產(chǎn)品特性：

• 3.3V供電電壓
• 采用0.25μm CMOS技術(shù)，相位噪聲性能優(yōu)異
• 具有四種可供選擇的輸出頻率
• 集成的1:2扇出緩沖器
• 采用無(wú)鉛TSSOP-16封裝
• 分別產(chǎn)生一組和兩組差動(dòng)HCSL輸出時(shí)鐘

應(yīng)用范圍：

• PCI Express、千兆位以太網(wǎng)(GbE)
• 雙列直插內(nèi)存模塊(FBDIMM)應(yīng)用

安森美半導(dǎo)體 (ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)擴(kuò)展其PureEdge高性能時(shí)鐘產(chǎn)生產(chǎn)品系列，推出NB3N3002和NB3N5573這兩款新器件。

NB3N3002和NB3N5573是3.3伏(V)時(shí)鐘產(chǎn)生器，生成頻率可在25、100、125和200兆赫(MHz)之間選擇的主時(shí)鐘信令等級(jí)(HCSL)和亞皮秒(ps)抖動(dòng)的優(yōu)質(zhì)時(shí)鐘。這些器件非常適合于PCI Express、千兆位以太網(wǎng)(GbE)和雙列直插內(nèi)存模塊(FBDIMM)應(yīng)用。與標(biāo)準(zhǔn)的晶體振蕩器和硅基競(jìng)爭(zhēng)時(shí)鐘產(chǎn)生器件相比，PureEdge架構(gòu)提供更高的設(shè)計(jì)靈活性及更低的系統(tǒng)成本。

NB3N3002生成一組差動(dòng)HCSL輸出時(shí)鐘，NB3N5573則提供雙輸出。這兩款器件采用先進(jìn)的0.25微米(μm) CMOS技術(shù)，相位噪聲性能大幅超越競(jìng)爭(zhēng)器件，可與昂貴的表面聲波(SAW)晶體振蕩器相媲美。這些器件以低成本25 MHz晶體生成的高質(zhì)量時(shí)鐘具有四種可供選擇的輸出頻率和集成的1:2扇出緩沖器(NB3N5573)。在100千赫(kHz)載波頻率偏移處，NB3N5573提供的相位噪聲為130 dBc/Hz(每1赫帶寬內(nèi)單邊帶相位噪聲功率與載波功率之比)。

與安森美半導(dǎo)體所有的PureEdge器件相似，這些新的時(shí)鐘產(chǎn)生器為系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員省下更多的珍貴時(shí)序預(yù)算，并提供真正的設(shè)計(jì)靈活性。硅基時(shí)鐘產(chǎn)生IC，如NB3N3002和NB3N5573本質(zhì)上比昂貴的晶體振蕩器更易于制造，故能降低總體系統(tǒng)成本，并大幅縮短產(chǎn)品上市時(shí)間。NB3N5573與功能相競(jìng)爭(zhēng)的器件ICS557-03引腳兼容，能夠替代這器件。在沒(méi)有采用擴(kuò)頻功能下，NB3N5573提供更佳的抖動(dòng)性能，使其在不需要同步狀態(tài)信息(SSM) 下更發(fā)揮價(jià)值。

NB3N3002和NB3N5573采用5.0 mm × 4.4 mm無(wú)鉛TSSOP-16封裝，每2,500片的批量預(yù)算單價(jià)為1.80美元。