1、BGA(ball grid array) 

 

球形觸點(diǎn)陳列，表面貼裝型封裝之一。在印刷基板的背面按陳列方式制作出球形凸點(diǎn)用 以 代替引腳，在印刷基板的正面裝配LSI 芯片，然后用模壓樹脂或灌封方法進(jìn)行密封。也 稱為凸 點(diǎn)陳列載體(PAC)。引腳可超過200，是多引腳LSI 用的一種封裝。 封裝本體也可做得比QFP(四側(cè)引腳扁平封裝)小。例如，引腳中心距為1.5mm 的360 引腳 BGA 僅為31mm 見方；而引腳中心距為0.5mm 的304 引腳QFP 為40mm 見方。而且BGA 不 用擔(dān)心QFP 那樣的引腳變形問題。 該封裝是美國Motorola 公司開發(fā)的，首先在便攜式電話等設(shè)備中被采用，今后在美國有 可 能在個人計(jì)算機(jī)中普及。最初，BGA 的引腳(凸點(diǎn))中心距為1.5mm，引腳數(shù)為225?，F(xiàn)在 也有 一些LSI 廠家正在開發(fā)500 引腳的BGA。 BGA 的問題是回流焊后的外觀檢查?，F(xiàn)在尚不清楚是否有效的外觀檢查方法。有的認(rèn)為 ， 由于焊接的中心距較大，連接可以看作是穩(wěn)定的，只能通過功能檢查來處理。 美國Motorola 公司把用模壓樹脂密封的封裝稱為OMPAC，而把灌封方法密封的封裝稱為 GPAC(見OMPAC 和GPAC)。 

 

2、BQFP(quad flat package with bumper) 

 

帶緩沖墊的四側(cè)引腳扁平封裝。QFP 封裝之一，在封裝本體的四個角設(shè)置突起(緩沖墊) 以 防止在運(yùn)送過程中引腳發(fā)生彎曲變形。美國半導(dǎo)體廠家主要在微處理器和ASIC 等電路中 采用 此封裝。引腳中心距0.635mm，引腳數(shù)從84 到196 左右(見QFP)。 

 

3、碰焊PGA(butt joint pin grid array) 

 

表面貼裝型PGA 的別稱(見表面貼裝型PGA)。

 

4、C－(ceramic) 

 

表示陶瓷封裝的記號。例如，CDIP 表示的是陶瓷DIP。是在實(shí)際中經(jīng)常使用的記號。 

 

5、Cerdip 

用玻璃密封的陶瓷雙列直插式封裝，用于ECL RAM，DSP(數(shù)字信號處理器)等電路。帶有 玻璃窗口的Cerdip 用于紫外線擦除型EPROM 以及內(nèi)部帶有EPROM 的微機(jī)電路等。引腳中 心 距2.54mm，引腳數(shù)從8 到42。在japon，此封裝表示為DIP－G(G 即玻璃密封的意思)。 

 

6、Cerquad 

 

表面貼裝型封裝之一，即用下密封的陶瓷QFP，用于封裝DSP 等的邏輯LSI 電路。帶有窗 口的Cerquad 用于封裝EPROM 電路。散熱性比塑料QFP 好，在自然空冷條件下可容許1. 5～ 2W 的功率。但封裝成本比塑料QFP 高3～5 倍。引腳中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、 0.5mm、 0.4mm 等多種規(guī)格。引腳數(shù)從32 到368。 

 

7、CLCC(ceramic leaded chip carrier) 

 

帶引腳的陶瓷芯片載體，表面貼裝型封裝之一，引腳從封裝的四個側(cè)面引出，呈丁字形 。 帶有窗口的用于封裝紫外線擦除型EPROM 以及帶有EPROM 的微機(jī)電路等。此封裝也稱為 QFJ、QFJ－G(見QFJ)。 

 

8、COB(chip on board) 

 

板上芯片封裝，是裸芯片貼裝技術(shù)之一，半導(dǎo)體芯片交接貼裝在印刷線路板上，芯片與 基 板的電氣連接用引線縫合方法實(shí)現(xiàn)，芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實(shí)現(xiàn)，并用 樹脂覆 蓋以確?？煽啃?。雖然COB 是最簡單的裸芯片貼裝技術(shù)，但它的封裝密度遠(yuǎn)不如TAB 和 倒片 焊技術(shù)。

 

9、LGA(land grid array) 

 

觸點(diǎn)陳列封裝。即在底面制作有陣列狀態(tài)坦電極觸點(diǎn)的封裝。裝配時插入插座即可?，F(xiàn) 已 實(shí)用的有227 觸點(diǎn)(1.27mm 中心距)和447 觸點(diǎn)(2.54mm 中心距)的陶瓷LGA，應(yīng)用于高速 邏輯 LSI 電路。 LGA 與QFP 相比，能夠以比較小的封裝容納更多的輸入輸出引腳。另外，由于引線的阻 抗 小，對于高速LSI 是很適用的。但由于插座制作復(fù)雜，成本高，現(xiàn)在基本上不怎么使用 。預(yù)計(jì) 今后對其需求會有所增加。  

 

10、DFP(dual flat package) 

 

雙側(cè)引腳扁平封裝。是SOP 的別稱(見SOP)。以前曾有此稱法，現(xiàn)在已基本上不用。 

 

11、DIC(dual in-line ceramic package) 

 

陶瓷DIP(含玻璃密封)的別稱(見DIP). 

