵蝕更為劇烈。
見(jiàn)微知著,局部放電測(cè)試的目的就是為了發(fā)現(xiàn)電氣設(shè)備絕緣中潛在的薄弱點(diǎn),在未釀成災(zāi)難性的后果前,即有針對(duì)性的進(jìn)行補(bǔ)救、改善或者更換。
根據(jù)局部放電能量釋放方式的特點(diǎn),局部放電檢測(cè)方法主要分為兩大類七種方法,見(jiàn)圖3所示,這幾種方法中,以脈沖電流法用得最多,也最為成熟。常用的數(shù)字局部放電儀的原理就是脈沖電流法,對(duì)應(yīng)的安規(guī)標(biāo)準(zhǔn)有IEC60270,對(duì)應(yīng)的國(guó)標(biāo)有:
● GB/T 7354-2003局部放電測(cè)量(IEC60270:2000 IDT);
● DL/T 846.4-2016高電壓測(cè)試設(shè)備通用技術(shù)條件第4部分:脈沖電流法局部放電測(cè)量?jī)x;
● DL/T 417-2006電力設(shè)備局部放電現(xiàn)場(chǎng)測(cè)量導(dǎo)則。
圖3.局部放電檢測(cè)方法
☆關(guān)于檢測(cè)方法,還可以參考《淺談局部放電測(cè)量》這篇文章。
因?yàn)榫植糠烹娛潜容^復(fù)雜的物理現(xiàn)象,必須通過(guò)多種表征參數(shù)才能全面的描繪其狀態(tài),同時(shí)局部放電對(duì)絕緣破壞的機(jī)理也很復(fù)雜,需要通過(guò)不同的參數(shù)來(lái)評(píng)定它對(duì)絕緣的損害,目前主要以如下兩個(gè)參數(shù)來(lái)判定。
1. 視在放電電荷——在絕緣體中發(fā)生局部放電時(shí),絕緣體上施加電壓的兩端出現(xiàn)的脈動(dòng)電荷稱之為視在放電電荷,單位用皮庫(kù)(pc)表示,通常以穩(wěn)定出現(xiàn)的最大視在放電電荷作為該試品的放電量。
2. 放電重復(fù)率——在測(cè)量時(shí)間內(nèi)每秒中出現(xiàn)的放電次數(shù)的平均值稱為放電重復(fù)率,單位為次/秒,放電重復(fù)率越高,對(duì)絕緣的損害越大。
二、開關(guān)電源系統(tǒng)中的局部放電
這里先解釋一下安全二次側(cè)電壓SELV的含義,SELV是safety extra low voltage的縮寫,指的是不超過(guò)50Vrms的交流電壓和不超過(guò)120V的直流電壓,是為了防止觸電事故而由特定電源供電所采用的電壓。
SELV通常用于給人機(jī)接口,液晶屏,按鍵等人體可以直接觸摸到的設(shè)備供電,可以避免操作人員遭受電擊,威脅到生命安全,所以,SELV電路與一次側(cè)高壓端之間必須是加強(qiáng)絕緣,同時(shí)還需要注意,如果一次測(cè)高壓端與SELV電路之間的重復(fù)峰值電壓超過(guò)了750V,并且,在絕緣層厚度方向上的電壓應(yīng)力超過(guò)了1KV/mm,則還必須增加局部放電測(cè)試認(rèn)證。
如圖4所示三相變頻器中,左下角綠色虛線圍起來(lái)的部分就是SELV電路,輔助電源SPS左側(cè)的供給MCU的+24V,+5V兩路電源與SPS的其余的電壓輸入輸出電氣連接點(diǎn)之間,都必須滿足加強(qiáng)絕緣要求。
圖4.三相變頻器結(jié)構(gòu)框圖
以三相480V變頻器為例,交流輸入線電壓為480Vrms,則其母線電壓平均值為480*1.35=648Vdc,也就是進(jìn)入輔助電源SPS的工作電壓就是648V,這個(gè)電壓值已經(jīng)非常接近750V這個(gè)閾值,同時(shí),需要注意的是,750V閾值電壓是在整機(jī)實(shí)際運(yùn)行過(guò)程中,實(shí)際測(cè)試得到的一次側(cè)高壓端與SELV電路之間的重復(fù)峰值電壓,用高壓差分探頭分別勾取兩邊的監(jiān)測(cè)點(diǎn),若此電壓超過(guò)750V,同時(shí),在絕緣層厚度方向上的電壓應(yīng)力超過(guò)了1KV/mm,則局部放電測(cè)試認(rèn)證必做。
