【導讀】當晶體頻率發(fā)生頻率漂移,且超出晶體頻率偏差范圍過多時,以至于捕捉不到晶體的中心頻率,從而導致芯片不起振。如果超出頻差范圍時,應檢查是否匹配了合適的負載電容,可以通過調(diào)節(jié)晶體的負載電容來解決。
原因分析:
在檢漏工序中,就是在酒精加壓的環(huán)境下,晶體容易產(chǎn)生碰殼現(xiàn)象,即振動時芯片跟外殼容易相碰,從而晶體容易發(fā)生時振時不振或停振;
在壓封時,晶體內(nèi)部要求抽真空充氮氣,如果發(fā)生壓封不良,即晶體的密封性不好時,在酒精加壓的條件下,其表現(xiàn)為漏氣,稱之為雙漏,也會導致停振;
由于芯片本身的厚度很薄,當激勵功率過大時,會使內(nèi)部石英芯片破損,導致停振;
有功負載會降低Q值(即品質(zhì)因素),從而使晶體的穩(wěn)定性下降,容易受周邊有源組件影響,處于不穩(wěn)定狀態(tài),出現(xiàn)時振時不振現(xiàn)象;
由于晶體在剪腳和焊錫的時候容易產(chǎn)生機械應力和熱應力,而焊錫溫度過高和作用時間太長都會影響到晶體,容易導致晶體處于臨界狀態(tài),以至出現(xiàn)時振時不振現(xiàn)象,甚至停振;
在焊錫時,當錫絲透過線路板上小孔滲過,導致引腳跟外殼連接在一塊,或是晶體在制造過程中,基座上引腳的錫點和外殼相連接發(fā)生單漏,都會造成短路,從而引起停振;
當晶體頻率發(fā)生頻率漂移,且超出晶體頻率偏差范圍過多時,以至于捕捉不到晶體的中心頻率,從而導致芯片不起振。
處理方法:
嚴格按照技術(shù)要求的規(guī)定,對石英晶體組件進行檢漏試驗以檢查其密封性,及時處理不良品并分析原因;
壓封工序是將調(diào)好的諧振件在氮氣保護中與外殼封裝起來,以穩(wěn)定石英晶體諧振器的電氣性能。在此工序應保持送料倉、壓封倉和出料倉干凈,壓封倉要連續(xù)沖氮氣,并在壓封過程中注意焊頭磨損情況及模具位置,電壓、氣壓和氮氣流量是否正常,否則及時處理。其質(zhì)量標準為:無傷痕、毛刺、頂坑、彎腿,壓印對稱不可歪斜。
由于石英晶體是被動組件,它是由IC提供適當?shù)募罟β识9ぷ鞯?,因此,當激勵功率過低時,晶體不易起振,過高時,便形成過激勵,使石英芯片破損,引起停振。所以,應提供適當?shù)募罟β?。另外,有功負載會消耗一定的功率,從而降低晶體Q值,從而使晶體的穩(wěn)定性下降,容易受周邊有源組件影響,處于不穩(wěn)定狀態(tài),出現(xiàn)時振時不振現(xiàn)象,所以,外加有功負載時,應匹配一個比較合適有功負載。
控制好剪腳和焊錫工序,并保證基座絕緣性能和引腳質(zhì)量,引腳鍍層光亮均勻無麻面,無變形、裂痕、變色、劃傷、污跡及鍍層剝落。為了更好地防止單漏,可以在晶體下加一個絕緣墊片。
當晶體產(chǎn)生頻率漂移而且超出頻差范圍時,應檢查是否匹配了合適的負載電容,可以通過調(diào)節(jié)晶體的負載電容來解決。