【導讀】系統(tǒng)設計人員正面臨越來越多的挑戰(zhàn),他們需要在不降低系統(tǒng)組件(例如:高速 數(shù)據(jù)轉換器)性能的情況下讓其設計最大程度地節(jié)能。設計人員們可能會轉而采 用許多電池供電的應用(例如:某種手持終端、軟件無線設備或便攜式超聲波掃 描儀),也可能會縮小產(chǎn)品的外形尺寸,從而需要尋求減少發(fā)熱的諸多方法。
極大降低系統(tǒng)功耗的一種方法是對高速數(shù)據(jù)轉換器的電源進行優(yōu)化。數(shù)據(jù)轉換器 設計和工藝技術的一些最新進展,讓許多新型 ADC 可以直接由開關電源來驅 動,從而達到最大化功效的目的。 系統(tǒng)設計人員們習慣在開關穩(wěn)壓器和 ADC 之間使用一些低噪、低壓降穩(wěn)壓器 (LDO),以清除輸出噪聲和開關頻率諧波(請參見圖 1)。但是,這種干凈的電 源設計的代價是高功耗,因為 LDO 要求壓降余量來維持正常的運行。最低壓降 一般為 200 到 500mV,但在一些系統(tǒng)中其可以高達 1 到 2V(例如,ADC 的3.3-V 電壓軌產(chǎn)生自一個使用 LDO 的 5V 開關電源時)。
圖 1 從傳統(tǒng)電源轉到最大功效電源
就一個要求 3.3-V 電壓軌的數(shù)據(jù)轉換 器而言 ,300mV 的 LDO 壓降增加約10% 的 ADC 功耗。這種效應在數(shù)據(jù)轉換器中得到放大,因為它具有更小的工藝節(jié)點和更低的電源電壓。例如,1.8V 時,相同 300-mV 壓降增加約 17%(300mV/1.8 V)的 ADC 功耗。因此,將該鏈的低噪聲 LDO 去除可以產(chǎn)生巨大的節(jié)能效果。去除 LDO 還可以降低設計的板級空間、熱量以及成本。
本文闡述了包括超高性能 16 位 ADC 在內的一些 TI 高速 ADC 可在 ADC 性能無明顯降低的條件下直接通過開關穩(wěn)壓器驅動。為了闡述的方便,我們對兩 款不同的數(shù)據(jù)轉換器(一款使用高性能 BiCOM 技術(TI 的 ADS5483),另 一款使用低功耗 CMOS 技術(TI 的 ADS6148)進行了開關電源噪聲敏感性研 究。本文的其他部分對所得結果進行了一一介紹。 BiCOM 技術—ADS5483 這種工藝技術實現(xiàn)了寬輸入頻率范圍下的高信噪比 (SNR) 和高無雜散動態(tài)范圍 (SFDR)。BiCOM 轉換器一般還具有許多片上去耦電容和非常不錯的電源抑制比 (PSRR)。
我們對 ADS5483 評估板 (ADS5483EVM) 進行了電源研究,其具有一個使用 TI TPS5420 開關穩(wěn)壓器 (Sw_Reg) 的板上電源;一個低噪聲LDO(TI 的 TPS79501);以及一個外部實驗室電源使用選項。我們使用圖 2 所示不同結構實施了 5 次實驗,旨在確定 ADS5483 通過一個開關穩(wěn)壓器直接運行時出現(xiàn)的性能降低情況。由于 ADS5483 模擬 5-V 電源到目前為止表現(xiàn)出對電源噪聲的最大敏感性,因此該研究忽略了 3.3-V 電源的噪聲。ADS5483 產(chǎn)品說明書中列出的 PSRR 支持這種情況:兩個 3.3-V 電源的 PSRR 至少高出5-V 模擬電源 20 dB。
