產(chǎn)品特性：

• 應(yīng)用工作電壓高達(dá)650V，電流20A
• 采用完全隔離的TO220SIS封裝和普通的TO-3P(N)封裝

應(yīng)用范圍：

• 各種新和新興電源應(yīng)用
• 包括功率因數(shù)校正設(shè)計(jì)和照明用鎮(zhèn)流器

Toshiba推出新系列的功率MOSFET，這些功率MOSFET改善效率和具有快速開(kāi)關(guān)速度，應(yīng)用工作電壓高達(dá)650V，電流20A。新的TK系列器件適合用于各種新和新興電源應(yīng)用中，包括功率因數(shù)校正（PFC）設(shè)計(jì)和照明用鎮(zhèn)流器。

Toshiba的TK系列MOSFET采用完全隔離的TO220SIS封裝和普通的TO-3P(N)封裝。兩種封裝的大小分別為10mmx15mmx4.5mm和15.9mmx20mmx5mm。所有TO220SIS器件具有Toshiba的‘Warp’封裝，使用銅連接器而不是金屬線(xiàn)連接。這就降低了內(nèi)部連接的電阻，改善散熱并支持處理更高電流。


新系列產(chǎn)品中提供的電壓選擇為450V，500V，525V，550V，600V和650V，漏極電流為2A~20A。RDS(ON)額定值為從5?低至僅0.27?。