 

12、DIL(dual in-line) 

 

DIP 的別稱(見DIP)。歐洲半導(dǎo)體廠家多用此名稱。 

 

13、DIP(dual in-line package) 

 

雙列直插式封裝。插裝型封裝之一，引腳從封裝兩側(cè)引出，封裝材料有塑料和陶瓷兩種 。 DIP 是最普及的插裝型封裝，應(yīng)用范圍包括標(biāo)準(zhǔn)邏輯IC，存貯器LSI，微機(jī)電路等。 引腳中心距2.54mm，引腳數(shù)從6 到64。封裝寬度通常為15.2mm。有的把寬度為7.52mm 和10.16mm 的封裝分別稱為skinny DIP 和slim DIP(窄體型DIP)。但多數(shù)情況下并不加 區(qū)分， 只簡單地統(tǒng)稱為DIP。另外，用低熔點(diǎn)玻璃密封的陶瓷DIP 也稱為cerdip(見cerdip)。 

14、DSO(dual small out-lint) 

 

雙側(cè)引腳小外形封裝。SOP 的別稱(見SOP)。部分半導(dǎo)體廠家采用此名稱。 

 

15、DICP(dual tape carrier package) 

 

雙側(cè)引腳帶載封裝。TCP(帶載封裝)之一。引腳制作在絕緣帶上并從封裝兩側(cè)引出。由于 利 用的是TAB(自動帶載焊接)技術(shù)，封裝外形非常薄。常用于液晶顯示驅(qū)動LSI，但多數(shù)為 定制品。 另外，0.5mm 厚的存儲器LSI 簿形封裝正處于開發(fā)階段。在japon，按照EIAJ(japon電子機(jī) 械工 業(yè))會標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，將DICP 命名為DTP。 

 

16、DIP(dual tape carrier package) 

 

同上。japon電子機(jī)械工業(yè)會標(biāo)準(zhǔn)對DTCP 的命名(見DTCP)。 

 

17、FP(flat package) 

 

扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。QFP 或SOP(見QFP 和SOP)的別稱。部分半導(dǎo)體廠家采 用此名稱。 

 

18、flip-chip 

 

倒焊芯片。裸芯片封裝技術(shù)之一，在LSI 芯片的電極區(qū)制作好金屬凸點(diǎn)，然后把金屬凸 點(diǎn) 與印刷基板上的電極區(qū)進(jìn)行壓焊連接。封裝的占有面積基本上與芯片尺寸相同。是所有 封裝技 術(shù)中體積最小、最薄的一種。 但如果基板的熱膨脹系數(shù)與LSI 芯片不同，就會在接合處產(chǎn)生反應(yīng)，從而影響連接的可 靠 性。因此必須用樹脂來加固LSI 芯片，并使用熱膨脹系數(shù)基本相同的基板材料。

 

19、FQFP(fine pitch quad flat package) 

 

小引腳中心距QFP。通常指引腳中心距小于0.65mm 的QFP(見QFP)。部分導(dǎo)導(dǎo)體廠家采 用此名稱。 

 

20、CPAC(globe top pad array carrier) 

 

美國Motorola 公司對BGA 的別稱(見BGA)。 

 

21、CQFP(quad fiat package with guard ring) 

 

帶保護(hù)環(huán)的四側(cè)引腳扁平封裝。塑料QFP 之一，引腳用樹脂保護(hù)環(huán)掩蔽，以防止彎曲變 形。 在把LSI 組裝在印刷基板上之前，從保護(hù)環(huán)處切斷引腳并使其成為海鷗翼狀(L 形狀)。 這種封裝 在美國Motorola 公司已批量生產(chǎn)。引腳中心距0.5mm，引腳數(shù)最多為208 左右。 

 

22、H-(with heat sink) 

表示帶散熱器的標(biāo)記。例如，HSOP 表示帶散熱器的SOP。 

 

23、pin grid array(surface mount type) 

 

