產(chǎn)品特點(diǎn)：

• N通道、1毫歐以下導(dǎo)通電阻RDSon

應(yīng)用領(lǐng)域：

• 電源OR-ring、電機(jī)控制和高效同步降壓器

恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors，由飛利浦創(chuàng)立的獨(dú)立半導(dǎo)體公司）宣布推出首款N通道、1毫歐以下25V MOSFET產(chǎn)品，型號(hào)為PSMN1R2-25YL，它擁有最低的導(dǎo)通電阻RDSon以及一流的FOM 參數(shù)。該產(chǎn)品是迄今為止采用Power-SO8封裝（無(wú)損耗封裝：LFPAK）中擁有最低導(dǎo)通電阻RDSon的MOSFET，也是恩智浦現(xiàn)有MOSFET系列的延伸。最新一代MOSFET器件集高性能Power-S08 LFPAK封裝與最新Trench 6硅技術(shù)于一體，可在各種嚴(yán)苛應(yīng)用條件下提供諸多性能及可靠性優(yōu)勢(shì)，如電源OR-ring、電機(jī)控制和高效同步降壓器等。 

恩智浦資深國(guó)際市場(chǎng)產(chǎn)品經(jīng)理John David Hughes先生表示：“在MOSFET制造技術(shù)領(lǐng)域，改善性能是一場(chǎng)曠日持久的競(jìng)賽。我們?cè)谛耇rench 6工藝中采用創(chuàng)新技術(shù)，進(jìn)一步減小了導(dǎo)通電阻。對(duì)客戶而言，這一新的Trench技術(shù)為他們帶來(lái)許多優(yōu)勢(shì)，例如：提高的硅技術(shù)開(kāi)關(guān)效率、出色的電阻和熱阻封裝性能。恩智浦Power-S08 (LFPAK) 封裝與廣為使用的Power SO-8 PCB封裝相兼容。”

恩智浦Trench 6 MOSFET PSMN1R2–25YL，采用Power-S08 (LFPAK)封裝時(shí)25 V MOSFET的RDSon是0.9毫歐（典型值），30 V MOSFET的RDSon達(dá)到1.0毫歐（典型值）。 

除了全球最低RDSon MOSFET之外，恩智浦還宣布推出面向電源、電機(jī)控制和工業(yè)市場(chǎng)的新產(chǎn)品系列。該系列產(chǎn)品的工作電壓為25 V、30 V、40 V和80 V，采用Power-S08 (LFPAK)和TO220封裝。

上市時(shí)間：

PSMN1R2–25YL現(xiàn)已上市