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EMC基礎(chǔ)知識(shí)：何謂EMC
EMC是Electromagnetic Compatibility（電磁兼容性）的縮寫，在日語(yǔ)中多用“電磁兩立性”或“電磁適合性”等字樣來(lái)表達(dá)，可能還有其他一些表述方式。意為“不對(duì)其他設(shè)備產(chǎn)生電磁干擾，即使受到來(lái)自其他設(shè)備的電磁干擾仍保持原有的性能”，因需要兼?zhèn)鋬煞N性能而被稱為“電磁兼容性”。
2021-03-17
EMC
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Frontline推出新的PCB工藝規(guī)劃解決方案，可加快產(chǎn)品上市，提高工廠產(chǎn)量
Frontline公司發(fā)布了產(chǎn)品InFlow?，這是一款針對(duì)PCB（印刷電路板）制造商的強(qiáng)大、自動(dòng)化、全方位的工程軟件解決方案。InFlow可實(shí)現(xiàn)對(duì)整個(gè)工程工藝的全覆蓋，將規(guī)劃時(shí)間減少高達(dá)60％，從而可以大大縮短上市時(shí)間，即使是在最高設(shè)計(jì)復(fù)雜度及產(chǎn)量要求的情形下。奧寶科技隸屬于KLA公司。
2021-03-16
Frontline PCB工藝
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使用PWM輸出方式驅(qū)動(dòng)有刷直流電機(jī)：PWM驅(qū)動(dòng)的原理
從本文開(kāi)始，將介紹有刷直流電機(jī)的PWM驅(qū)動(dòng)。近年來(lái)，直流電機(jī)的PWM驅(qū)動(dòng)方式因其可以減少驅(qū)動(dòng)器電源的功耗而應(yīng)用越來(lái)越廣泛。除了用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)外，PWM（Pulse Width Modulation＝脈沖寬度調(diào)制）還廣泛應(yīng)用于DC/DC轉(zhuǎn)換器和AC/DC轉(zhuǎn)換器等電源的功率轉(zhuǎn)換，并在很多領(lǐng)域得到廣泛使用。
2021-03-16
PWM驅(qū)動(dòng) 有刷直流電機(jī)
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【當(dāng)代材料電學(xué)測(cè)試】系列之三：凝聚態(tài)物理中物性測(cè)試
凝聚態(tài)物理學(xué)是研究由大量微觀粒子(原子、分子、離子、電子)組成的凝聚態(tài)物質(zhì)的微觀結(jié)構(gòu)、粒子間的相互作用、運(yùn)動(dòng)規(guī)律及其物質(zhì)性質(zhì)與應(yīng)用的科學(xué)，是當(dāng)代材料科學(xué)的物理學(xué)基礎(chǔ)。
2021-03-16
材料電學(xué)測(cè)試 凝聚態(tài)物理
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群策群力促發(fā)展 | 百家名企齊聚2021亞太國(guó)際電源展！
近年來(lái)，電力電子技術(shù)、數(shù)字信息技術(shù)的創(chuàng)新發(fā)展，各地電源技術(shù)與產(chǎn)業(yè)保持穩(wěn)步上升。伴隨環(huán)保和可持續(xù)發(fā)展政策的落實(shí)和推進(jìn)，各國(guó)能源消費(fèi)結(jié)構(gòu)不斷優(yōu)化，電源行業(yè)順勢(shì)而上，在“綠色、安全、經(jīng)濟(jì)”方面的表現(xiàn)可圈可點(diǎn)。
2021-03-15
亞太國(guó)際電源展 環(huán)保 能源
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【當(dāng)代材料電學(xué)測(cè)試】系列之一： 納米測(cè)試（下）
【當(dāng)代材料電學(xué)測(cè)試課堂】系列涉及當(dāng)代材料科學(xué)尖端的電運(yùn)輸及量子材料/超導(dǎo)材料測(cè)試、一維/碳納米管材料測(cè)試、二維材料及石墨烯測(cè)試及納米材料的應(yīng)用測(cè)試。今天跟您分享第一篇，【當(dāng)代材料電學(xué)測(cè)試課堂】系列之一：納米測(cè)試（下）。
2021-03-15
材料電學(xué)測(cè)試 納米測(cè)試
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【當(dāng)代材料電學(xué)測(cè)試課堂】系列之一： 納米測(cè)試（上）
材料性質(zhì)的研究是當(dāng)代材料科學(xué)的重要一環(huán)，所謂材料的性質(zhì)是指對(duì)材料功能特性和效用的定量度量和描述，即材料對(duì)電、磁、光、熱、機(jī)械載荷的反應(yīng)。源表SMU 在當(dāng)代材料科學(xué)研究中，起到舉足輕重的作用，選擇適合某類材料電性能測(cè)試的SMU，如何降低測(cè)試誤差，測(cè)試中應(yīng)當(dāng)注意什么，這些問(wèn)題都需要重點(diǎn)關(guān)...
2021-03-15
材料電學(xué)測(cè)試 納米測(cè)試
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關(guān)于SiP與先進(jìn)封裝的異同點(diǎn)
SiP系統(tǒng)級(jí)封裝（System in Package)，先進(jìn)封裝HDAP（High Density Advanced Package)，兩者都是當(dāng)今芯片封裝技術(shù)的熱點(diǎn)，受到整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的高度關(guān)注。那么，二者有什么異同點(diǎn)呢？
2021-03-15
SiP 先進(jìn)封裝
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開(kāi)關(guān)電源MOS開(kāi)關(guān)損耗推導(dǎo)過(guò)程詳解
電源工程師們都知道開(kāi)關(guān)MOS在整個(gè)電源系統(tǒng)里面的損耗占比是不小的，開(kāi)關(guān)mos的的損耗我們談及最多的就是開(kāi)通損耗和關(guān)斷損耗，由于這兩個(gè)損耗不像導(dǎo)通損耗或驅(qū)動(dòng)損耗一樣那么直觀，所以有部分人對(duì)于它計(jì)算還有些迷茫。
2021-03-12
開(kāi)關(guān)電源 MOS開(kāi)關(guān)損耗
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