【導讀】近日，國際整流器公司推出汽車級COOLiRFET MOSFET系列，在額定電流高達240A時能提供低至0.75 mΩ的導通電阻，導通損耗低，雪崩性能強大，能夠帶來更高的效率、功率密度和可靠性。
國際整流器公司推出汽車級COOLiRFET MOSFET系列，為重載應用提供基準導通電阻(Rds(on))，這些應用包括電動助力轉向系統(tǒng)(EPS)、剎車系統(tǒng)以及其他用于內燃機(ICE)和微混合動力車輛平臺的重載應用。
COOLiRFET TM系列優(yōu)勢：
這22款符合AEC-Q101標準的40V N溝道MOSFET的特色，是采用了IR經過驗證的Gen12.7溝道技術。這一技術為D2Pak-7P、D2Pak、DPak、TO-262、IPAK 以及 TO-220封裝提供超低導通電阻。采用基準封裝D2Pak-7P的AUIRFS8409-7P在電壓為10 Vgs、額定電流高達240A時能提供低至0.75 mΩ的導通電阻。新器件的導通損耗低，雪崩性能強大，能夠帶來更高的效率、功率密度和可靠性。由于這種全新的COOLiRFET TM 器件具備卓越性能，所以與最尖端的MOSFET系列相比，能夠讓許多應用大幅降低運行溫度。
圖示：IR推出的COOLiRFET MOSFET系列
IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“IR新推出的40V汽車級 COOLiRFETTM MOSFET系列在所有的封裝類型中都能實現基準導通電阻，從而為大電流汽車應用提供高效率的解決方案，可以滿足這些應用對高性能和降低整體系統(tǒng)成本的需求。”
穩(wěn)定性能高：
所有 IR 車用 MOSFET 產品都遵循 IR 要求零缺陷的汽車質量理念，并經過了動態(tài)和靜態(tài)器件平均測試及 100% 自動晶圓級目視檢查。AEC-Q101 標準要求器件在經過 1,000 次溫度循環(huán)測試后，導通電阻變化幅度不能超過 20%。IR的新器件符合AEC-Q101標準，物料清單環(huán)保、不含鉛，并符合電子產品有害物質管制規(guī)定 (RoHS)。
規(guī)格
器件編號 封裝 V(BR)DSS (V) 10VGS時的最大導通電阻 (mΩ) TC為25°C 時的ID最大值(A) 10 VGS時的QG典型值 (nC)
AUIRFS8409-7P D2Pak-7P 40 0.75 240 305
AUIRFS8408-7P D2Pak-7P 40 1 240 210
AUIRFS8407-7P D2Pak-7P 40 1.3 240 150
AUIRFS8409 D2Pak 40 1.2 195 300
AUIRFS8408 D2Pak 40 1.6 195 216
AUIRFS8407 D2Pak 40 1.8 195 150
AUIRFS8405 D2Pak 40 2.3 120 107
AUIRFS8403 D2Pak 40 3.3 120 62
AUIRFSL8409 TO-262 40 1.2 195 300
UIRFSL8408 TO-262 40 1.6 195 216
AUIRFSL8407 TO-262 40 1.8 195 150
AUIRFSL8405 TO-262 40 2.3 120 107
AUIRFSL8403 TO-262 40 3.3 120 62
AUIRFR8405 DPak 40 1.98 100 103
AUIRFR8403 DPak 40 3.1 100 66
AUIRFR8401 DPak 40 4.25 100 42
AUIRFU8405 IPak 40 1.98 100 103
AUIRFU8403 IPak 40 3.1 100 66
AUIRFU8401 IPak 40 4.25 100 42
AUIRFB8409 TO-220 40 1.3 195 300
AUIRFB8407 TO-220 40 2.0 195 150
AUIRFB8405 TO-220 40 2.5 120 107
有關產品現已接受訂單。相關數據及認證標準請瀏覽IR的網站www.irf.com。IR 還根據客戶需求提供Spice模型。
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