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VFCD1505：Vishay新型高精度Z箔表面貼裝倒裝芯片分壓器
Vishay宣布推出新型VFCD1505表面貼裝倒裝芯片分壓器。當(dāng)溫度范圍在0°C 至 +60°C 以及-55°C 至+125°C時(shí)，該分壓器分別具有±0.05ppm/°C和 ±0.2 ppm/°C 的超低絕對 TCR、在額定功率時(shí) ±5ppm的出色PCR跟蹤（自身散熱產(chǎn)生的 ?R）及±0.005%的負(fù)載壽命穩(wěn)定度。
2008-05-14
VFCD1505 分壓器
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TR8系列：Vishay新型模塑MicroTan鉭芯片電容
Vishay宣布推出新型TR8系列模塑MicroTan鉭芯片電容，采用0805封裝的該類電容具有0.8Ω超低ESR（在100 kHz和47 μF條件下），而采用0603封裝的具有業(yè)內(nèi)最低的1.5Ω ESR值。
2008-05-14
TR8 MicroTan鉭芯片電容
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ACAS 0612 AT：Vishay新型汽車精密薄膜芯片電阻陣列
日前，Vishay宣布推出ACAS 0612 AT汽車精密薄膜芯片電阻陣列，該器件已通過AEC-Q200測試，并具有1000V額定電壓的ESD穩(wěn)定性。該器件經(jīng)優(yōu)化可滿足汽車行業(yè)對溫度和濕度的新要求，同時(shí)可為工業(yè)、電信及消費(fèi)電子提供較高的重復(fù)性和穩(wěn)定的性能。
2008-05-09
ACAS 0612 AT 薄膜芯片電阻陣列
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VAR：Vishay 新型超高精度、高分辯率 Z 箔音頻電阻
日前，Vishay宣布推出新型超高精度 Z 箔音頻電阻，該電阻采取特殊設(shè)計(jì)，可增加信號清晰度。當(dāng)溫度范圍在 -55°C 至 +125°C 時(shí)，該器件具有 ±0.2 ppm/°C 的超低典型 TCR、在額定功率時(shí) 5ppm 的出色PCR（自身散熱產(chǎn)生的 ?R）、0.01% 的絕對容差且電流噪聲小于 -40dB。
2008-05-07
VAR Z 箔音頻電阻
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《電子元件技術(shù)網(wǎng)互動精彩回放》有獎(jiǎng)小測驗(yàn)獲獎(jiǎng)名單
《電子元件技術(shù)網(wǎng)互動精彩回放》有獎(jiǎng)小測驗(yàn)獲獎(jiǎng)名單
2008-05-06
《電子元件技術(shù)網(wǎng)互動精彩回放》有獎(jiǎng)小測驗(yàn)獲獎(jiǎng)名單
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電子元件技術(shù)網(wǎng)有獎(jiǎng)小測驗(yàn)第二期
電子元件技術(shù)網(wǎng)有獎(jiǎng)小測驗(yàn)第二期
2008-05-05
電子元件技術(shù)網(wǎng)有獎(jiǎng)小測驗(yàn)第二期
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DS4M-XO系列：Maxim超高頻晶體振蕩器
Maxim推出DS4M-XO系列晶體振蕩器，支持100MHz至300MHz工作頻率，并提供頻率容限調(diào)節(jié)功能。DS4M-XO系列產(chǎn)品尺寸小、性能高并且易于使用，可理想用于Ethernet、InfiniBand、PCI和PCI Express II等空間受限的場合。
2008-05-05
DS4M-XO 晶體振蕩器
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Vishay的電點(diǎn)火器芯片電阻器榮獲 EDN無源元器件和互聯(lián)欄目第18屆年度創(chuàng)新獎(jiǎng)
Vishay日前宣布，在4月14日加利福尼亞州圣荷西舉辦的宴會和頒獎(jiǎng)典禮上，其電點(diǎn)火器芯片電阻器（EPIC）榮獲無源元器件和互聯(lián)欄目的EDN創(chuàng)新獎(jiǎng)。
2008-04-24
EPIC 電點(diǎn)火器芯片電阻器
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VG-4511CA/SG-771PCD：Epson Toyocom最新高頻率HFF晶體振蕩器
Epson Toyocom宣布已將最適于面向光傳送裝置、手機(jī)基站、WiMAX基站等主干網(wǎng)絡(luò)，小尺寸的并具有高精度的高頻率HFF晶體振蕩器：VG-4511CA與SG-771PCD商品化。
2008-04-22
VG-4511CA SG-771PCD 晶體振蕩器
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