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IR推出工業(yè)應(yīng)用150V和200V MOSFET

發(fā)布時(shí)間:2009-08-19

產(chǎn)品特性:

  • 總閘電荷分別降低了高達(dá)59%和33%
  • 達(dá)到工業(yè)級(jí)別及第一級(jí)濕度感應(yīng)度
  • 采用TO220、D2PAK、TO262、DPAK和IPAK封裝
應(yīng)用范圍:
  • 開關(guān)模式電源 、不斷電系統(tǒng)、反相器和DC馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器等

日前,國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET,為開關(guān)模式電源 (SMPS) 、不斷電系統(tǒng) (UPS)、反相器和DC馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器等工業(yè)應(yīng)用提供極低的閘電荷 (Qg)。

與其它競(jìng)爭(zhēng)器件相比,IR 150V MOSFET提供的總閘電荷降低了高達(dá)59%。至于新款200V MOSFET的閘電荷,則比競(jìng)爭(zhēng)器件的降低了多達(dá)33%。

IR亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“隨著DC-DC功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用技術(shù)的日益進(jìn)步,開關(guān)頻率也有所提高,輸入電容和閘電荷在整體效率方面擔(dān)當(dāng)起重要的角色。開關(guān)損耗的多少對(duì)快速開關(guān)電路來(lái)說(shuō)是關(guān)鍵的問(wèn)題。IR新推出的150V和200V MOSFET正好針對(duì)這個(gè)挑戰(zhàn)做出了優(yōu)化,所以非常適合作為通信應(yīng)用中隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器的主要開關(guān),或者在任何先進(jìn)的DC-DC應(yīng)用中推動(dòng)輕負(fù)載效率。”

這些新款MOSFET達(dá)到工業(yè)級(jí)別及第一級(jí)濕度感應(yīng)度 (MSL1) 。它們采用TO220、D2PAK、TO262、DPAK和IPAK封裝,皆為無(wú)鉛設(shè)計(jì),并符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) 指令。

產(chǎn)品的基本規(guī)格:
 

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