本文闡述了包括超高性能 16 位 ADC 在內的一些 TI 高速 ADC 可在 ADC 性能無明顯降低的條件下直接通過開關穩(wěn)壓器驅動。為了闡述的方便,我們對兩 款不同的數(shù)據(jù)轉換器(一款使用高性能 BiCOM 技術(TI 的 ADS5483),另 一款使用低功耗 CMOS 技術(TI 的 ADS6148)進行了開關電源噪聲敏感性研 究。本文的其他部分對所得結果進行了一一介紹。 BiCOM 技術—ADS5483 這種工藝技術實現(xiàn)了寬輸入頻率范圍下的高信噪比 (SNR) 和高無雜散動態(tài)范圍 (SFDR)。BiCOM 轉換器一般還具有許多片上去耦電容和非常不錯的電源抑制比 (PSRR)。
我們對 ADS5483 評估板 (ADS5483EVM) 進行了電源研究,其具有一個使用 TI TPS5420 開關穩(wěn)壓器 (Sw_Reg) 的板上電源;一個低噪聲LDO(TI 的 TPS79501);以及一個外部實驗室電源使用選項。我們使用圖 2 所示不同結構實施了 5 次實驗,旨在確定 ADS5483 通過一個開關穩(wěn)壓器直接運行時出現(xiàn)的性能降低情況。由于 ADS5483 模擬 5-V 電源到目前為止表現(xiàn)出對電源噪聲的最大敏感性,因此該研究忽略了 3.3-V 電源的噪聲。ADS5483 產(chǎn)品說明書中列出的 PSRR 支持這種情況:兩個 3.3-V 電源的 PSRR 至少高出5-V 模擬電源 20 dB。
圖 2 使用 ADS5483EVM 的 5 次實驗電源結構
5 次實驗的結構變化配置如下: 實驗 1—一個 5-V 實驗室電源直接連接到 5-V 模擬輸入,同時繞過開關穩(wěn)壓器(TPS5420) 和低噪聲 LDO (TPS79501)。使用一個板上 LDO(TI 的 TPS79633)生成 ADS5483 低敏感度 3.3-V 模擬及數(shù)字電源的 3.3-V 電壓軌。
實驗 2—將一個 10-V 實驗室電源連接到 TPS5420 降壓穩(wěn)壓器,其使用一個5.3-V 輸出。這樣可為 TPS79501 提供一個 300-mV 壓降,從而生成一個 5-V電壓軌。
實驗 3—使用 TPS5420,從 10-V 實驗室電源生成一個 5-V 電壓軌。本實驗中, 我們繞過了 TPS79501 低噪聲 LDO。圖 3a 表明,如“實驗 2”連接的 LDO 較 好地減少了開關穩(wěn)壓器的 5.3-V 輸出峰值電壓。但是,圖 3b 表明 5-VVDDA 電壓軌鐵氧體磁珠之后輸出沒有巨大的差異。
實驗 2—將一個 10-V 實驗室電源連接到 TPS5420 降壓穩(wěn)壓器,其使用一個5.3-V 輸出。這樣可為 TPS79501 提供一個 300-mV 壓降,從而生成一個 5-V電壓軌。
實驗 3—使用 TPS5420,從 10-V 實驗室電源生成一個 5-V 電壓軌。本實驗中, 我們繞過了 TPS79501 低噪聲 LDO。圖 3a 表明,如“實驗 2”連接的 LDO 較 好地減少了開關穩(wěn)壓器的 5.3-V 輸出峰值電壓。但是,圖 3b 表明 5-VVDDA 電壓軌鐵氧體磁珠之后輸出沒有巨大的差異。
圖 3 實驗 2(使用 LDO)和實驗 3(無 LDO)的示波器截圖對比
實驗 4—本實驗配置方法與“實驗 3”相同,但去除了 TPS5420 輸出的 RC 緩 沖器電路,其會引起高振鈴和大開關頻率雜散。我們可在圖 4 中清楚的觀察到 RC 緩沖器電路的影響。去除 LDO 并沒有在鐵 氧體磁珠之后表現(xiàn)出明顯的差異,而去除 RC 緩沖器電路則會導致更大的清潔5-VVDDA 電壓軌電壓峰值進入 ADC。我們將在稍后詳細研究 RC 緩沖器電路的 影響。
圖 4 5-VVDDA 電壓軌的電源噪聲
