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RTD 電阻溫度特性建模
為了獲得線性響應(yīng)，我們期望靈敏度曲線在感興趣的溫度范圍內(nèi)變化。RTD 和熱電偶都不是完美的線性；然而，RTD 往往提供更線性的響應(yīng)。在上面的示例中，RTD 的靈敏度從 0 °C 到 800 °C 變化約 25%，而熱電偶的塞貝克系數(shù)變化約 83%。
2023-07-18
RTD 電阻 建模
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加倍并減輕 PWM 的濾波要求
經(jīng)典脈寬調(diào)制器 (PWM) 發(fā)出 H 個連續(xù)邏輯高電平（1），后跟 L 個連續(xù)邏輯低電平（0）的重復(fù)序列。每個高電平和低電平持續(xù)一個時鐘周期 T = 1/F (Hz)。結(jié)果的占空比可定義為 H/N，其中 N = H+L 時鐘周期。N 通常是 2 的冪，但 N 可以是任何大于 0 的整數(shù)。
2023-07-18
PWM 濾波
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設(shè)計用于音頻應(yīng)用的LLC諧振轉(zhuǎn)換器
對于設(shè)計人員來說，音頻領(lǐng)域的功率轉(zhuǎn)換設(shè)計是一個真正的技術(shù)挑戰(zhàn)，因為峰值負(fù)載可能遠(yuǎn)高于均方根(RMS)功率要求。他們必須在散熱要求、解決方案的尺寸和重量、成本，當(dāng)然還有效率之間取得一個最佳平衡。
2023-07-18
音頻應(yīng)用 LLC諧振轉(zhuǎn)換器
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IBM陳旭東：人工智能引領(lǐng)技術(shù)創(chuàng)新，推動企業(yè)高質(zhì)量發(fā)展
6月15日至17日，由商務(wù)部、科學(xué)技術(shù)部、國家知識產(chǎn)權(quán)局和上海市政府共同主辦的第九屆中國（上海）國際技術(shù)進(jìn)出口交易會（以下簡稱"上交會"）在上海世博展覽館舉辦。IBM大中華區(qū)董事長、總經(jīng)理陳旭東應(yīng)邀出席開幕論壇，并作主旨演講。他認(rèn)為，未來十年，人類的生產(chǎn)生活將進(jìn)入全新的人機協(xié)同時代。在...
2023-07-18
IBM 人工智能
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PFC電路：死區(qū)時間理想值的考量
由于該電路是進(jìn)行同步整流工作的電路，所以我們通過仿真來探討高邊（HS）和低邊（LS）SiC MOSFET SCT2450KE的死區(qū)時間理想值，即不直通的最短時間。死區(qū)時間可以通過仿真工具的PWM控制器參數(shù)TD1（HS）和TD2（LS）來分別設(shè)置。
2023-07-18
PFC電路 死區(qū)時間 理想值
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用時鐘頻率精度測量電路進(jìn)行時間校驗
】瑞薩RA系列微控制器上有一些外設(shè)如DLC、ELC等，它們可以幫你創(chuàng)建完整的自主子系統(tǒng)，管理微控制器應(yīng)用中的許多典型的常規(guī)維護(hù)和I/O密集型任務(wù)。這種基本任務(wù)的自動化可以大大減少CPU需求時間，減少需要服務(wù)的中斷數(shù)量，而且通?？梢燥@著降低系統(tǒng)功耗。
2023-07-18
時鐘頻率 精度測量 時間校驗
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了解這些 就可以搞懂 IGBT
絕緣柵雙極晶體管（IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種三端功率半導(dǎo)體器件，主要用作電子開關(guān)，在較新的器件中以結(jié)合高效和快速開關(guān)而聞名。IGBT通過在單個器件中組合用于控制輸入的隔離柵極FET和作為開關(guān)的雙極功率晶體管，將MOSFET的簡單柵極驅(qū)動特性與雙極晶體管的高電流和低飽和...
2023-07-18
工作原理 IGBT
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