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SiC MOSFET替代Si MOSFET,只有單電源正電壓時(shí)如何實(shí)現(xiàn)負(fù)壓？
現(xiàn)代工業(yè)對(duì)電力電子設(shè)備提出了很多要求：體積小、重量輕、功率大、發(fā)熱少。面對(duì)這些要求，Si MOSFET因Si材料自身的限制而一籌莫展。SiC MOSFET因SiC材料的先天優(yōu)勢(shì)開始大顯神通。SiC MOSFET大規(guī)模商用唯一的缺點(diǎn)就是價(jià)格。
2021-12-07
SiC MOSFET 單電源正電壓 Si MOSFET
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一舉三得：直接用碳化硅器件，可節(jié)能、提高功率轉(zhuǎn)換效率、減少設(shè)計(jì)尺寸
更高的效率無(wú)疑是一個(gè)優(yōu)勢(shì)，但是有時(shí)候“更高”的陳述是不準(zhǔn)確的，比如：家庭電子器件散發(fā)“更高”的熱量可以減輕您的中央供暖工作在寒冷氣候中的工作量，也許會(huì)帶來(lái)能量使用和成本方面的整體好處，還可以采用效率相對(duì)低效的鍋爐。如果用“更高”來(lái)描述白熾燈，它可以在您需要溫暖時(shí)成為非常高效的加熱器。
2021-11-30
碳化硅器件
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連接SPI接口器件 - 第一部分
LEC2 Workbench系列技術(shù)博文主要關(guān)注萊迪思產(chǎn)品的應(yīng)用開發(fā)問題。這些文章由萊迪思教育能力中心（LEC2）的FPGA設(shè)計(jì)專家撰寫。LEC2是專門針對(duì)萊迪思屢獲殊榮的低功耗FPGA和解決方案集合的全球官方培訓(xùn)服務(wù)供應(yīng)商。
2021-11-29
SPI接口器件
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重負(fù)載時(shí)中開關(guān)元件工作相關(guān)的注意事項(xiàng)
在重負(fù)載時(shí)，如果MOSFET的體二極管的反向恢復(fù)時(shí)間trr較長(zhǎng)，且有電流殘留，則在超前臂的MOSFET關(guān)斷時(shí)，寄生雙極晶體管可能會(huì)誤導(dǎo)通，從而損壞MOSFET。這種問題發(fā)生在由關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生的對(duì)漏源電容CDS的充電電流而使寄生雙極晶體管自發(fā)地導(dǎo)通（誤導(dǎo)通）、瞬間流過(guò)大電流時(shí)。
2021-11-29
重負(fù)載 開關(guān)元件 注意事項(xiàng)
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如何使用數(shù)字信號(hào)控制器構(gòu)建更好的汽車和電動(dòng)汽車系統(tǒng)
傳統(tǒng)的汽車和電動(dòng)汽車系統(tǒng)都依賴于無(wú)數(shù)電子設(shè)備的有效運(yùn)行，以實(shí)現(xiàn)便利功能以及關(guān)鍵任務(wù)功能安全功能。雖然提出了各種各樣的要求，但這些不同的應(yīng)用從根本上要求能夠在極端條件下運(yùn)行，同時(shí)提供可靠、高性能的實(shí)時(shí)響應(yīng)。
2021-11-26
數(shù)字信號(hào)控制器 汽車系統(tǒng) 電動(dòng)汽車系統(tǒng)
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高壓放大器在交變電場(chǎng)空間電荷測(cè)量研究中的應(yīng)用
交變高壓源為試樣材料提供測(cè)試所需的高壓電場(chǎng)環(huán)境。高壓源有兩種實(shí)現(xiàn)方式，一是直接選用高壓發(fā)生設(shè)備，二是采用高壓放大器，需要信號(hào)發(fā)生器輸入一個(gè)幅值較低的控制信號(hào)，放大器將控制信號(hào)放大后輸出。在交變電場(chǎng)空間電荷的測(cè)量中，需要協(xié)調(diào)交變高壓和脈沖源輸出在時(shí)序上的先后關(guān)系，測(cè)量特定相位點(diǎn)...
2021-11-26
高壓放大器 交變電場(chǎng)空間 電荷測(cè)量
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總線隔離方案之儲(chǔ)能行業(yè)篇
眾所周知，實(shí)現(xiàn)“碳中和”的關(guān)鍵在于轉(zhuǎn)換能源結(jié)構(gòu)，提升非化石能源的發(fā)電比例，因此新能源與儲(chǔ)能成為重要發(fā)展方向，ZLG致遠(yuǎn)電子基于二十年開關(guān)電源與總線隔離技術(shù)，推出成熟的儲(chǔ)能電池BMS系統(tǒng)解決方案。
2021-11-26
總線隔離 方案 儲(chǔ)能
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IGBT7與IGBT4在伺服驅(qū)動(dòng)器中的對(duì)比測(cè)試
IGBT7作為英飛凌最新一代IGBT技術(shù)平臺(tái)，它與IGBT4的性能對(duì)比一直是工程師關(guān)心的問題。本文通過(guò)FP35R12W2T4與 FP35R12W2T7在同一平臺(tái)伺服驅(qū)動(dòng)中的測(cè)試，得到了相同工況下IGBT4與IGBT7的結(jié)溫對(duì)比。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，在連續(xù)大功率負(fù)載工況與慣量盤負(fù)載工況的對(duì)比測(cè)試中，IGBT7的結(jié)溫均低于IGBT4。
2021-11-26
IGBT7 伺服驅(qū)動(dòng)器 對(duì)比測(cè)試
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如何在不破壞背板數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換的情況下把I/O卡插入帶電的背板上呢？
隨著服務(wù)器系統(tǒng)的增長(zhǎng)，包含控制電路以用來(lái)監(jiān)視服務(wù)器的輸入/輸出(I/O)卡數(shù)量和復(fù)雜程度也同比增長(zhǎng)。零停機(jī)時(shí)間系統(tǒng)要求用戶將I/O卡插入帶電的背板。雖然許多IC供應(yīng)商已經(jīng)開發(fā)出能夠安全對(duì)電源和地線進(jìn)行熱插拔(Hot SwapTM)的芯片，但是迄今為止，仍沒有一個(gè)能在I2CTM和SMBus系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)數(shù)據(jù)(SDA...
2021-11-24
背板數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換 I/O卡
- 利用自動(dòng)化技術(shù)賦能中國(guó)基礎(chǔ)設(shè)施現(xiàn)代化
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