假設(shè)輔助電源SPS采用了經(jīng)典的單管反激變換器,如圖5所示,SPS從變頻器的BUS電容上取電,這里為了簡(jiǎn)化電路,變壓器T1的輸出只設(shè)計(jì)了兩路輸出電壓,分別給IGBT的驅(qū)動(dòng)器和MCU側(cè)供電,從前面的定義可以看出,給MCU供電的+24V_CONTROL就是SELV電路,需要與其他電路之間做加強(qiáng)絕緣處理,也就是變壓器T1的pin12-pin14所在的繞組與其余繞組之間必須滿足加強(qiáng)絕緣要求,同時(shí),在PCB板上,+24V_CONTROL所在電路與其他電路之間的爬電距離也必須滿足加強(qiáng)絕緣要求。
圖5.單管反激變換器簡(jiǎn)圖
回到本文的重點(diǎn),接下來(lái)測(cè)試一次側(cè)高壓端與SELV電路之間的重復(fù)峰值電壓是否超過(guò)750V閾值電壓。有經(jīng)驗(yàn)的同學(xué)都知道,在開關(guān)電源中,重點(diǎn)是要找到變換器中的“動(dòng)點(diǎn)”,也就是電壓的變化率dv/dt最大的節(jié)點(diǎn),在圖5中,一次側(cè)高壓端的監(jiān)測(cè)點(diǎn)就可以選為Q1的Drain極,也就是變壓器T1的pin 3,安全二次側(cè)SELV的監(jiān)測(cè)點(diǎn)既可以選擇變壓器T1的pin 12,也可以選擇變壓器T1的pin 14,最后以正常帶載工況下一次側(cè)、二次側(cè)之間檢測(cè)到最大電壓為作為設(shè)定局部放電電壓UPD的基準(zhǔn)。
圖6.重復(fù)峰值電壓監(jiān)測(cè)示意圖
圖7是一張實(shí)測(cè)的一次側(cè)高壓端與SELV電路之間的重復(fù)峰值電壓波形圖(CH1黃色),可以看到,此電壓已經(jīng)超過(guò)了750V的閾值,同時(shí),變壓器結(jié)構(gòu)中繞組與繞組之間的麥拉絕緣膠帶通常為2層,每層的厚度都小于0.1mm,所以,需要增加局部放電測(cè)試認(rèn)證是板上釘釘了。
圖7.重復(fù)峰值電壓實(shí)測(cè)波形圖
說(shuō)到這里,估計(jì)有的同學(xué)就會(huì)問(wèn)了,為什么以前沒(méi)有做過(guò)局部放電這項(xiàng)測(cè)試呢?原因主要有兩點(diǎn):
1.以前確實(shí)沒(méi)有對(duì)應(yīng)的安規(guī)標(biāo)準(zhǔn)要求強(qiáng)制通過(guò)局部放電測(cè)試,變頻器中增加這項(xiàng)測(cè)試也是約四年前的事;
2.電源整機(jī)降成本帶來(lái)的附贈(zèng)產(chǎn)物,如圖8所示,以前傳統(tǒng)的給SELV電路供電是采用兩級(jí)變換器的方式,先通過(guò)一級(jí)DC-DC變換器將BUS母線降低為48V或者更低,再通過(guò)一級(jí)隔離DC-DC變換器給SELV電路供電,因?yàn)榈诙?jí)隔離DC-DC變換器之間的壓差不可能超過(guò)750V閾值,所以,局部放電測(cè)試就無(wú)需再做,只需要滿足對(duì)應(yīng)的加強(qiáng)絕緣要求即可。
