中心議題:
- MOSFET的設(shè)計(jì)方法
- 頂部MOSFET損耗
- 同步整流器設(shè)計(jì)
隨著個(gè)人計(jì)算機(jī)行業(yè)向著工作電流為200A的1V核心電壓推進(jìn),為了滿(mǎn)足那些需求,并為該市場(chǎng)提供量身定制新型器件所需要的方法,半導(dǎo)體行業(yè)正遭受著巨大的壓力。過(guò)去,MOSFET設(shè)計(jì)工程師只要逐漸完善其性能就能滿(mǎn)足市場(chǎng)的需求并通常獲得滿(mǎn)意的結(jié)果。
現(xiàn)在,他們面臨的要求根本背離被動(dòng)響應(yīng)或主動(dòng)前攝的設(shè)計(jì)方法,這種方法本來(lái)應(yīng)該讓他們能夠提供更大的電流、更高的效率和更小的占位面積以滿(mǎn)足日益增長(zhǎng)的需求,從而應(yīng)對(duì)分配給DC-DC轉(zhuǎn)換器越來(lái)越小的體積資源所帶來(lái)的挑戰(zhàn)。為此,本文在此提出一種具有外科手術(shù)式精度的設(shè)計(jì)方法,來(lái)針對(duì)該市場(chǎng)的需求設(shè)計(jì)MOSFET。這種根本的變革被證明是正當(dāng)?shù)?,因?yàn)槭袌?chǎng)之大,足以證明所需要的花費(fèi)是正當(dāng)?shù)模⑶夷軌蛱峁┓浅M(mǎn)足市場(chǎng)需求的解決方案。
MOSFET設(shè)計(jì)方法
同步升壓轉(zhuǎn)換器是個(gè)人電腦行業(yè)為DC-DC轉(zhuǎn)換器所選擇的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),并且被廣泛地用于電信其它市場(chǎng)。我們?cè)诒疚闹袑H僅考慮這種拓?fù)洌峭环椒ㄒ部赡苓m用于其它的拓?fù)?。我們將嘗試根據(jù)兩個(gè)因素推導(dǎo)計(jì)算最優(yōu)化MOSFET裸片面積的方程。
圖1:升壓轉(zhuǎn)換器。
1. 它在電路中的作用是功率開(kāi)關(guān)MOSFET或同步整流器;
2. 與這種特殊的MOSFET相關(guān)的總的損耗。
選擇總損耗作為確定因素的直接原因是業(yè)界需要更高的效率和更低的損耗。裸片面積經(jīng)過(guò)最優(yōu)化的MOSFET,當(dāng)被用于其目標(biāo)應(yīng)用—即開(kāi)關(guān)MOSFET或同步整流器—時(shí),可以提供最少的損耗。顯然,這樣的方程取決于用于制造器件的特殊工藝及利用該工藝進(jìn)行的特殊器件設(shè)計(jì)。
通過(guò)把器件面積與物理應(yīng)用參數(shù)聯(lián)系起來(lái),我們可以考察這些參數(shù)對(duì)器件的不同影響,并且在最佳情況下,我們能夠根據(jù)應(yīng)用需求精密設(shè)計(jì)一種器件,或換言之,一種針對(duì)特殊應(yīng)用的MOSFET。這種方法使功率半導(dǎo)體行業(yè)能夠每一次都生產(chǎn)滿(mǎn)足要求的功率器件,并消除設(shè)計(jì)過(guò)程中的推測(cè)工作,從而使開(kāi)發(fā)周期更短且費(fèi)用更低。
為了簡(jiǎn)化導(dǎo)出的方程,我們把損耗的計(jì)算限制為兩種起支配作用的損耗源:
1. 傳導(dǎo)損耗;
2. 動(dòng)態(tài)或開(kāi)關(guān)損耗。