實驗 5—將一個 8-Ω 功率電阻連接到 5-V 電源,模擬如現(xiàn)場可編程門陣列 (FPGA) 等額外負載。TPS5420 必須提供更高的輸出電流,并更努力地驅動其內 部開關,從而產(chǎn)生更大的輸出雜散。通過重復進行“實驗 2”、“實驗 3”和“實 驗 4”可以測試這種配置。
測量結果
我們利用輸入信號頻率掃描對比了 5 個實驗。先使用 135 MSPS 采樣速率然后 使用 80 MSPS 采樣速率對三個 ADS5483EVM 實施了這種實驗,均沒有觀察到 巨大的性能差異。在使用 135-MSPS 采樣速率情況下,SNR 和 SFDR 的頻率掃描如圖 5 所示。 在 10 到 130MHz 輸入頻率下 SNR 的最大變化約為 0.1dB。SFDR 結果也非 常接近;在某些輸入頻率(例如:80MHz)下,可以觀測到下降 1 至 2 dB。
測量結果
我們利用輸入信號頻率掃描對比了 5 個實驗。先使用 135 MSPS 采樣速率然后 使用 80 MSPS 采樣速率對三個 ADS5483EVM 實施了這種實驗,均沒有觀察到 巨大的性能差異。在使用 135-MSPS 采樣速率情況下,SNR 和 SFDR 的頻率掃描如圖 5 所示。 在 10 到 130MHz 輸入頻率下 SNR 的最大變化約為 0.1dB。SFDR 結果也非 常接近;在某些輸入頻率(例如:80MHz)下,可以觀測到下降 1 至 2 dB。
圖 5 10 到 130MHz 輸入頻率掃描
5 個實驗的 FFT 曲線圖對比(請參見圖 6)顯示噪聲底限或雜散振幅沒有出現(xiàn) 較大的增加。使用 LDO 清除開關噪聲使得輸出頻譜看起來幾乎與干凈 5-V 實 驗室電源完全一樣。去除 LDO 以后,我們觀測到從開關穩(wěn)壓器產(chǎn)生了兩個雜散, 其具有一個來自 10-MHz 輸入音調的約 500 kHz 頻率偏置。RC 緩沖器電路降 低這些雜散振幅 約 3dB,從約 –108 dBc 降到了約 –111 dBc。這一值低于 ADS5483 的平均雜散振幅,其表明 ADS5483 可以在不犧牲 SNR 或 SFDR 性 能的情況下直接由一個開關穩(wěn)壓器來驅動。
圖 6 500-kHz 偏置雜散 65k-點 FFT 圖
RC 緩沖器 降壓穩(wěn)壓器輸出能夠以相當高的開關速度對非常大的電壓實施開關操作。本文 中,將 TPS5420 的輸入電壓軌設定為 10V,我們可以在輸出端觀測到許多過沖 和振鈴,如圖 7a 所示。為了吸收一些電源電路電抗能量,我們將 RC 緩沖電 路添加到了 TPS5420 的輸出(請參見圖 7b)。
該電路提供了一個高頻接地通路, 其對過沖起到了一些阻滯作用。圖 7a 表明 RC 緩沖器降低過沖約 50%,并且 幾乎完全消除了振鈴。我選用了 R = 2.2Ω 和 C = 470 pF 的元件值。穩(wěn)壓器的 開關頻率范圍可以為 500kHz 到約 6MHz,具體取決于制造廠商,因此可能需 要我們對 R 和 C 值進行調節(jié)。這種解決方案的代價是帶來一些額外的分流電 阻 AC 功耗(盡管電阻非常的?。浣档头€(wěn)壓器總功效不足 1%。
該電路提供了一個高頻接地通路, 其對過沖起到了一些阻滯作用。圖 7a 表明 RC 緩沖器降低過沖約 50%,并且 幾乎完全消除了振鈴。我選用了 R = 2.2Ω 和 C = 470 pF 的元件值。穩(wěn)壓器的 開關頻率范圍可以為 500kHz 到約 6MHz,具體取決于制造廠商,因此可能需 要我們對 R 和 C 值進行調節(jié)。這種解決方案的代價是帶來一些額外的分流電 阻 AC 功耗(盡管電阻非常的?。浣档头€(wěn)壓器總功效不足 1%。
