定制微控制器設(shè)計(jì)：組裝、測量、編程

首先在您的辦公桌上準(zhǔn)備組裝和焊接所需的一切。請記住，您不想將所有部件組裝并焊接到您的個原型 PCB 上，然后再進(jìn)行所有測試。只焊接電路的一個功能部分（例如電源），然后確認(rèn)該部分完成了它應(yīng)該做的事情。然后焊接下一個功能小節(jié)并進(jìn)行測試，依此類推。

2023-05-21

微控制器  組裝  測量  編程

短溝道 MOS 晶體管中的漏電流成分

MOS 晶體管正在按比例縮小，以限度地提高集成電路內(nèi)的封裝密度。這導(dǎo)致氧化物厚度的減少，進(jìn)而降低了 MOS 器件的閾值電壓。在較低的閾值電壓下，漏電流變得很大并有助于功耗。這就是為什么了解 MOS 晶體管中各種類型的漏電流至關(guān)重要。

2023-05-20

短溝道  MOS  晶體管

貿(mào)澤電子第九次榮獲TE Connectivity年度全球卓越服務(wù)代理商獎

2023年5月19日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布第九次榮獲全球連接器和傳感器知名供應(yīng)商TE Connectivity (TE) 頒發(fā)的年度全球卓越服務(wù)代理商獎。此項(xiàng)大獎肯定了貿(mào)澤電子2022年在銷量增長、市場份額增長、客戶增長以及在商業(yè)推廣...

2023-05-19

貿(mào)澤電子  TE  卓越服務(wù)代理商

一份不錯的LDO電容選型指南！

2023-05-19

變壓器的應(yīng)用場景及解決方案

變壓器能把任一數(shù)值的電壓轉(zhuǎn)變成頻率相同的我們所需的電壓值，以滿足電能的輸送，分配和使用要求。

2023-05-19

解析DDR設(shè)計(jì)中容性負(fù)載補(bǔ)償?shù)淖饔?/span>

關(guān)于容性負(fù)載的介紹，高速先生之前有寫過一遍文章《DDR3系列之容性負(fù)載補(bǔ)償，你聽都沒聽過？》，今天我們進(jìn)一步研究一下。先來了解一下容性負(fù)載和感性負(fù)載對鏈路阻抗的影響。仿真鏈路模型如下圖所示。鏈路中有三段50Ω的理想傳輸線，第一段和第二段之間增加一個電容模擬容性負(fù)載，第二段和第三段之間...

2023-05-19

DDR設(shè)計(jì)  負(fù)載補(bǔ)償

Σ －Δ ADC的高精度數(shù)模轉(zhuǎn)化，是如何實(shí)現(xiàn)的？

你可能會知道Delta-Sigma(Σ-Δ) ADC可以達(dá)到很高的精度，它是具體怎么實(shí)現(xiàn)的？ 本文將從量化噪聲、信噪比、過采樣等概念出發(fā)，分析Delta-Sigma ADC的工作原理。

2023-05-19

Σ －Δ ADC  數(shù)模轉(zhuǎn)化

2023深圳國際線圈工業(yè)、電子變壓器及繞線設(shè)備展圓滿閉幕，明年再見！

5月12日，為期三天的2023深圳國際線圈工業(yè)、電子變壓器及繞線設(shè)備展圓滿閉幕，同期舉辦第21屆深圳國際小電機(jī)磁性材料展。

2023-05-18

電子變壓器

優(yōu)化智能存儲適配器性能

優(yōu)化存儲適配器性能可確保存儲處理由存儲適配器而不是服務(wù)器處理，從而在寫入和讀取數(shù)據(jù)時減輕 CPU 的壓力。由于適配器在出廠時配置為為常規(guī)環(huán)境提供最佳的全方位設(shè)置，因此優(yōu)化適配器配置以預(yù)測應(yīng)用程序存儲需求可以顯著提高性能。

2023-05-18

智能存儲  適配器