但是,現(xiàn)在的電源整機(jī)由于降成本的壓力,與圖5所示一樣,將傳統(tǒng)的兩級(jí)變換器改為一級(jí)DC-DC變換器,同時(shí)給SELV電路和其他的比如驅(qū)動(dòng)電路等供電,趕上新的安規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的執(zhí)行,那局部放電測(cè)試就和其他安規(guī)項(xiàng)目一樣,成為必修課了。
圖8.傳統(tǒng)SELV兩級(jí)變換器供電方式
三、局部放電測(cè)試的標(biāo)準(zhǔn)
IEC61800-5-1中對(duì)于局部放電測(cè)試的標(biāo)準(zhǔn)如圖9所示,測(cè)試中加載的電壓是50HZ或者60的交流電壓, UPD的取值就是在圖7中實(shí)際測(cè)得的電壓。需要注意的一點(diǎn)是,在這里UPD既可以取有效值,也可以取峰值,舉例講,圖7中測(cè)得的重復(fù)峰值電壓為1100V,則在做局部放電測(cè)試時(shí),對(duì)應(yīng)的加載測(cè)試電壓的峰值就是1.875*1100=2062.5V;同時(shí),也可以觀察到圖7中的有效值為559.8Vrms,則對(duì)應(yīng)的測(cè)試電壓也可以按照1.875*559.8Vrms=1049.6Vrms加載。因?yàn)闇y(cè)得的重復(fù)峰值電壓波形并不是標(biāo)準(zhǔn)的正弦波,所以其峰值電壓與有效值電壓之間并不是1.414倍的關(guān)系。
圖9.IEC61800-5-1中局部放電測(cè)試電壓與時(shí)間曲線
局部放電測(cè)試通過(guò)的判定標(biāo)準(zhǔn)是在第二段1.5UPD電壓施加期間的視在放電電荷不超過(guò)10pC,如果超過(guò)10pC即判定為不合格?;氐角笆龅娜嘧冾l器中,需要通過(guò)局部放電測(cè)試的器件之一就是變壓器T1了。圖10是MPS研發(fā)的數(shù)字局部放電儀,圖11是變壓器的局部放電測(cè)試場(chǎng)景。
圖10.MPS數(shù)字局部放電儀
圖11.變壓器局部放電測(cè)試
四、預(yù)防局部放電的措施
從前面兩個(gè)章節(jié)的陳述中,大家應(yīng)該發(fā)現(xiàn)了,輔助源SPS變壓器的設(shè)計(jì)是通過(guò)局部放電測(cè)試的關(guān)鍵,所以,這個(gè)章節(jié)就重點(diǎn)介紹預(yù)防變壓器局部放電的措施。
1、從源頭抓起,從絕緣材料的生產(chǎn)過(guò)程開始管控,防止其生產(chǎn)過(guò)程中混入導(dǎo)電性沉積物、金屬碎屑、浮泡和濕氣等,造成后續(xù)使用這些絕緣材料的產(chǎn)品無(wú)法達(dá)到設(shè)計(jì)要求。
圖12.麥拉絕緣膠帶和骨架
2、以變壓器設(shè)計(jì)中用到的麥拉絕緣膠帶和骨架為例,如圖12所示,可以使用較高CTI(相對(duì)起痕指數(shù))等級(jí)的絕緣材料,可以有效的滿足加強(qiáng)絕緣的爬電距離要求和降低發(fā)生局部放電的幾率。絕緣材料的CTI等級(jí)分類如圖13所示,CTI>600是目前最好的絕緣材料。
圖13.絕緣材料CTI等級(jí)分類
3、增加氣隙長(zhǎng)度和爬電距離,以降低電場(chǎng)強(qiáng)度。以圖7中測(cè)得的UPD電壓有效值559Vrms去查詢對(duì)應(yīng)的加強(qiáng)絕緣爬電距離要求,如圖14所示,在污染等級(jí)為Ⅱ類,采用600>CTI≥400的絕緣材料的條件下,基本絕緣的爬電距離要求為4.5mm,則滿足加強(qiáng)絕緣要求的爬電距離至少為基本絕緣爬電距離要求的2倍,也就是要大于9mm。
圖14.爬電距離查詢表