一直以來(lái),人們忽略了門(mén)極到源極之間以及漏極到源極之間電容的充放電。在給定的300KHz開(kāi)關(guān)頻率和12V輸入電壓的條件下,這兩種損耗源在整個(gè)器件的損耗中占很小的百分比。另一方面,通過(guò)引入這兩種損耗源,確實(shí)使利用Maple軟件的數(shù)學(xué)推導(dǎo)過(guò)程更為復(fù)雜,它使所導(dǎo)出的方程過(guò)于復(fù)雜,難以利用它來(lái)研究應(yīng)用參數(shù)對(duì)器件面積的影響。
頂部MOSFET損耗
讓我們考慮開(kāi)關(guān)MOSFET中的這兩種來(lái)源的損耗:第一種是傳導(dǎo)損耗或歐姆損耗,第二種是動(dòng)態(tài)損耗。傳導(dǎo)損耗是簡(jiǎn)單的I2R x 占空周期損耗,而動(dòng)態(tài)損耗或開(kāi)關(guān)損耗是由MOSFET打開(kāi)或關(guān)閉過(guò)程中因漏極到源極之間的電壓及流過(guò)它的電流有限所致。損耗可能由下式計(jì)算:
(1)
其中:tr和tf =上升和下降時(shí)間;Vin =輸入電壓;ILoad =負(fù)載電流;Fs =開(kāi)關(guān)頻率;RDS(ON) = MOSFET導(dǎo)通電阻;ΔPWM = 占空周期;Rpackage =封裝阻抗;
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為了計(jì)算tr和tf,我們需要作出下列假設(shè):
tr ≈ tf
對(duì)于開(kāi)關(guān),僅僅考慮門(mén)極到漏極的電荷成分Qgd,因?yàn)殚T(mén)極電荷Qg在開(kāi)關(guān)中不發(fā)揮任何作用。
其中:Qgd = 門(mén)或漏極電荷;Kd = 常數(shù);Id = 在門(mén)閥值上的門(mén)驅(qū)動(dòng)電流;A = 裸片面積;
替換(1),我們得到:
(2)
取(2)—裸片面積A—的一階導(dǎo)數(shù),我們得到:
(3)
取二階導(dǎo)數(shù),我們得到:
(4)
方程(4)為正,表示為A求解(3)將產(chǎn)生一個(gè)函數(shù)的最小值。求解A,我們得到函數(shù)Pdissipation的最小值:
(5)
而最優(yōu)化裸片面積可能由下式計(jì)算:
(6)
用Vout/Vin替換ΔPWM,而VDrive/Rg替換ID,我們得到:
(7)
因?yàn)閂outILoad = 輸出功率 = Pout
(8)
注意:Aoptimum直接正比于√Pout而反比于Vin
同步整流器
利用相同的處理,我們可以導(dǎo)出針對(duì)同步整流器的方程:
(9)
類(lèi)似地,做優(yōu)化裸片面積可由下式表示:
(10)
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我們以頂部MOSFET為例,下圖2所示為在不同輸入電壓時(shí)最優(yōu)化裸片面積和負(fù)載電流之間的關(guān)系。仔細(xì)地考察發(fā)現(xiàn),當(dāng)輸入電壓從19V變到5V時(shí),裸片面積增加。
圖2:最優(yōu)化裸片面積是頂部MOSFET在不同輸入電壓條件下負(fù)載電流的函數(shù)。
這是因?yàn)樵?V電壓時(shí)占空比會(huì)增加,而我們需要較小的RDSON,因此,獲得較大的裸片面積以減小傳導(dǎo)損耗。因?yàn)殚_(kāi)關(guān)電壓越小,開(kāi)關(guān)損耗也成比例地越小,因此,我們我們能夠容忍存在某種程度上較大的Qgd和較大的裸片面積。
