產(chǎn)品特性:
- 采用引線帶楔焊鍵合與表面貼裝技術(shù)
- 電阻率:1.5毫歐,低損耗
- 開關(guān)損耗低,抗雪崩性能強
- 功率高,額定功率為300W
- 工作溫度可達175℃,可用于55V設(shè)備
- 有額定連續(xù)電流250A、200A的兩款產(chǎn)品
應(yīng)用范圍:
- 強電流電力牽引設(shè)備
- 叉車、高爾夫球用車和電動托盤裝卸車
- 電動托盤裝卸車
- 割草機、電動輪椅和電動自行車等
意法半導體(紐約證券交易所代碼:STM)推出一款250A表面貼裝的功率MOSFET晶體管,新產(chǎn)品擁有市場上最低的導通電阻,可以把功率轉(zhuǎn)換損耗降至最低,并提高系統(tǒng)性能。
新產(chǎn)品STV250N55F3是市場上首款整合ST PowerSO-10封裝和引線帶楔焊鍵合技術(shù)的功率MOSFET,無裸晶片封裝的電阻率極低。新產(chǎn)品采用ST的高密度STripFET III制程,典型導通電阻僅為1.5毫歐。STripFET III更多優(yōu)點包括:開關(guān)損耗低,抗雪崩性能強。除提高散熱效率外,九線源極連接配置還有助于降低電阻。在25℃時,封裝的額定功率為300W。
新產(chǎn)品的高額定電流讓工程師可以設(shè)計多個并聯(lián)的MOSFET,達到節(jié)省電路板空間和材料成本的目的。標準驅(qū)動閾壓還有助于簡化驅(qū)動電路的設(shè)計。STV250N55F3適用于高達55V的電力設(shè)備。
高達175℃的工作溫度使STV250N55F3適用于強電流電力牽引設(shè)備,如叉車、高爾夫球用車和電動托盤裝卸車以及割草機、電動輪椅和電動自行車。新產(chǎn)品在晶圓和成品階段都經(jīng)過100%的雪崩測試,為可靠性和抗擊穿性提供了有力的保障。新產(chǎn)品將很快達到汽車級產(chǎn)品質(zhì)量標準。
在同一個產(chǎn)品系列,ST還有一款型號為55V STV200N55F3的產(chǎn)品,該產(chǎn)品的額定漏極連續(xù)電流為200A,源極連線配置為4線。
STV250N55F3樣片即刻上市銷售,預(yù)計2008年第三季度開始量產(chǎn)。