產(chǎn)品特點(diǎn)：
- 新器件的低傳導(dǎo)損耗改善了滿載效率及熱性能
- 新型 MOSFET 采用 Power QFN 封裝
- 新器件符合RoHS，可以不含鹵素
應(yīng)用領(lǐng)域：
- 消費(fèi)和網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域的計(jì)算應(yīng)用
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出一系列新型 25V 及 30V N通道溝道 HEXFET 功率 MOSFET 。它們針對(duì)同步降壓轉(zhuǎn)換器和電池保護(hù)增強(qiáng)了轉(zhuǎn)換性能，適用于消費(fèi)和網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域的計(jì)算應(yīng)用。
新 MOSFET 系列采用了 IR 經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的硅技術(shù)，可提供基準(zhǔn)通態(tài)電阻 (RDS(on)) ，并且提高了轉(zhuǎn)換性能。新器件的低傳導(dǎo)損耗改善了滿載效率及熱性能，即使在輕負(fù)載條件下，低轉(zhuǎn)換損耗也有助于實(shí)現(xiàn)高效率。
IR 亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“這些新型 MOSFET 采用 Power QFN 封裝，可比 SO-8封裝提供更高的功率密度，同時(shí)保持相同的引腳排列配置。新型雙 SO-8 MOSFET 還可通過(guò)‘二合一’交換來(lái)減少元件數(shù)目，滿足不同應(yīng)用的要求。”
單雙 N通道 MOSFET 現(xiàn)已開(kāi)始供應(yīng)。除了 D-PAK、I-PAK 和 SO-8 封裝之外，單個(gè) N通道器件也可在高量產(chǎn)時(shí)實(shí)現(xiàn)優(yōu)化，采用 PQFN 5×6mm 和 3×3mm 封裝，而雙 N通道器件則采用 SO-8 封裝。新器件符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) ，可以不含鹵素。
單個(gè) N通道
|
器件編號(hào)
|
Bvdss
(V)
|
封裝
|
在10Vgs下的
最大RDS(on) (mΩ)
|
在4.5Vgs下的
最大RDS(on) (mΩ)
|
在TC=25°C 下的Id (A)
|
在TA =25°C 下的Id (A)
|
典型Qg
(nC)
|
|
IRL(R,U)8256(TR)PBF
|
25
|
D-Pak/I-PAK
|
5.7
|
8.5
|
81
|
N/A
|
10
|
|
IRL(R,U)8259(TR)PBF
|
25
|
D-Pak/I-PAK
|
8.7
|
12.9
|
57
|
N/A
|
6.8
|
|
IRF8252(TR)PBF
|
25
|
SO-8
|
2.7
|
3.7
|
N/A
|
25
|
35
|
|
IRL(R,U)8743(TR)PBF
|
30
|
D-Pak/I-PAK
|
3.1
|
3.9
|
160
|
N/A
|
39
|
|
IRL(R,U)8726(TR)PBF
|
30
|
D-Pak/I-PAK
|
5.8
|
8.0
|
86
|
N/A
|
15
|
|
IRL(R,U)8721(TR)PBF
|
30
|
D-Pak/I-PAK
|
8.4
|
11.8
|
65
|
N/A
|
8.5
|
|
IRL(R,U)8729(TR)PBF
|
30
|
D-Pak/I-PAK
|
8.9
|
11.9
|
58
|
N/A
|
10
|
|
IRFH3702(TR,TR2)PBF
|
30
|
PQFN 3 x 3
|
7.1
|
11.8
|
N/A
|
16
|
9.6
|
|
IRFH3707(TR,TR2)PBF
|
30
|
PQFN 3 x 3
|
12.4
|
17.9
|
N/A
|
12
|
5.4
|
|
IRFH7932(TR,TR2)PBF
|
30
|
PQFN 5 x 6
|
3.3
|
3.9
|
N/A
|
24
|
34
|
|
30
|
PQFN 5 x 6
|
3.5
|
5.1
|
N/A
|
24
|
20
|
|
|
IRFH7936(TR,TR2)PBF
|
30
|
PQFN 5 x 6
|
4.8
|
6.8
|
N/A
|
20
|
17
|
|
IRFH7921(TR,TR2)PBF
|
30
|
PQFN 5 x 6
|
8.5
|
12.5
|
N/A
|
15
|
9.3
|
|
IRFH7914(TR,TR2)PBF
|
30
|
PQFN 5 x 6
|
8.7
|
13
|
N/A
|
15
|
8.3
|
|
IRF8788(TR)PBF
|
30
|
SO-8
|
2.8
|
3.8
|
N/A
|
24
|
44
|
|
IRF7862(TR)PBF
|
30
|
SO-8
|
3.7
|
4.5
|
N/A
|
21
|
30
|
|
30
|
SO-8
|
3.5
|
5.1
|
N/A
|
21
|
20
|
|
|
IRF8736(TR)PBF
|
30
|
SO-8
|
4.8
|
6.8
|
N/A
|
18
|
17
|
|
IRF8721(TR)PBF
|
30
|
SO-8
|
8.5
|
12.5
|
N/A
|
14
|
8.3
|
|
IRF8714(TR)PBF
|
30
|
SO-8
|
8.7
|
13
|
N/A
|
14
|
8.1
|
|
IRF8707(TR)PBF
|
30
|
SO-8
|
11.9
|
17.5
|
N/A
|
11
|
6.2
|
|
器件編號(hào)
|
封裝
|
配置
|
Bvdss
(V)
|
在10Vgs下的
最大RDS(on) (mΩ)
|
最大Vgs (V)
|
典型Qg
(nC)
|
|
IRF8313PBF
|
SO-8
|
獨(dú)立
對(duì)稱
|
30
|
15.5
|
± 20
|
6.0
|
|
IRF8513PBF
|
SO-8
|
半橋
非對(duì)稱
|
30
|
12.7
|
± 20
|
7.6
|
|
15.5
|
5.7
|