如下圖3所示,是在不同輸入電壓的情況下最優(yōu)化裸片面積和開(kāi)關(guān)頻率之間的關(guān)系。顯然,在動(dòng)態(tài)損耗和傳導(dǎo)損耗之間我們需要采取不同的混合,并且在高開(kāi)關(guān)頻率下動(dòng)態(tài)或開(kāi)關(guān)損耗其支配作用,因此,迫使把裸片面積做得非常小。
圖3:最優(yōu)化裸片面積是頂部MOSFET在不同輸入電壓條件下開(kāi)關(guān)頻率的函數(shù)。
這些依賴(lài)性在某種程度上不同于我們考慮同步整流器的時(shí)候,因?yàn)榭缭剿碾妷菏菃沃欢O管的壓降,無(wú)論是體二極管或是肖特基二極管,在此,動(dòng)態(tài)損耗比頂部MOSFET要小得多。
這意味著傳導(dǎo)損耗在這種情況下占支配地位,在此,即使以較大的Qgd為代價(jià),也需要較大的裸片面積和相關(guān)的小RDSON值。如圖4所示,最優(yōu)化裸片面積是頂部MOSFET在不同輸入電壓條件下負(fù)載電流的函數(shù)。盡管開(kāi)關(guān)損耗在整個(gè)損耗圖中發(fā)揮的作用較小,在此,仍然要以犧牲RDSON指標(biāo)為代價(jià),進(jìn)一步減小裸片面積來(lái)實(shí)現(xiàn)更低的Qgd。
圖4:在同步整流器MOSFET不同開(kāi)關(guān)頻率上的最優(yōu)化裸片面積是負(fù)載電流的函數(shù)。
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如圖5所示,功耗是裸片面積的函數(shù),周?chē)轻槍?duì)輸入電壓為5到12V的頂部MOSFET的最合適值。這清楚地表面,損耗高度依賴(lài)于裸片面積以及如果裸片面積增加或減少時(shí)這些損耗所增加或減小的劇烈程度。
圖5:功耗是頂部MOSFET裸片面積的函數(shù)。
顯然,我的觀點(diǎn)是:這些方程從為任務(wù)指定最優(yōu)化MOSFET的任務(wù)中獲得推斷,并讓我們把工作重心放在開(kāi)發(fā)滿(mǎn)足未來(lái)幾年需求的新的制造工藝的任務(wù)之上。
本文小結(jié)
我們?cè)诖艘呀?jīng)介紹了專(zhuān)門(mén)針對(duì)給定應(yīng)用而設(shè)計(jì)的MOSFET的概念。為了讓MOSFET設(shè)計(jì)工程師把精力集中在需求快速增長(zhǎng)的個(gè)人電腦市場(chǎng),有必要針對(duì)特定的器件給出范例。盡管對(duì)RDSON和Qgd兩個(gè)前沿課題有待做進(jìn)一步完善,但是,仍然需要針對(duì)特定應(yīng)用來(lái)設(shè)計(jì)MOSFET器件。
在MOSFET參數(shù)和應(yīng)用之間的閉環(huán)鏈路要根據(jù)需要來(lái)使用。我們?cè)谏厦嬉呀?jīng)示出:這樣的一個(gè)鏈路可以由損耗方程中導(dǎo)出,因?yàn)樗鼈冇蒑OSFET的參數(shù)來(lái)修正。
在頂部和同步整流器MOSFET之間,前者是對(duì)設(shè)計(jì)更為重要的器件。這是因?yàn)橐獙?duì)RDSON和Qgd兩者進(jìn)行優(yōu)化,以獲得最優(yōu)化的性能;而同步整流器則居于其次。
上述方程根據(jù)一組特定的固定參數(shù)清楚地確定了最優(yōu)化的裸片面積。實(shí)際上,有必要被擴(kuò)展到包含一定范圍內(nèi)的工作條件,如頻率、負(fù)載電流、輸入電壓和門(mén)驅(qū)動(dòng)條件。幸運(yùn)的是,在個(gè)人電腦市場(chǎng),輸入電壓和每相的電流被保持在相當(dāng)窄的范圍內(nèi)。這就使開(kāi)關(guān)頻率和門(mén)驅(qū)動(dòng)器成為唯一的兩個(gè)真實(shí)變量。