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四大法則教你如何正確選取MOS管

發(fā)布時(shí)間:2014-03-28 責(zé)任編輯:cicy

【導(dǎo)讀】在一些電路的設(shè)計(jì)中,不光是開(kāi)關(guān)電源電路中,經(jīng)常會(huì)使用MOS管,正確選擇MOS管是硬件工程師經(jīng)常遇到的問(wèn)題,更是很重要的一個(gè)環(huán)節(jié),MOS管選擇不好,有可能影響到整個(gè)電路的效率和成本,本文通過(guò)整理網(wǎng)友觀點(diǎn),總結(jié)出如何正確選取MOS管的四大法則。 

四大法則教你如何正確選取MOS管

法則之一:用N溝道or P溝道

選擇好MOS管器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOS管。在典型的功率應(yīng)用中,當(dāng)一個(gè)MOS管接地,而負(fù)載連接到干線電壓上時(shí),該MOS管就構(gòu) 成了低壓側(cè)開(kāi)關(guān)。在低壓側(cè)開(kāi)關(guān)中,應(yīng)采用N溝道MOS管,這是出于對(duì)關(guān)閉或?qū)ㄆ骷桦妷旱目紤]。當(dāng)MOS管連接到總線及負(fù)載接地時(shí),就要用高壓側(cè)開(kāi) 關(guān)。通常會(huì)在這個(gè)拓?fù)渲胁捎肞溝道MOS管,這也是出于對(duì)電壓驅(qū)動(dòng)的考慮。

確定所需的額定電壓,或者器件所能承受的最大電壓。額定電壓越大,器件 的成本就越高。根據(jù)實(shí)踐經(jīng)驗(yàn),額定電壓應(yīng)當(dāng)大于干線電壓或總線電壓。這樣才能提供足夠的保護(hù),使MOS管不會(huì)失效。就選擇MOS管而言,必須確定漏極至源 極間可能承受的最大電壓,即最大VDS。知道MOS管能承受的最大電壓會(huì)隨溫度而變化這點(diǎn)十分重要。我們須在整個(gè)工作溫度范圍內(nèi)測(cè)試電壓的變化范圍。額定 電壓必須有足夠的余量覆蓋這個(gè)變化范圍,確保電路不會(huì)失效。需要考慮的其他安全因素包括由開(kāi)關(guān)電子設(shè)備(如電機(jī)或變壓器)誘發(fā)的電壓瞬變。不同應(yīng)用的額定 電壓也有所不同;通常,便攜式設(shè)備為20V、FPGA電源為20~30V、85~220VAC應(yīng)用為450~600V。

法則之二:確定MOS管的額定電流

該額定電流應(yīng)是負(fù)載在所有情況下能夠承受的最大電流。與電壓的情況相似,確保所選的MOS管能承受這個(gè)額定電流,即使在系統(tǒng)產(chǎn)生 尖峰電流時(shí)。兩個(gè)考慮的電流情況是連續(xù)模式和脈沖尖峰。在連續(xù)導(dǎo)通模式下,MOS管處于穩(wěn)態(tài),此時(shí)電流連續(xù)通過(guò)器件。脈沖尖峰是指有大量電涌(或尖峰電 流)流過(guò)器件。一旦確定了這些條件下的最大電流,只需直接選擇能承受這個(gè)最大電流的器件便可。

選好額定電流后,還必須計(jì)算導(dǎo)通損耗。在實(shí)際情況下,MOS管并不是理想的器件,因?yàn)樵趯?dǎo)電過(guò)程中會(huì)有電能損耗,這稱之為導(dǎo)通損耗。MOS管在“導(dǎo)通”時(shí)就像一個(gè)可變電阻,由器件的RDS(ON)所確 定,并隨溫度而顯著變化。器件的功率耗損可由Iload2×RDS(ON)計(jì)算,由于導(dǎo)通電阻隨溫度變化,因此功率耗損也會(huì)隨之按比例變化。對(duì)MOS管施 加的電壓VGS越高,RDS(ON)就會(huì)越?。环粗甊DS(ON)就會(huì)越高。注意RDS(ON)電阻會(huì)隨著電流輕微上升。關(guān)于RDS(ON)電阻的各種電 氣參數(shù)變化可在制造商提供的技術(shù)資料表中查到。

法則之三:選擇MOS管的下一步是系統(tǒng)的散熱要求

須考慮兩種不同的情況,即最壞情況和真實(shí)情況。建議采用針對(duì)最壞情況的計(jì)算結(jié)果,因?yàn)檫@個(gè)結(jié)果提供更大的安全余量,能確保系統(tǒng)不會(huì)失效。在MOS管的資料表上還有一些需要注意的測(cè)量數(shù)據(jù);器件的結(jié)溫等于最大環(huán)境溫度加上熱阻與功率耗散的乘積(結(jié)溫=最大環(huán)境溫度+[熱阻×功率耗散])。根據(jù)這個(gè)式子可解出系統(tǒng)的最大功率耗散,即按定義相等于I2×RDS(ON)。我們已將要通過(guò)器件的最大電流,可以計(jì)算出不同溫度下的RDS(ON)。另外,還要做好電路板 及其MOS管的散熱。

雪崩擊穿是指半導(dǎo)體器件上的反向電壓超過(guò)最大值,并形成強(qiáng)電場(chǎng)使器件內(nèi)電流增加。晶片尺寸的增加會(huì)提高抗雪崩能力,最終提高器件的穩(wěn)健性。因此選擇更大的封裝件可以有效防止雪崩。

法則之四:選擇MOS管的最后一步是決定MOS管的開(kāi)關(guān)性能

影響開(kāi)關(guān)性能的參數(shù)有很多,但最重要的是柵極/漏極、柵極/ 源極及漏極/源極電容。這些電容會(huì)在器件中產(chǎn)生開(kāi)關(guān)損耗,因?yàn)樵诿看伍_(kāi)關(guān)時(shí)都要對(duì)它們充電。MOS管的開(kāi)關(guān)速度因此被降低,器件效率也下降。為計(jì)算開(kāi)關(guān)過(guò) 程中器件的總損耗,要計(jì)算開(kāi)通過(guò)程中的損耗(Eon)和關(guān)閉過(guò)程中的損耗(Eoff)。MOSFET開(kāi)關(guān)的總功率可用如下方程表達(dá):Psw= (Eon+Eoff)×開(kāi)關(guān)頻率。而柵極電荷(Qgd)對(duì)開(kāi)關(guān)性能的影響最大。

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