EMC經(jīng)驗(yàn)老到的高手創(chuàng)作，了解接地與防護(hù)的原理！――化二去年才領(lǐng)悟到其中的精妙之處！

方案二的殘壓比第四種的殘壓要稍微低點(diǎn)，當(dāng)接地良好的時(shí)候選用第二種比較好；如果接地情況不良，從地面過(guò)來(lái)的地反擊電壓很容易造成后端電路的異常；從前端過(guò)來(lái)的大電流大電壓，GDT與TVS組成回路，也可能與從后端電路組成回路，這個(gè)時(shí)候就要看后面芯片的耐壓。經(jīng)過(guò)測(cè)試，一般485芯片的耐壓是40V到50V，不同廠家的芯片質(zhì)量也不盡相同，耐壓有高有低。當(dāng)?shù)仉妷撼^(guò)芯片的耐壓值，芯片會(huì)被打死?？梢钥闯龇桨付€(wěn)定性不夠好！

（1）第四種方案，比較適合于隔離型的RS485。
——總體來(lái)說(shuō)，如果作者加入隔離防護(hù)與安規(guī)耐壓的技術(shù)，應(yīng)該是很完美的。將三極性放電管去掉（很難通過(guò)10/700us的雷擊測(cè)試），SPC090F更換成1000V的氣體放電管。
（2）RS485芯片內(nèi)部沒(méi)有集成TVS管，或耐壓可達(dá)40~50V，否則該類(lèi)電路會(huì)打壞接口芯片——實(shí)際存在bug!!非屏蔽的信號(hào)線(xiàn)浪涌（1.2/50us），必須過(guò)??！鐵路有這種要求。主要是器件成本過(guò)高，如果過(guò)1.2/50 us 、4KV的浪涌測(cè)試，前級(jí)的三極型氣體放電管，我們是直接去掉的。——但是雷擊（2歐、10/700us），沒(méi)有三極性放電管，是通不過(guò)的。

網(wǎng)友Evanma點(diǎn)評(píng)：

真心覺(jué)得很一般！作者還沒(méi)弄明白R(shí)S485是什么類(lèi)型的接口，需要過(guò)什么樣的浪涌波形，1.2/50 和 8/20 組合波，是RS485需要過(guò)的嗎？依據(jù)是什么？哪一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)里面規(guī)定的？請(qǐng)知道的同學(xué)明示！

什么是雷擊？什么事浪涌？有啥區(qū)別？ 如果一定要分開(kāi)的話(huà)，世界上主流的，存在爭(zhēng)議的雷擊波形應(yīng)該是8/20和10/350（直擊雷）的波形，換算的話(huà)，10/350是8/20能量的25倍，非常大，是自然界目前為止被人類(lèi)所監(jiān)控到最大直接雷波形。

網(wǎng)友walterP點(diǎn)評(píng)：

從殘壓來(lái)比較，2<4<1<3。

1）比較電路2和電路4，4后級(jí)gnd和pgnd之間多了一個(gè)氣體放電管，我們量的是CD的tvs之間的殘壓，殘壓和流過(guò)tvs的電流是有關(guān)的，電流越高，殘壓越高。也就是說(shuō)，電路4多了一個(gè)氣體放電管后，在共模支路上的電流更大了？

2）再比較電路2和電路1，電路1的tvs是直接對(duì)gnd進(jìn)行防護(hù)，沒(méi)有連接pgnd，電路中的gnd和pgnd一般會(huì)有電容連接或者寄生電容，對(duì)于浪涌這也是一個(gè)通路，但是這個(gè)通路的阻抗肯定是要大于直連，這也會(huì)導(dǎo)致施加在tvs上面的電壓變大？

3）比較電路3和電路4，差別在初級(jí)的氣體放電管接地方式不通，電路3通過(guò)另外一個(gè)放電管接地，電路4直連，電路3的殘壓明顯會(huì)大，說(shuō)明流過(guò)CD之間的TVS的電流會(huì)大一些，這又是怎么引起的？

電子元件技術(shù)網(wǎng)原創(chuàng)內(nèi)容，禁止轉(zhuǎn)載，謝謝！

【相關(guān)閱讀】

點(diǎn)評(píng)四大手機(jī)平臺(tái) 解讀手機(jī)設(shè)計(jì)發(fā)展趨勢(shì)
點(diǎn)評(píng)超低電容TVS二極管陣列