固態(tài)USB開關(guān)及其它過流保護(hù)器件的浪涌測(cè)試
發(fā)布時(shí)間:2017-01-12 責(zé)任編輯:wenwei
【導(dǎo)讀】固態(tài)過流保護(hù)IC,比如USB和卡槽的電源開關(guān),提供了一種簡(jiǎn)單、可靠的引腳保護(hù)方法,在生產(chǎn)測(cè)試或用戶使用不當(dāng)發(fā)生過載或短路時(shí)提供有效的系統(tǒng)保護(hù)。這些器件的保護(hù)能力并非沒有限制,本文主要討論了這些限制因素。
概述
對(duì)于1.2A限流,通常認(rèn)為在發(fā)生故障或短路時(shí)電路保護(hù)IC會(huì)保持在完全受控狀態(tài)。而實(shí)際情況是,在達(dá)到限流條件后通常需要一個(gè)延時(shí)才能真正關(guān)閉開關(guān)。發(fā)生硬件短路時(shí),電流迅速上升,首先會(huì)達(dá)到直流限制條件并開始關(guān)閉開關(guān)(直流限制可以非常精確,但反應(yīng)速度較慢,較慢的反應(yīng)速度可以避免浪涌和其它偽故障事件造成開關(guān)閉合)。雖然開關(guān)會(huì)在短時(shí)間內(nèi)斷開,但此時(shí)峰值電流可能已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于直流門限。引線寄生電感較低時(shí),電流可能上升更快。請(qǐng)參考圖1。
通過電阻限制電流
我們采用具有較低引線電感的MAX1558 USB開關(guān),發(fā)生硬件短路時(shí),通過芯片內(nèi)部保護(hù)開關(guān)實(shí)現(xiàn)電流限制。當(dāng)保護(hù)電路最終斷開開關(guān)時(shí),可以測(cè)量到峰值電流(I),這個(gè)過程如圖2所示。峰值電流流過輸入端的寄生電感(LSTRAY),將儲(chǔ)存以下能量(E):
E = ½ × LSTRAY × I²
斷路器或保護(hù)開關(guān)斷開后,能量會(huì)消耗到哪里呢?
圖1. 該電路表明了硬件短路時(shí)的電流路徑以及寄生電感驅(qū)動(dòng)下的電流路徑
圖2. 波形顯示了具有10µF CBYPASS情況下的短路響應(yīng),從VIN波形可以看出:由于電流變化使得輸入電壓上沖到了8.6V。
從圖2可以看出:輸入電流(IIN)很快上升到48.8A,然后被限制。開關(guān)斷開時(shí),可以測(cè)量到電流下降的速率,當(dāng)IIN以20A/µs下降時(shí),VIN將上沖到8.6V (VMAX),可以根據(jù)下式計(jì)算電路電感:
(VMAX - VIN) = di/dt × LSTRAY
當(dāng)VMAX - VIN = 3.6V,di/dt = 20A/µs時(shí),LSTRAY = 180nH。
所以,根據(jù)E = ½ × LSTRAY × I²,故障結(jié)束時(shí)有214µJ的能量存儲(chǔ)在LSTRAY中。需要利用旁路電容吸收這部分能量并限制電壓的上升。如果選擇10µF輸入電容,初始電壓為5V,初始儲(chǔ)能為:
½ × C × V² = E
現(xiàn)在,假設(shè)所有存儲(chǔ)在LSTRAY中的能量最終都轉(zhuǎn)移到輸入電容CBYPASS上,那么:
初始能量 + 寄生能量 = 最終能量
125µJ + 214µJ = 339µJ
339µJ是輸入電容的最終能量,根據(jù):
½ × C × V² = E
或:
½ × 10µF × V² = 339µJ
求解V,得到:V = 8.23V。這與圖2中的8.6V測(cè)量值非常接近。
如果輸入旁路電容只有0.1μF,輸入電壓將上升到具有破壞性的電壓值。按照0.1µF重新計(jì)算:
初始能量 + 寄生能量 = 最終能量
1.25µJ + 214µJ = 215µJ
并且:
½ × 0.1µF × V² = 215µJ
求解V,得到:V = 65.6V!