圖 7 TPS5420 開關穩(wěn)壓器
我們將 10MHz 輸入信號標準化 FFT 圖繪制出來,以對比“實驗 1”到“實驗4”(請參見圖 8)。TPS5420 的雜散在約 500kHz 偏置時清晰可見。緩沖器降低雜散振幅約 3dB,而低噪聲 LDO 則完全消除了雜散。需要注意的是,RC 緩沖器(無 LDO)的雜散振幅約為 -112dBc,遠低于 ADS5483 平均雜散振幅,因此 SFDR 性能并未降低。
圖 8“實驗 1”到“實驗 4”的標準 FFT 圖
在“實驗 5”中,我們將一個 8-Ω 功率電阻添加到 5-VVDDA 電壓軌,旨在模擬 電源的重負載。標準化 FFT 圖(請參見圖 9)并未顯示出很多不同。去除 RC 緩 沖器以后,雜散增加約 4.5dB;其仍然遠低于平均雜散振幅。
圖 9 添加 8-Ω 負載的標準化 FFT 圖
CMOS 技術—ADS6148 當關注如何在保持較佳 SNR 和 SFDR 性能的同時盡可能地降低功耗時,我們 一般利用 CMOS 技術來開發(fā)高速數(shù)據(jù)轉換器。但是,CMOS 轉換器的 PSRR 一般并不如 BiCOM ADC 的好。ADS6148 產(chǎn)品說明書列出了 25 dB 的 PSRR, 而在模擬輸入電源軌上 ADS5483 的 PSRR 則為 60dB。
ADS6148EVM 使用一種板上電源,其由一個開關穩(wěn)壓器 (TPS5420) 和一個低 噪聲、5-V 輸出 LDO (TPS79501) 組成,后面是一些 3.3-V 和 1.8-V 電源軌的 低噪聲 LDO(請參見圖 10)。與使用 ADS5483EVM 的 5 個實驗類似,我們 使用 ADS6148EVM 進行了下面另外 5 個實驗,其注意力只集中在 3.3-VVDDA 電 壓 軌 的 噪 聲 上 面 。 1.8-VDVDD 電 壓 軌 外 置 TPS5420 實 驗 表 明 對 SNR 和 SFDR 性能沒有什么大的影響。
ADS6148EVM 使用一種板上電源,其由一個開關穩(wěn)壓器 (TPS5420) 和一個低 噪聲、5-V 輸出 LDO (TPS79501) 組成,后面是一些 3.3-V 和 1.8-V 電源軌的 低噪聲 LDO(請參見圖 10)。與使用 ADS5483EVM 的 5 個實驗類似,我們 使用 ADS6148EVM 進行了下面另外 5 個實驗,其注意力只集中在 3.3-VVDDA 電 壓 軌 的 噪 聲 上 面 。 1.8-VDVDD 電 壓 軌 外 置 TPS5420 實 驗 表 明 對 SNR 和 SFDR 性能沒有什么大的影響。
圖 10 使用 ADS6148EVM 的 5 個實驗電源結構
實驗 6—將一個 5-V 實驗室電源連接到兩個低噪聲 LDO(一個使用 3.3-V 輸 出,另一個使用 1.8-V 輸出)的輸入。LDO 并未給實驗室電源帶來任何有影響 的噪聲。實驗 7—將一個 10-V 實驗室電源連 接到 TPS5420 降壓穩(wěn)壓器,其與 一個5.3-V 輸出連接,像“實驗 2”連接 ADS5483 一樣。TPS79501 生成了一個過濾后的 5.0-V 電壓軌,其向 3.3-V 輸出和 1.8-V 輸出 LDO 提供輸入,如圖 10所示。 實驗 8—所有 3.3-VVDDA 電壓軌 LDO 均被繞過。TPS5420 配置為一個 3.3-V 輸出,該輸出直接連接到 3.3-VVDDA 電壓軌。TPS79601 生成 1.8-VDVDD 電壓軌, 并通過一個外部 5-V 實驗室電源供電。
