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SiB800EDK:Vishay新款超小MOSFET+SBD器件

發(fā)布時間:2008-12-15

 產(chǎn)品特性:Vishay最小占位面積的MOSFET+肖特基二極管

  • 采用1.6mm×1.6mm 的熱增強型PowerPAK SC-75 封裝
  • 肖特基二極管在100 mA 時具有 0.32V 低正向電壓
  • 將兩個元件整合到一個封裝中節(jié)省了空間
  • 較低的正向電壓,降低了電平位移應(yīng)用中的壓降
  • 具有0.960?~0.225?的低導(dǎo)通電阻范圍
  • 1.5 V 時的低導(dǎo)通電阻額定值
  • 具有ESD保護,并且無鉛,無鹵素,符合RoHS

應(yīng)用范圍:

  • 手機、PDA、數(shù)碼相機
  • MP3 播放器及智能電話等便攜式設(shè)備

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布推出業(yè)界最小的20V n 通道功率 MOSFET+肖特基二極管--- SiB800EDK,該器件采用 1.6mm×1.6mm 的熱增強型PowerPAK SC-75 封裝。這款新型器件的推出,意味著Vishay將其在100 mA 時具有 0.32V 低正向電壓的肖特基二極管與具有在低至1.5V 柵極驅(qū)動時規(guī)定的額定導(dǎo)通電阻的 MOSFET 進行了完美結(jié)合。

當便攜式電子設(shè)備變得越來越小時,元件的大小變得至關(guān)重要。憑借超小的占位面積,Vishay的SiB800EDK 比采用 2mm×2mm 封裝的器件小 36%,同時具有 0.75mm 的超薄厚度。Vishay此番將兩個元件整合到一個封裝中不僅節(jié)省了空間,而且包含溝槽肖特基二極管可保持較低的正向電壓,從而降低了電平位移應(yīng)用中的壓降。

SiB800EDK 具有0.960?(1.5V VGS 時)~0.225?(4.5V VGS 時)的低導(dǎo)通電阻范圍。1.5 V 時的低導(dǎo)通電阻額定值可使 MOSFET 與低電平時的信號一同使用。

該新器件的典型應(yīng)用將包括手機、PDA、數(shù)碼相機、MP3 播放器及智能電話等便攜式設(shè)備的 I2C 接口與升壓轉(zhuǎn)換器中的電平位移轉(zhuǎn)換。

SiB800EDK 具有 ESD 保護,并且 100% 無鉛(Pb),無鹵素,以及符合 RoHS,因此符合有關(guān)消除有害物質(zhì)的國際法規(guī)要求。目前,新型 SiB800EDK 的樣品及量產(chǎn)批量已可提供,大宗訂單的供貨周期為 10~12 周。
 

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