表面貼裝型PGA。通常PGA 為插裝型封裝，引腳長約3.4mm。表面貼裝型PGA 在封裝的 底面有陳列狀的引腳，其長度從1.5mm 到2.0mm。貼裝采用與印刷基板碰焊的方法，因而 也稱 為碰焊PGA。因?yàn)橐_中心距只有1.27mm，比插裝型PGA 小一半，所以封裝本體可制作得 不 怎么大，而引腳數(shù)比插裝型多(250～528)，是大規(guī)模邏輯LSI 用的封裝。封裝的基材有 多層陶 瓷基板和玻璃環(huán)氧樹脂印刷基數(shù)。以多層陶瓷基材制作封裝已經(jīng)實(shí)用化。 

24、JLCC(J-leaded chip carrier) 

 

J 形引腳芯片載體。指帶窗口CLCC 和帶窗口的陶瓷QFJ 的別稱(見CLCC 和QFJ)。部分半 導(dǎo)體廠家采用的名稱。 

 

25、LCC(Leadless chip carrier) 

 

無引腳芯片載體。指陶瓷基板的四個側(cè)面只有電極接觸而無引腳的表面貼裝型封裝。是 高 速和高頻IC 用封裝，也稱為陶瓷QFN 或QFN－C(見QFN)。 

 

26、LOC(lead on chip)

 

芯片上引線封裝。LSI 封裝技術(shù)之一，引線框架的前端處于芯片上方的一種結(jié)構(gòu)，芯片 的 中心附近制作有凸焊點(diǎn)，用引線縫合進(jìn)行電氣連接。與原來把引線框架布置在芯片側(cè)面 附近的 結(jié)構(gòu)相比，在相同大小的封裝中容納的芯片達(dá)1mm 左右寬度。 

 

27、LQFP(low profile quad flat package) 

 

薄型QFP。指封裝本體厚度為1.4mm 的QFP，是japon電子機(jī)械工業(yè)會根據(jù)制定的新QFP 外形規(guī)格所用的名稱。 

 

28、L－QUAD 

 

陶瓷QFP 之一。封裝基板用氮化鋁，基導(dǎo)熱率比氧化鋁高7～8 倍，具有較好的散熱性。 封裝的框架用氧化鋁，芯片用灌封法密封，從而抑制了成本。是為邏輯LSI 開發(fā)的一種 封裝， 在自然空冷條件下可容許W3的功率?，F(xiàn)已開發(fā)出了208 引腳(0.5mm 中心距)和160 引腳 (0.65mm 中心距)的LSI 邏輯用封裝，并于1993 年10 月開始投入批量生產(chǎn)。 

 

29、MCM(multi-chip module) 

 

多芯片組件。將多塊半導(dǎo)體裸芯片組裝在一塊布線基板上的一種封裝。根據(jù)基板材料可 分 為MCM－L，MCM－C 和MCM－D 三大類。 MCM－L 是使用通常的玻璃環(huán)氧樹脂多層印刷基板的組件。布線密度不怎么高，成本較低 。 MCM－C 是用厚膜技術(shù)形成多層布線，以陶瓷(氧化鋁或玻璃陶瓷)作為基板的組件，與使 用多層陶瓷基板的厚膜混合IC 類似。兩者無明顯差別。布線密度高于MCM－L。 MCM－D 是用薄膜技術(shù)形成多層布線，以陶瓷(氧化鋁或氮化鋁)或Si、Al 作為基板的組 件。 布線密謀在三種組件中是最高的，但成本也高。 

 

30、MFP(mini flat package) 

 

小形扁平封裝。塑料SOP 或SSOP 的別稱(見SOP 和SSOP)。部分半導(dǎo)體廠家采用的名稱。 

 

31、MQFP(metric quad flat package) 

 

按照J(rèn)EDEC(美國聯(lián)合電子設(shè)備委員會)標(biāo)準(zhǔn)對QFP 進(jìn)行的一種分類。指引腳中心距為 0.65mm、本體厚度為3.8mm～2.0mm 的標(biāo)準(zhǔn)QFP(見QFP)。 

 

32、MQUAD(metal quad) 

 

美國Olin 公司開發(fā)的一種QFP 封裝?；迮c封蓋均采用鋁材，用粘合劑密封。在自然空 冷 條件下可容許2.5W～2.8W 的功率。japon新光電氣工業(yè)公司于1993 年獲得特許開始生產(chǎn) 。 

 

33、MSP(mini square package) 

 

QFI 的別稱(見QFI)，在開發(fā)初期多稱為MSP。QFI 是japon電子機(jī)械工業(yè)會規(guī)定的名稱。 

 

34、OPMAC(over molded pad array carrier) 

 

模壓樹脂密封凸點(diǎn)陳列載體。美國Motorola 公司對模壓樹脂密封BGA 采用的名稱(見 BGA)。 

 

35、P－(plastic) 

 

表示塑料封裝的記號。如PDIP 表示塑料DIP。