實驗 9—該實驗配置方法與“實驗 8”相同,但去除了 TPS5420 輸出的 RC 緩 沖器電路。 實驗 10—一個 4-Ω 功率電阻連接到 TPS5420 的 3.3-V 輸出。這樣做可極大地 增加 TPS5420 的輸出電流,從而模擬一個附加負載。另外,像“實驗 5”的ADS5483 一樣,它帶來了更高的開關雜散和更多的振鈴。
圖 11 顯示了“實驗 7”、“實驗 8”和“實驗 9”產(chǎn)生的一些 3.3-VVDDA 輸出波 形。有或無 LDO 的峰值電壓振幅存在一些差異,但 RC 緩沖器可降低 60% 的 峰值噪聲。
實驗 9—該實驗配置方法與“實驗 8”相同,但去除了 TPS5420 輸出的 RC 緩 沖器電路。 實驗 10—一個 4-Ω 功率電阻連接到 TPS5420 的 3.3-V 輸出。這樣做可極大地 增加 TPS5420 的輸出電流,從而模擬一個附加負載。另外,像“實驗 5”的ADS5483 一樣,它帶來了更高的開關雜散和更多的振鈴。
圖 11 顯示了“實驗 7”、“實驗 8”和“實驗 9”產(chǎn)生的一些 3.3-VVDDA 輸出波 形。有或無 LDO 的峰值電壓振幅存在一些差異,但 RC 緩沖器可降低 60% 的 峰值噪聲。
圖 11 鐵氧體磁珠后測得 3.3-VVDDA 電壓軌實驗示波器截圖對比
測量結果 利用輸入信號頻率掃描,通過對比“實驗 6”到“實驗 10”,我們可以研究ADS6148 對電源噪聲的敏感性。先使用 135 MSPS 然后使用 210 MSPS 的采樣速率 (fs) 對三個 ADS6148EVM 進行數(shù)次實驗。我們沒有探測到有較大的性能差異。
使用 135-MSPS 采樣速率,SNR 和 SFDR 的頻率掃描如圖 12 所示。高達300MHz 輸入頻率下 SNR 的最大變化為 0.1 到 0.2dB。但是,一旦移除了 RC緩沖器電路,噪聲便極大增加,從而降低 SNR 約 0.5 到 1dB。圖 12b 顯示了 5 次 ADS6148 實驗輸入頻率的 SFDR 變化。我們沒有觀測到 較大的性能降低。
使用 135-MSPS 采樣速率,SNR 和 SFDR 的頻率掃描如圖 12 所示。高達300MHz 輸入頻率下 SNR 的最大變化為 0.1 到 0.2dB。但是,一旦移除了 RC緩沖器電路,噪聲便極大增加,從而降低 SNR 約 0.5 到 1dB。圖 12b 顯示了 5 次 ADS6148 實驗輸入頻率的 SFDR 變化。我們沒有觀測到 較大的性能降低。
圖 12 10 到 300MHz 的輸入頻率掃描
對比圖 13 所示 FFT 圖,我們知道了無 RC 緩沖器 SNR 稍微減少的原因。去 除 RC 緩沖器電路后,在 ADS6148 輸出能譜中,我們可以看到分布間隔約為500kHz(TPS5420 開關頻率)的眾多小雜散,如圖 13 所示。相比 ADS5483, 這些小雜散更占主導,并且因為 ADS6148 的固有低 PSRR SNR 大大降低。但 是,圖 13 所示 FFT 圖還表明添加的 RC 緩沖器電路較好地彌補了這一不足。
圖 13 大批雜散的 65k 點 FFT 圖
圖 14 所示標準化 FFT 圖表明開關穩(wěn)壓器的雜散高出 ADC 平均噪聲層約 5 到 6dB。其非常低,以至于其對 SFDR 減少無法產(chǎn)生影響,但卻明顯地影響了 ADC 的 SNR。
圖 14 標準化 FFT 圖表明使用 RC 緩沖器的好處