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電源緩啟動原理
現(xiàn)在大多數(shù)電子系統(tǒng)都要支持熱插拔功能，所謂熱插拔，也就是在系統(tǒng)正常工作時，帶電對系統(tǒng)的某個單元進(jìn)行插拔操作，且不對系統(tǒng)產(chǎn)生任何影響。
2021-12-13
電源
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使用實(shí)時 MCU 順應(yīng)服務(wù)器電源的設(shè)計(jì)趨勢
隨著服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心在全球范圍內(nèi)的應(yīng)用日益廣泛，對穩(wěn)定高效電源的需求越來越強(qiáng)烈，以應(yīng)對不斷增加的功耗。用電量一直快速增長，因此需要更多的集成中央處理單元、圖形處理單元和加速器來提高服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心的計(jì)算速度。應(yīng)用效益的提高催生了電源裝置 (PSU) 的發(fā)展，以提供高能效、快速瞬態(tài)響應(yīng)...
2021-12-13
MCU 服務(wù)器 電源 C2000 TI 數(shù)據(jù)中心
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恒定導(dǎo)通時間控制的過去與現(xiàn)在
無論是無線PA系統(tǒng)還是CPU內(nèi)核，工程師們常常需要在帶寬和系統(tǒng)電源的穩(wěn)定性之間做出權(quán)衡，以獲得較低的動態(tài)紋波。恒定導(dǎo)通時間（COT）控制在電源管理中日益受到關(guān)注，現(xiàn)在已廣泛應(yīng)用于計(jì)算領(lǐng)域的核心IC電源中。隨著人工智能的普及，COT的應(yīng)用還將更加廣泛。
2021-12-13
COT控制 電源管理
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AoP技術(shù)如何擴(kuò)展雷達(dá)傳感器在汽車應(yīng)用中的布局
毫米波雷達(dá)為汽車和工業(yè)應(yīng)用提供了一種高度精確的感應(yīng)方式，可提供富有洞察力的物體信息，如距離、角度和速度，從而實(shí)現(xiàn)更智能的感應(yīng)解決方案，用于檢測幾厘米到幾百米范圍內(nèi)的物體。
2021-12-09
AoP技術(shù) 雷達(dá)傳感器 汽車應(yīng)用
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2022武漢國際電子元器件、材料及生產(chǎn)設(shè)備展覽會與您相約武漢
今年來，得益于中國產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級的大趨勢和中西部地區(qū)加速開放，電子集群在中西部地區(qū)不斷崛起，電子信息產(chǎn)業(yè)已經(jīng)成為中西部地區(qū)多省市的支柱產(chǎn)業(yè)。經(jīng)過多年的發(fā)展，形成了分布在湖北、四川、重慶、湖南、安徽、河南、西安等多個地區(qū)電子產(chǎn)業(yè)基地，在電子研發(fā)和制造方面也取得了長足的發(fā)展，中高端...
2021-12-09
電子元器件 電子元器件材料 生產(chǎn)設(shè)備
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大功率二極管晶閘管知識連載——損耗
功率二極管晶閘管廣泛應(yīng)用于AC/DC變換器，UPS，交流靜態(tài)開關(guān)，SVC和電解氫等場合，但大多數(shù)工程師對這類雙極性器件的了解不及對IGBT的了解，為此我們組織了6篇連載，包括正向特性，動態(tài)特性，控制特性，保護(hù)以及損耗與熱特性。內(nèi)容摘來自英飛凌《雙極性半導(dǎo)體技術(shù)信息》。
2021-12-09
大功率二極管晶閘管 損耗
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平衡精密數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的ADC尺寸、功耗、分辨率和帶寬
目前，工業(yè)產(chǎn)品趨向小型化發(fā)展，該趨勢為精密數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)帶來了新的挑戰(zhàn)。設(shè)計(jì)人員必須平衡整個系統(tǒng)的解決方案尺寸和功耗，同時在更高的帶寬下實(shí)現(xiàn)更精確的信號測量并在此過程中進(jìn)行權(quán)衡。
2021-12-09
數(shù)據(jù)采集系統(tǒng) ADC
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如何使用具有集成400mV基準(zhǔn)的雙微功率比較器簡化監(jiān)控器和控制功能？
LT6700雙比較器囊括了用于在空間因素至關(guān)重要的設(shè)計(jì)中減少元件數(shù)量的諸多特點(diǎn)，包括一個取自經(jīng)修整的片上400mV帶隙的基準(zhǔn)和內(nèi)部遲滯機(jī)制。LT6700還具有低壓微功率單電源操作(典型值為1.4V至18V、7μA)和Over-The-Top? I/O功能，旨在實(shí)現(xiàn)通用性的最大化，并提供特別適用于便攜式電池供電應(yīng)用的解決方...
2021-12-08
雙微功率比較器 監(jiān)控器
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MOSFET性能改進(jìn)：超級結(jié)MOSFET（SJ－MOS）
如果是D-MOS的情況，電場強(qiáng)度在P／N層接口處最強(qiáng)。當(dāng)電場強(qiáng)度超過硅的極限時，會發(fā)生擊穿現(xiàn)象，這就是電壓極限。另一方面，如果是SJ-MOS的情況，電場強(qiáng)度在N層中是均勻的。
2021-12-08
MOSFET 超級結(jié)MOSFET
- 步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動器技術(shù)演進(jìn)：從基礎(chǔ)驅(qū)動到智能閉環(huán)控制
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