【導(dǎo)讀】賓夕法尼亞、MALVERN — 2018 年 9 月18 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，公司將在9月19 - 23日在上海國(guó)家會(huì)展中心舉辦的2018年度中國(guó)國(guó)際工業(yè)博覽會(huì)（CIIF）機(jī)器人展上亮相的產(chǎn)品陣容。Vishay展臺(tái)位于8.1H展廳F214號(hào)，主題為“觸摸明日科技”，將展示其為滿(mǎn)足工業(yè)和協(xié)作機(jī)器人領(lǐng)域的節(jié)省空間、能效和可靠性需求而設(shè)計(jì)的電容器、電阻器、功率IC、光電子和二極管技術(shù)。
Vishay將在CIIF展會(huì)上展示的核心產(chǎn)品包括：為實(shí)現(xiàn)高分辨率和高精度位移傳感的RAMK磁編碼器；用于電機(jī)控制的低ESR MKP1848 DC-Link電容器和超薄VOL3120 IGBT與MOSFET驅(qū)動(dòng)器；用于備用電源的高容量225 EDLC-R ENYCAP 儲(chǔ)能電容器；用于電源中DC/DC轉(zhuǎn)換的SIC46x系列microBUCK® 高效同步降壓穩(wěn)壓器（在5 mm x 5 mm包裝中提供了高達(dá)100 W的輸出電源）；在超薄SMPC封裝中提供1500 w浪涌能力的工業(yè)用單向TransZorb® 瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），以及用于電路保護(hù)的MELF電阻器。
在機(jī)器人展中，Vishay重點(diǎn)展示的BCcomponents電容器包括F339X2 305VAC系列汽車(chē)級(jí)X2 EMI抑制薄膜電容器（通過(guò)AEC-Q200 (D版) 和IEC 60384-14: 2013 / AMD1: 2016 IIB級(jí)認(rèn)證）；交流線(xiàn)路陶瓷盤(pán)式安規(guī)電容器；以及工作溫度達(dá)+200 °C的HOTcap® 汽車(chē)級(jí)徑向引線(xiàn)多層陶瓷貼片電容器（MLCC）。另外，觀(guān)眾還會(huì)看到具有極低ESR和電壓降額的 Vishay Polytech聚合物電容，以及具有長(zhǎng)達(dá)100,000小時(shí)極長(zhǎng)壽命的Vishay Roederstein DC-Link薄膜電容器。
公司將展示的用于電機(jī)控制應(yīng)用的電阻器包括擁有150 W功率的Vishay Sfernice薄膜設(shè)備和電阻值低至0.2 m的Vishay Dale Power Metal Strip®電阻器。對(duì)于電流浪涌保護(hù)，Vishay將展示具有3 kW單脈沖能力和10 kV浪涌電壓保護(hù)能力的Beyschlag薄膜MELF電阻器。此外，用于位置傳感的高精度和高分辨率的Vishay MCB絕對(duì)型旋轉(zhuǎn)磁性編碼器也將著重展出。
著重展出的Vishay Semiconductors光電子元件包括具有2.5 A輸出電流和2.5 mm小體積的VOL3120光耦合器，用于驅(qū)動(dòng)IGBT和MOSFET。在機(jī)器人傳感方面，展出的透射光學(xué)傳感器包括用于絕對(duì)和增量編碼的四通道TCUT1800X01，以及可在嚴(yán)酷環(huán)境中-40 °C 至 +125 °C溫度范圍內(nèi)工作的單通道TCPT1350X01和雙通道TCUT1350X01。
展出的二極管包括正向壓降低至0.76 V的Vishay General Semiconductor V40PWM15C TMBS®整流器（采用表面貼裝的SlimDPAK封裝形式，用于電源DC/DC轉(zhuǎn)換），以及PB5010 Enhanced isoCink+橋式整流器（采用單路直排封裝，用于A(yíng)C/DC全波整流和電壓浪涌保護(hù)）。
從1999年成立以來(lái)，CIIF已成為中國(guó)最具影響力的國(guó)際工業(yè)展覽會(huì)之一，也是一個(gè)領(lǐng)先的制造業(yè)盛會(huì)。今年的展會(huì)由九個(gè)主題展覽構(gòu)成，包括機(jī)器人展。有關(guān)CIIF的更多信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)http://www.ciif-expo.com。
推薦閱讀：
