隨著電子設(shè)備工作速度的不斷提高,連接設(shè)備、電路板、集成電路和器件的互連系統(tǒng)設(shè)計(jì)越來越成為制約整個(gè)系統(tǒng)設(shè)計(jì)成功的關(guān)鍵,以高速高密度PCB設(shè)計(jì)來說,其信號(hào)完整性(SI)問題、電源完整性(PI)問題以及電磁兼容(EMC/EMI)問題已經(jīng)成為設(shè)計(jì)工程當(dāng)中必須解決的核心問題。隨著技術(shù)的發(fā)展,越來越多的設(shè)計(jì)人員認(rèn)同“高速設(shè)計(jì)就是高頻設(shè)計(jì)”這一全新理念,圖1很好地詮釋了這一特點(diǎn)。
圖1:“短路”特性隨信號(hào)速率的變化
目前,越來越多的射頻/高頻設(shè)計(jì)工程師參與并指導(dǎo)高速互聯(lián)設(shè)計(jì),且近一半的電路設(shè)計(jì)人員發(fā)現(xiàn)要進(jìn)行高性能SI/PI設(shè)計(jì),就必須采用3D全波模型來處理關(guān)鍵互聯(lián)問題。
圖2:Xilinx Virtex Pro X FPGA的測試評估板
實(shí)際上,要在SI/PI/EMI方面實(shí)現(xiàn)高性能PCB設(shè)計(jì)仿真,仿真工具必須具備以下幾點(diǎn)關(guān)鍵要求:
第一,必須采用3D全波電磁模型,尤其對關(guān)鍵高速走線、過孔、網(wǎng)絡(luò)等;第二,能夠仿真模擬PCB上的復(fù)雜供電網(wǎng)絡(luò);第三,仿真器(包括場仿真器和路仿真器)必須具備高精度、高速度、大容量的特點(diǎn);第四,同時(shí)提供時(shí)域和頻域仿真結(jié)果;第五,還必須能與現(xiàn)有的PCB設(shè)計(jì)流程相兼容。
Ansoft公司的系列電磁場仿真工具再配合專門的SI設(shè)計(jì)仿真平臺(tái)DesignerSI,不僅滿足上述五點(diǎn)要求,而且由于Ansoft場工具均采用獨(dú)有的自適應(yīng)網(wǎng)格剖分技術(shù),因此將電磁場仿真的難度大大降低,長久以來其仿真速度、精度、容量均得到驗(yàn)證,是工程實(shí)用化的工具。場工具幫助互連系統(tǒng)的設(shè)計(jì)者精確地提取并建立互連系統(tǒng)的3D全波模型,隨后在仿真平臺(tái)Ansoft DesignerSI中進(jìn)行系統(tǒng)驗(yàn)證,提取串?dāng)_、眼圖、誤碼率等時(shí)域、頻域信息,用于信號(hào)完整性/電源完整性及EMC/EMI設(shè)計(jì)與仿真。
千兆比特高速信道設(shè)計(jì)
圖2是Xilinx公司基于Virtex-II Pro X FPGA的測試評估板,其工作信號(hào)速率高達(dá)10Gbps以上,Xilinx采用Ansoft系列軟件進(jìn)行虛擬仿真,完成了對該P(yáng)CB上收/發(fā)高速差分組線的設(shè)計(jì)優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)高速通信。在設(shè)計(jì)初始階段,根據(jù)實(shí)際問題將整個(gè)高速串行信道分割為相對獨(dú)立的子結(jié)構(gòu)或子系統(tǒng),如在本例中可分為封裝、PCB走線和SMA接頭,對各子系統(tǒng)分別進(jìn)行設(shè)計(jì)優(yōu)化,并通過場分析抽取、建立三維全波模型,然后在DesignerSI平臺(tái)上通過動(dòng)態(tài)鏈接、協(xié)同仿真功能,將各模塊鏈接形成一個(gè)完整的信道進(jìn)行整體性能驗(yàn)證。這樣做不僅能通過Ansoft參數(shù)化設(shè)計(jì)功能實(shí)現(xiàn)各關(guān)鍵結(jié)構(gòu)的最優(yōu)化設(shè)計(jì),而且能夠最大限度地提高仿真效率,比如若想通過對PCB過孔、走線等部分結(jié)構(gòu)的優(yōu)化調(diào)整來提高整體傳輸性能,那么采用這種分解的子系統(tǒng)形式就能幫助設(shè)計(jì)人員迅速獲得所需數(shù)據(jù),避免重復(fù)低效勞動(dòng)。
圖3:DesignerSI仿真結(jié)果與測試結(jié)果
