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給SiC FET設(shè)計(jì)PCB有哪些注意事項(xiàng)？
SiC FET（即SiC JFET和硅MOSFET的常閉共源共柵組合）等寬帶隙半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)推出后，功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品無(wú)疑受益匪淺。此類器件具有超快的開(kāi)關(guān)速度和較低的傳導(dǎo)損耗，能夠在各類應(yīng)用中提高效率和功率密度。然而，與緩慢的舊技術(shù)相比，高電壓和電流邊緣速率與板寄生電容和電感的相互作用更大，可能產(chǎn)生不必要的...
2023-10-21
SiC FET PCB 注意事項(xiàng)
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高級(jí)雙波束形成 DAC 使智能微波天線更進(jìn)一步
引導(dǎo)射頻能量越來(lái)越成為一項(xiàng)關(guān)鍵的無(wú)線電技術(shù)。其原因是在較高的毫米波頻率下，自由空間射頻衰減增加。如果將這些頻率用于增加系統(tǒng)帶寬和數(shù)據(jù)吞吐量，在沒(méi)有主動(dòng)轉(zhuǎn)向方法的情況下，跨信道干擾和丟失鏈路的可能性會(huì)增加。
2023-10-20
雙波束 DAC 智能微波天線
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使用單輸出柵極驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)高側(cè)或低側(cè)驅(qū)動(dòng)
在許多隔離式電源應(yīng)用中，功率 MOSFET 通常采用某種形式的橋配置，用于優(yōu)化電源開(kāi)關(guān)和電源變壓器，從而提高效率。這些橋配置創(chuàng)建了高側(cè) (HS) 和低側(cè) (LS) 兩種開(kāi)關(guān)類型。UCC277xx、UCC272xx 和 LM510x 系列等專用 HS 和 LS 柵極驅(qū)動(dòng)器 IC 可在單個(gè) IC 中為 HS 開(kāi)關(guān)管以及 LS 開(kāi)關(guān)管提供輸出。
2023-10-20
柵極驅(qū)動(dòng)器 高側(cè)驅(qū)動(dòng) 低側(cè)驅(qū)動(dòng)
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接收器系統(tǒng)噪聲系數(shù)分析
噪聲系數(shù)的一般概念已被系統(tǒng)和電路設(shè)計(jì)人員很好地理解并廣泛使用。特別是，它用于傳達(dá)產(chǎn)品定義者和電路設(shè)計(jì)者的噪聲性能要求，并預(yù)測(cè)接收器系統(tǒng)的整體靈敏度。
2023-10-19
接收器系統(tǒng) 噪聲系數(shù)
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為敏感電路提供過(guò)壓及電源反接保護(hù)！
LTC4365是一款獨(dú)特的解決方案，可精巧和穩(wěn)健地保護(hù)敏感電路免遭意料之外的高電源電壓或負(fù)電源電壓。LTC4365 能隔離高達(dá) 60V 的正電壓和低至 –40V 的負(fù)電壓。只有處于安全工作電源范圍之內(nèi)的電壓被傳送至負(fù)載。僅需的外部有源組件是一個(gè)連接在不可預(yù)知的電源與敏感負(fù)載之間的雙路N溝道MOSFET。
2023-10-19
敏感電路 過(guò)壓 電源 反接保護(hù)
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利用MPS電源模塊賦能光模塊驅(qū)動(dòng)數(shù)據(jù)流量
數(shù)據(jù)流量是現(xiàn)代生活的中心。例如，一個(gè)手機(jī)應(yīng)用的安裝包就需要數(shù)千兆字節(jié)的流量；當(dāng)軟件需要多次更新時(shí)，需要連接Wi-Fi；網(wǎng)上購(gòu)物時(shí)，僅加載單個(gè)頁(yè)面就需要消耗數(shù)兆的流量；如果網(wǎng)速不夠快，視頻通話將很容易卡頓。
2023-10-18
光模塊 電源模塊 數(shù)據(jù)流量
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通信基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)備中的電流感測(cè)應(yīng)用
本文從電流檢測(cè) (CS) 的角度重新分析了蜂窩無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施 (WI) 中的主要電子終端設(shè)備。另外還探討了此類設(shè)備中的幾種 CS 應(yīng)用。電源塊可以集成到 WI 終端設(shè)備中，也可以是獨(dú)立模塊。不管具體的實(shí)現(xiàn)為何，通常都需要一個(gè)智能電源管理系統(tǒng)來(lái)為電池充電并在不同的電源之間提供無(wú)縫切換。在此類電源管理...
2023-10-17
通信基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)備 電流感測(cè)應(yīng)用
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Normally-off D-Mode 氮化鎵晶體管的根本優(yōu)勢(shì)
氮化鎵功率半導(dǎo)體器件毫無(wú)疑問(wèn)是目前電力電子領(lǐng)域中非?；馃岬囊粋€(gè)話題。當(dāng)今占主導(dǎo)有兩種晶體管類型：Normally-off D-mode和Normally-off E-mode 氮化鎵晶體管。當(dāng)人們面臨選擇時(shí)，有時(shí)會(huì)難以言明地傾向于使用增強(qiáng)型晶體管。而事實(shí)上，Normally-off D-mode在性能、可靠性、多樣性、可制造性以及實(shí)...
2023-10-17
Normally-off D-Mode 氮化鎵 晶體管
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如何防止數(shù)字MEMS傳感器出現(xiàn)混疊現(xiàn)象
過(guò)去十多年來(lái)，基于微機(jī)電系統(tǒng) (MEMS) 的設(shè)計(jì)人員一直選擇使用數(shù)字式 MEMS 傳感器，而不是模擬式。驅(qū)動(dòng)這一趨勢(shì)的原因是傳感器產(chǎn)品的利用率、功能集、集成度和成本。選擇數(shù)字式 MEMS 傳感器時(shí)，工程師面臨著諸如傳感器量程、噪聲、封裝和電流消耗等設(shè)計(jì)決策。對(duì)于加速計(jì)等慣性 MEMS 傳感器，設(shè)計(jì)人...
2023-10-16
數(shù)字傳感器 MEMS傳感器
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