【導(dǎo)讀】2015年5月15日，Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）通過其全資子公司Silicon Storage Technology（SST）與GLOBALFOUNDRIES共同宣布，其共同推出的SST 55nm嵌入式SuperFlash® 非易失性存儲器（NVM）產(chǎn)品已通過全面認(rèn)證并開始向市場供貨，該產(chǎn)品基于GLOBALFOUNDRIES 55nm低功耗強化型（LPx）/RF平臺。
根據(jù)全球知名信息咨詢公司IHS預(yù)測，2015年汽車半導(dǎo)體市場規(guī)模將達到310億美元，相比2014年增幅可高達7.5%。而基于嵌入式閃存的半導(dǎo)體產(chǎn)品則在這一市場占有相當(dāng)大的比重。
Microchip全資子公司SST技術(shù)許可部副總裁Mark Reiten表示：“嵌入式SuperFlash存儲器事實上已成為各代工廠生產(chǎn)單片機、智能卡及各種系統(tǒng)級芯片的標(biāo)準(zhǔn)。與GLOBALFOUNDRIES的合作，為我們搭建先進的55nm嵌入式SuperFlash平臺帶來了巨大的技術(shù)優(yōu)勢，我們與各行業(yè)多個客戶的業(yè)務(wù)洽談也已經(jīng)在進行當(dāng)中。我們非常高興可以和GLOBALFOUNDRIES攜手進一步鞏固公司在嵌入式閃存器件領(lǐng)域的市場領(lǐng)導(dǎo)地位。”
SST SuperFlash®技術(shù)與GLOBALFOUNDRIES 55nm LPx完美結(jié)合，實現(xiàn)低功耗、低成本、高可靠性、優(yōu)異數(shù)據(jù)保存性能和高耐用性兼具的卓越客戶解決方案。
GLOBALFOUNDRIES結(jié)合分離柵極單元SuperFlash技術(shù)的55nm工藝經(jīng)認(rèn)證測試符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)。同時，這一工藝技術(shù)還滿足在-40°C至125°C的環(huán)境溫度范圍下AEC-Q100 1級認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)，耐用性達到10萬次的擦寫周期，可實現(xiàn)150°C條件下超過20年的數(shù)據(jù)保存年限。
GLOBALFOUNDRIES產(chǎn)品管理高級副總裁Gregg Bartlett表示：“GLOBALFOUNDRIES意識到市場需要一款低成本的嵌入式閃存平臺產(chǎn)品來實現(xiàn)安全的ID、混合信號、NFC/RF及新一代IoT應(yīng)用。得益于公司與SST的深入合作，這項基于GLOBALFOUNDRIES高產(chǎn)的55nm低功耗工藝技術(shù)平臺而實現(xiàn)的55nm SuperFlash合格商用技術(shù)將有助為各重點行業(yè)的客戶提供高性能的解決方案。”
配備eNVM技術(shù)的GLOBALFOUNDRIES 55nm LPx/RF平臺現(xiàn)已開始投放市場。該平臺技術(shù)備有一個自定義庫，包含針對特定MCU產(chǎn)品應(yīng)用而優(yōu)化的現(xiàn)成eNVM IP模塊，是一款可大幅縮短產(chǎn)品開發(fā)周期的解決方案。