對(duì)變壓器設(shè)計(jì)而言,也就是SELV電路所在繞組與其余繞組之間的擋墻寬度至少要超過(guò)9mm,如圖15所示變壓器內(nèi)部繞組結(jié)構(gòu)圖,骨架左右兩側(cè)的擋墻寬度至少要大于4.5mm,則上下兩個(gè)相鄰的繞組的擋墻寬度加起來(lái)就大于了9mm,滿足加強(qiáng)絕緣爬電距離要求。這也意味著,如果要滿足加強(qiáng)絕緣的爬電距離要求,則勢(shì)必需要增大骨架的尺寸,也就是所用磁芯的尺寸也要變大,否則骨架很可能繞不下全部的線包。
圖15.變壓器內(nèi)部繞組結(jié)構(gòu)圖
4、增加絕緣層的厚度。局部放電是因?yàn)槲矬w內(nèi)部局部范圍內(nèi)的電場(chǎng)強(qiáng)度超過(guò)絕緣介質(zhì)的強(qiáng)度而發(fā)生的物理現(xiàn)象,電場(chǎng)強(qiáng)度反比于相互之間的距離,單位為V/m(伏特/米),所以,增加絕緣層的厚度,可以有效的降低加載在絕緣層上的電場(chǎng)強(qiáng)度,從而降低發(fā)生局部放電的幾率。另外,絕緣層厚度的增加,也增加了對(duì)絕緣材料中的空洞等缺陷的容錯(cuò)程度,降低了對(duì)絕緣材料的要求。
以圖15所示變壓器設(shè)計(jì)為例,增加SELV繞組與相鄰的兩個(gè)繞組gate driver supply、AUX之間的麥拉絕緣膠帶的厚度,對(duì)于保障變壓器的設(shè)計(jì)通過(guò)局部放電測(cè)試有著非常大的影響。圖16就是加不同層數(shù)的麥拉膠帶的局部放電對(duì)比結(jié)果,3款變壓器樣品中,1#在SELV繞組的前后各自加了4層麥拉膠帶,2#在SELV繞組的前后各自加了5層麥拉膠帶,3#樣在1#的基礎(chǔ)上增加了一個(gè)屏蔽層繞組,其他條件3款變壓器都保持一樣。
可以看到,僅有2# 5層麥拉膠帶的變壓器樣品通過(guò)了局部放電測(cè)試。
圖16.麥拉膠帶層數(shù)對(duì)局部放電結(jié)果的影響
細(xì)心的同學(xué)估計(jì)注意到了,圖15的變壓器繞組結(jié)構(gòu)沒(méi)有采用三明治繞法,當(dāng)然,這種繞法結(jié)構(gòu)確實(shí)會(huì)導(dǎo)致變壓器的漏感變大。工程應(yīng)用中,兩相其害取其輕,漏感只能通過(guò)外部電路的配合來(lái)降低其影響。
另外,SELV繞組的出線,除了需要用鐵氟龍?zhí)坠艽┕芡?,建議最好不要與一次側(cè)高壓繞組的出線端交叉。
5、將變壓器全面灌封、含浸處理,在真空條件下,將變壓器從下到上,用凡立水等絕緣材料逐步灌封。凡立水浸入變壓器內(nèi)部,可以彌補(bǔ)骨架、麥拉絕緣膠帶上面的空洞、氣泡等缺陷,同時(shí),含浸處理可以有效的改善變壓器的污染等級(jí)。
6、在PCB板上涂刷絕緣涂層,同理,可以改善污染等級(jí),降低滿足加強(qiáng)絕緣的爬電距離要求。
五、小結(jié)
局部放電測(cè)試在開關(guān)電源中還是一個(gè)比較小眾的話題,本篇文章從三相變頻器的SELV電路的加強(qiáng)絕緣說(shuō)起,簡(jiǎn)要介紹了局部放電的標(biāo)準(zhǔn)和預(yù)防措施,重點(diǎn)介紹了輔助電源SPS的變壓器設(shè)計(jì)如何滿足加強(qiáng)絕緣和通過(guò)局部放電測(cè)試。當(dāng)然,在圖4的框圖中,DSP與MCU之間的數(shù)字隔離芯片也是需要通過(guò)加強(qiáng)絕緣和局部放電測(cè)試認(rèn)證的。
希望本篇文章所介紹的小知識(shí)能對(duì)各位同學(xué)的日常工作有所幫助。
來(lái)源:英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體,原創(chuàng):伍堂順 施三保
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