產(chǎn)品特性：

• 采用超小型0201雙硅片無引腳(DSN2)芯片級封裝
• 低正向電壓或低反向電流
• 額定正向電流為100毫安(mA)或200 mA
• 工作溫度范圍為–40°C至+125°C

應(yīng)用范圍：

• 手機(jī)、MP3播放器和數(shù)碼相機(jī)等便攜產(chǎn)品

安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出4款新的30伏(V)肖特基勢壘二極管。這些新的肖特基勢壘二極管采用超小型0201雙硅片無引腳(DSN2)芯片級封裝，為便攜電子設(shè)計(jì)人員提供業(yè)界最小的肖特基二極管和同類最佳的空間性能。

這些新的肖特基二極管提供低正向電壓或低反向電流，額定正向電流為100毫安(mA)或200 mA，其中后者是業(yè)界最小巧的額定200 mA器件。這些新的器件為越來越多空間受限的應(yīng)用解決問題，例如手機(jī)、MP3播放器和數(shù)碼相機(jī)等。

安森美半導(dǎo)體小信號產(chǎn)品分部總監(jiān)兼總經(jīng)理何燾(Dan Huettl)說：“我們客戶持續(xù)面對設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，要在空間受限的應(yīng)用中取舍優(yōu)化電路板布線與系統(tǒng)性能的問題。安森美半導(dǎo)體遂推出超小型0201 DSN-2肖特基勢壘二極管，回應(yīng)系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員的訴求，優(yōu)化便攜應(yīng)用的電源管理。”

器件
這些肖特基二極管封裝底部含有可焊接金屬觸點(diǎn)，令工作的硅片百分之百地利用封裝面積。新的0201 DSN-2封裝尺寸僅為0.6 mm x 0.3 mm x 0.3 mm，與常見的1.0 mm x 0.6 mm x 0.4 mm的SOD-923(也稱作0402)封裝相比，節(jié)省3倍的電路板空間。這些新器件的泄漏電流為市場上最低，幫助設(shè)計(jì)人員解決功率損耗、效率及開關(guān)速度問題。與采用傳統(tǒng)塑模封裝的競爭組件相比，新的肖特基二極管的板面積性能顯著提升，傲視同儕。它們的電源管理特性，也領(lǐng)先同類產(chǎn)品，有助延長便攜設(shè)備應(yīng)用中的電池使用時間。

NSR0xF30NXT5G器件系列優(yōu)化了正向電壓降(Vf)，在10 mA正向電流時僅為370毫伏(mV)，進(jìn)一步突顯這系列的先進(jìn)、高性能規(guī)格。NSR0xL30NXT5G器件系列設(shè)計(jì)用于低反向電流(Ir)，在10 V反向電壓時僅為0.2微安(µA)，且泄漏電流極低，延長電池使用時間。這兩個系列的器件提供人體模型(HBM) 3B類和機(jī)器模型(MM) C類的ESD額定能力及低熱阻抗，為設(shè)計(jì)工程師解決在小電路板空間中納入越來越多電路的挑戰(zhàn)。這些肖特基二極管符合RoHS指令，工作溫度范圍為–40°C至+125°C，非常適用于苛刻室內(nèi)及室外環(huán)境中的設(shè)備。

器件型號	正向電壓降(Vf) (V)	正向電流(If) (mA)	封裝	特性
NSR01F30NXT5G	30	100	DSN2 0201	低Vf
NSR02F30NXT5G	30	200	DSN2 0201	低Vf
NSR01L30NXT5G	30	100	DSN2 0201	低Ir
NSR02L30NXT5G	30	200	DSN2 0201	低Ir