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賽維LDK與印度光伏老大簽5年供應合同
剛剛成為全球最大硅片生產(chǎn)商的賽維LDK太陽能有限公司(下稱“賽維LDK”)昨日宣布，公司近日與印度的XL Telecom & Energy公司簽訂了為期5年的太陽能多晶硅片供應合同。后者是印度最大的太陽能企業(yè)。
2008-08-20
多晶硅 太陽能
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VCS1625Z ：Vishay改進的S系列高精度箔電阻
Vishay宣布推出改進的 S 系列高精度 Bulk Metal? 箔 (BMF) 電阻，這些電阻在 -55°C～+125°C（+25°C 參考點）時具有 ±2 ppm/°C 的軍用級典型 TCR、±0.005% 的容差，以及超過 10,000 小時的 ±0.005% 負載壽命穩(wěn)定性。
2008-08-15
VCS1625Z 箔電阻 軍事航空
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VCS1625Z ：Vishay改進的S系列高精度箔電阻
Vishay宣布推出改進的 S 系列高精度 Bulk Metal? 箔 (BMF) 電阻，這些電阻在 -55°C～+125°C（+25°C 參考點）時具有 ±2 ppm/°C 的軍用級典型 TCR、±0.005% 的容差，以及超過 10,000 小時的 ±0.005% 負載壽命穩(wěn)定性。
2008-08-15
VCS1625Z 箔電阻 軍事航空
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VSMP0603：Vishay Bulk Metal Z箔卷型表面貼裝電阻
Vishay宣布推出新型 VSMP0603超高精度Bulk Metal Z 箔卷型表面貼裝電阻。典型的 0603 電阻經(jīng)過 1000 小時工作負荷后負載壽命穩(wěn)定性 ≥0.1%，Vishay 新型器件在這方面已大幅改進，在額定功率、溫度 70oC 情況下工作 2000 小時負載壽命穩(wěn)定性為 ±0.005%。
2008-08-13
VSMP0603 表面貼裝電阻 軍用級
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S系列：Vishay改進的軍用級高精度箔電阻
Vishay宣布推出改進的 S 系列高精度 Bulk Metal? 箔 (BMF) 電阻，這些電阻在 -55°C～+125°C（+25°C 參考點）時具有 ±2 ppm/°C 的軍用級典型 TCR、±0.005% 的容差，以及超過 10,000 小時的 ±0.005% 負載壽命穩(wěn)定性。
2008-07-30
箔電阻 S系列 軍用級
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DS7505：Maxim新±0.5°C精度的溫度傳感器
Maxim推出帶有EEPROM的±0.5°C精度數(shù)字溫度傳感器和溫度調(diào)節(jié)器DS7505。集成的非易失EEPROM使器件在上電時能夠運行用戶設定的配置和溫度調(diào)節(jié)門限。DS7505與工業(yè)標準的LM75和Maxim的DS75軟件且引腳兼容，是基站、電信、網(wǎng)絡設備和醫(yī)療系統(tǒng)等需要高精度溫度測量應用的理想選擇。
2008-07-24
DS7505 數(shù)字溫度傳感器 溫度調(diào)節(jié)器
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TDK中國營業(yè)統(tǒng)括部統(tǒng)括部長南研造接受媒體專訪：提高耐熱性是被動元件發(fā)展的一個新方向
1935年，鐵氧體的發(fā)明人，當時任教日本東京工業(yè)大學電化學系的加藤與五郎博士和武井武博士創(chuàng)立了東京電氣化學工業(yè)株式會社，從事磁性材料的商業(yè)開發(fā)和運營。1983年，該公司正式更名為TDK株式會社，取的是原名稱Tokyo（東京） Denki（電氣） Kagaku（化學）的首字母（中文公司譯名：東電化）。
2008-07-17
被動元件
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TG-5005CG：Epson Toyocom搭載了QMEMS印制蝕刻芯片的小型TCXO
Epson Toyocom公司開始批量生產(chǎn)針對手機終端的GPS，在小型且高精度TCXO（溫度補償晶體振蕩器）TG-5005CG中搭載了使用QMEMS技術(shù)制作的印制蝕刻芯片的產(chǎn)品。
2008-07-16
TG-5005CG TCXO 溫度補償晶體振蕩器
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VSA101：Vishay 新型VSA101超高精度軸向 Z 箔電阻
Vishay推出新型 VSA101軸向 Bulk Metal Z 箔電阻。這款新型器件在 0°C～+60°C 以及 -55°C～+125°C的溫度范圍內(nèi)分別具有 ±0.05 ppm/°C 及 ±0.2 ppm/°C 的低絕對 TCR、額定功率時 ±5 ppm 的出色 PCR（“?R，由于自加熱”）、±0.005% 的容差，以及 ±0.005% 的負載壽命穩(wěn)定性。
2008-07-16
VSA101 Z 箔電阻 軍用級
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