產(chǎn)品特性：

• 占位面積僅1mm x 1mm
• 低開(kāi)關(guān)損耗
• 極低的輸入電容 (典型值45pF)
• 總體柵極電荷(1nC)

應(yīng)用范圍：

• 升壓轉(zhuǎn)換器

隨著手機(jī)市場(chǎng)的持續(xù)發(fā)展，以及智能電話的使用率和市場(chǎng)增長(zhǎng)不斷上升，設(shè)計(jì)人員面臨著在總體設(shè)計(jì)中增加功能性，但同時(shí)需要減小外形尺寸和元件數(shù)目的挑戰(zhàn)。為了應(yīng)對(duì)客戶需求和發(fā)展趨勢(shì)，飛兆半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)出結(jié)合N溝道MOSFET和肖特基二極管的器件FDZ3N513ZT，占位面積僅為1mm x 1mm。

FDZ3N513ZT是升壓轉(zhuǎn)換器中的主要元件，用以驅(qū)動(dòng)串聯(lián)白光LED，為智能電話的顯示屏(以及按鍵，如果有鍵盤的話)提供照明。

該解決方案對(duì)各種動(dòng)態(tài)特性作出仔細(xì)精確的優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)很低的開(kāi)關(guān)損耗，從而使手機(jī)應(yīng)用擁有相當(dāng)高的轉(zhuǎn)換效率和更長(zhǎng)的電池壽命。

FDZ3N513ZT結(jié)合了一個(gè)30V 集成式 N溝道MOSFET 和一個(gè)肖特基二極管，具有極低的輸入電容 (典型值45pF) 和總體柵極電荷(1nc)，以提高升壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)的效率。

FDZ3N513ZT采用1mm x 1 mm WL-CSP封裝，相比采用1.6mm x 1.6mm封裝的器件，可節(jié)省60%的板上占位空間。

飛兆半導(dǎo)體是移動(dòng)技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)廠商，擁有大量可針對(duì)特定要求而定制的模擬與功率IP產(chǎn)品組合。FDZ3N513ZT 是飛兆半導(dǎo)體全面的先進(jìn)MOSFET系列的一部分，能夠滿足業(yè)界在充電、負(fù)載開(kāi)關(guān)、DC-DC和升壓應(yīng)用方面對(duì)緊湊、薄型的高性能MOSFET的需求。