顯然,這個(gè)過程將損壞額定電壓只有5.5V的器件。對(duì)于這種情況下的硬件短路波形如圖3所示,注意輸出也會(huì)上沖到9.8V,這是由于短路后才會(huì)斷開開關(guān),它也取決于本次測(cè)試時(shí)的快速di/dt變化。通常di/dt由功率器件的關(guān)斷特性決定。對(duì)于USB口,電路取決于終端用戶—存在任何可能性,但在掌控之內(nèi)。引起這樣極端的快速關(guān)斷的原因可能是由于電纜斷裂、連接器發(fā)生問題,或連接過程中的機(jī)械故障,如本例所示。
圖3. 從波形可以看出,若輸入電容只有0.1µF,輸入電壓會(huì)上沖到一個(gè)潛在的破壞性高壓。
當(dāng)然電壓不會(huì)上沖到66V理論計(jì)算值,這是因?yàn)樾酒瑑?nèi)部集成了齊納保護(hù)管,可以鉗制電壓的上升,并可能由于吸收能量而被損壞。發(fā)生過壓的過程中,額外的能量被硅片吸收。下面的圖4是圖3的時(shí)間展開圖。
圖4. 圖3的時(shí)間展開圖,注意到開關(guān)關(guān)斷期間較高的di/dt變化率,部分存儲(chǔ)能量已經(jīng)送至輸出端!這將損壞USB開關(guān)。
從圖4可以看出,對(duì)于相同電路,較大的輸入旁路電容可以更好地應(yīng)對(duì)硬件短路造成的寄生能量,從而提供額外保護(hù)。通常,帶有地層的印刷電路板(PCB)比測(cè)試當(dāng)中的引線或?qū)嶒?yàn)室中其它連接具有更小的寄生電感。在實(shí)驗(yàn)室做測(cè)試時(shí),降低連接線和測(cè)試設(shè)備的寄生電感非常困難。
輸入電感限制峰值電流
圖5所示,即使存在高達(dá)1.3µH的輸入引線電感,如果使用10µF的旁路電容,器件仍然可以免于損壞。
圖5. 此波形顯示了輸入長引線產(chǎn)生的寄生電感較大(1.3µH)時(shí)的情況,同樣使用10µF輸入旁路電容。注意:輸入電流的上升和下降比較緩慢。當(dāng)輸入電壓超過8V時(shí),器件也會(huì)發(fā)生齊納擊穿,電流被泄漏到輸出端(可以由波形圖中的IOUT看出),但開關(guān)不會(huì)損壞。
從圖5可以看出,較大的電感減緩了輸入電流的上升、下降速度。這一點(diǎn)很重要,電感較大時(shí)電流的變化速率大大降低。因?yàn)榇鎯?chǔ)在電感內(nèi)部的能量與電流平方成正比,與電感成正比關(guān)系,較高的峰值電流會(huì)存儲(chǔ)更多的能量。存儲(chǔ)在1.3µH電感的能量僅為419µJ:
125µJ + 419µJ = 544µJ
并且
½ × 10µF × V² = 544µJ
由上式求解V,得到:V = 10.43V。
雖然器件在這硬件短路時(shí)幸免于難,但仍推薦選用一個(gè)更大的輸入旁路電容,以限制最大電壓,使其低于數(shù)據(jù)資料中規(guī)定的極限參數(shù)。
結(jié)論
如果設(shè)計(jì)中沒有考慮存儲(chǔ)在寄生電感中能量,USB器件可能由于過壓而造成損壞。圖5所示,輸入電感可以是峰值電流的限制因素,從圖2可以看出電阻也可以限制電流。如果電流被限制在導(dǎo)致器件損壞的電平以下,較低的電感有助于改善電路的安全工作。如果電流沒有得到應(yīng)有的限制,能量在低電感情況下釋放可能迅速達(dá)到破壞性水平。需要特別注意避免這種情況的發(fā)生。圖2所示電路中,電流由0.1Ω電阻限制。雖然減小電感后會(huì)使電流的上升速度提高,如果采取適當(dāng)?shù)南蘖鞔胧?,較小的電感有助于降低儲(chǔ)能。
大多數(shù)PCB設(shè)計(jì)在保護(hù)開關(guān)以及輸入輸出路徑下方都有一個(gè)地層,電感通常遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于180nH。對(duì)于下方有地層的1/16英寸寬的PCB走線,每英寸長度大約會(huì)產(chǎn)生10nH電感。應(yīng)根據(jù)具體應(yīng)用環(huán)境,確定所需要的輸入旁路電容。從電感的測(cè)量、分析結(jié)果看,可能需要更大的旁路電容來保證系統(tǒng)的可靠性,當(dāng)然,也有可能允許降低輸入旁路電容。
本文來源于Maxim。
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