利用Q2D進(jìn)行PCB走線的阻抗控制分析,確定差分線的幾何結(jié)構(gòu)和物理參數(shù);利用三維場仿真工具HFSS提取封裝、過孔、SMA連接器、非規(guī)則走線等的全波電磁模型;在DesignerSI中鏈接整個(gè)信道模型分別在時(shí)頻域中進(jìn)行系統(tǒng)驗(yàn)證。
在DesignerSI平臺(tái)上導(dǎo)入芯片IBIS/Spice模型,通過與Ansoft場工具的動(dòng)態(tài)鏈接完成整個(gè)信道的總體驗(yàn)證,得到眼圖并與實(shí)測結(jié)果對比(見圖3)。
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數(shù)?;旌想娐钒宓腜I和SI問題
一塊六層PCB板,其工作頻帶在1G以下,電源平面上分有2.5v、3.3v和5v三個(gè)電源分割,但具有完整的地平面。首先在SIwave中作諧振場分析以便了解電源/地平面在工作頻帶內(nèi)的整體特性,發(fā)現(xiàn)在工作頻帶內(nèi)(1G以下)會(huì)發(fā)生多個(gè)諧振現(xiàn)象,有14個(gè)諧振頻點(diǎn)(見圖4),同時(shí)在SIwave中可以觀察PCB在各諧振頻點(diǎn)上不同的電壓(圖5)。由于工作頻帶內(nèi)的諧振不僅會(huì)帶來如電源/地噪聲、SSN等嚴(yán)重的電源完整性問題,而且對SI同樣會(huì)產(chǎn)生嚴(yán)重影響。本例主要考慮通過在相關(guān)位置(如諧振場峰值/谷值位置處)加去耦電容來抑制諧振,從而間接改善SI性能。在SIwave中直接模擬該過程,根據(jù)前面得到的諧振分析結(jié)果直接仿真去耦電容的影響,為抑制這14個(gè)諧振點(diǎn)共加了26個(gè)去耦電容,仿真顯示加去耦電容后最低諧振頻點(diǎn)變?yōu)?.0133G,在工作帶寬以外。為了了解對SI的影響,選取了一個(gè)跨電源分割的信號(hào)網(wǎng)絡(luò)做S參數(shù)掃頻分析,比較加去耦電容前后的S參數(shù)變化曲線(圖6a/b),發(fā)現(xiàn)加去耦電容 之后,1G以下信號(hào)傳輸特性明顯得到了改善,尤其在700M左右插入損耗和回波損耗有8dB~9dB的改善。
圖4:SIwave分析得到的PCB諧振點(diǎn)分布
圖5:諧振頻率為0.4971G的電壓波動(dòng)情況
PCB EMI問題仿真
一塊八層PCB,其中黃色走線為PCB上的時(shí)鐘信號(hào)線,每根時(shí)鐘線都與一激勵(lì)源相連,為了了解該P(yáng)CB的電磁輻射特性,首先在SIwave中設(shè)置掃頻分析可以清楚觀察到PCB板在各頻點(diǎn)上的電壓波動(dòng)情況,如圖7所示。
圖6:加去耦電容前a和后b的信號(hào)網(wǎng)絡(luò)IOA8的插入損耗和回波損耗曲線
圖7:PCB在不同的頻率上的電壓波動(dòng)圖
圖8:1G下PCB的電壓波動(dòng)圖和空間場分布
隨后,在SIwave中計(jì)算PCB在空間的EMI輻射情況。以1G為例,圖8為PCB元件正面觀察到的電壓波動(dòng)情況,通過SIwave和Ansoft HFSS之間的動(dòng)態(tài)鏈接,能夠計(jì)算PCB板在三維空間任意位置的電磁場輻射數(shù)據(jù),從而實(shí)現(xiàn)虛擬EMI測試。圖8還給出了距離PCB約500mil處的電場分布云圖,對比空間電場分布云圖與PCB上電壓波動(dòng)云圖可以發(fā)現(xiàn):PCB上電壓波峰/波谷對應(yīng)的近區(qū)輻射場數(shù)值大,這也與實(shí)際情況吻合。同時(shí)根據(jù)需要可在 SIwave中直接畫出各個(gè)頻點(diǎn)上PCB板在遠(yuǎn)區(qū)的輻射場分布。
高速PCB板級設(shè)計(jì)無論SI還是PI,都是十分具有挑戰(zhàn)性的,而由此產(chǎn)生的EMI問題則更為復(fù)雜。采用對虛擬原型進(jìn)行仿真的方法替代反復(fù)試驗(yàn)的設(shè)計(jì)方法來優(yōu)化電路板的設(shè)計(jì),可以有效縮短設(shè)計(jì)周期并且節(jié)約設(shè)計(jì)成本。
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