產品特性:
- 集成低VCE (sat) BISS晶體管和Trench MOSFET
- 小尺寸,節(jié)省PCB板空間
- 產生熱量小,能效高
應用范圍:
- 手機、MP3播放器以及其他便攜式設備
恩智浦半導體NXP日前宣布推出采用DFN2020-6 (SOT1118) 無鉛塑料封裝的超緊湊型中等功率晶體管和N溝道Trench MOSFET產品PBSM5240PF。DFN2020-6(SOT1118) 無鉛塑料封裝占位面積僅有2 x 2 mm,高度僅為0.65 mm,專門針對諸如移動設備等高性能消費產品的小型化發(fā)展趨勢而設計。
作為業(yè)界首款集成低VCE (sat) BISS晶體管和Trench MOSFET的二合一型產品,PBSM5240PF不但能節(jié)省PCB板空間,而且具有卓越的電氣性能。
傳統(tǒng)的小信號晶體管 (BISS)/MOSFET解決方案通常需要采用兩個封裝,相比之下PBSM5240PF可減少超過50%的電路板占用面積,使封裝高度降低10%以上。此外,DFN2020-6(SOT1118) 封裝還集成了一個散熱器,令散熱性能提高了25%,從而可支持高至2A的電流,并因此降低了能耗。
PBSM5240PF可用作便攜式電池充電電路的一部分,適用于手機、MP3播放器以及其他便攜式設備。它也可被用于那些要求最佳散熱性能、較高電流支持和占用面積小的負載開關或電池驅動設備中。
恩智浦產品經理Joachim Stange表示:“對于便攜式設備領域來說,BISS/MOSFET解決方案的獨特之處和魅力所在就是其極小的占位面積、出色的電氣性能、散熱性能以及無鉛封裝。這款集成式的封裝產品最高可支持40V的電壓,非常適合當今日益纖薄化的小型移動設備使用。而對于這類設備,高度和電路板空間是關鍵的設計考慮因素,每一毫米都至關重要。”
技術參數(shù)
PBSM5240PF小信號晶體管(BISS)和N溝道Trench MOSFET的主要特性包括:
- 集電極大電流能力(IC和ICM)
- 集電極大電流下?lián)碛懈唠娏髟鲆?(hFE)
- 產生熱量小,能效高
- 極低的集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCEsat)
- 封裝占位僅為2 x 2 mm,可減少印刷電路板尺寸