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如何利用碳化硅打造下一代固態(tài)斷路器
如今，碳化硅 (SiC) 器件在電動汽車 (EV) 和太陽能光伏 (PV) 應(yīng)用中帶來的性能優(yōu)勢已經(jīng)得到了廣泛認(rèn)可。不過，SiC 的材料優(yōu)勢還可能用在其他應(yīng)用中，其中包括電路保護領(lǐng)域。本文將回顧該領(lǐng)域的發(fā)展，同時比較機械保護和使用不同半導(dǎo)體器件實現(xiàn)的固態(tài)斷路器 (SSCB) 的優(yōu)缺點。最后，本文還將討論為什...
2024-03-05
碳化硅 固態(tài)斷路器
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使用大面積分析提升半導(dǎo)體制造的良率
設(shè)計規(guī)則檢查 (DRC) 技術(shù)用于芯片設(shè)計，可確保以較高的良率制造出所需器件。設(shè)計規(guī)則通常根據(jù)所使用設(shè)備和工藝技術(shù)的限制和變異性制定。DRC可確保設(shè)計符合制造要求，且不會導(dǎo)致芯片故障或DRC違規(guī)。常見的DRC規(guī)則包括最小寬度和間隔要求、偏差檢查以及其他規(guī)格，以避免在制造過程中出現(xiàn)短路、斷路、...
2024-03-05
半導(dǎo)體制造 芯片
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你準(zhǔn)備好迎接新興汽車?yán)走_(dá)衛(wèi)星架構(gòu)了嗎？
隨著全球新車安全評鑒協(xié)會的安全等級和法規(guī)對主動安全功能的要求日益嚴(yán)格，安全性已成為當(dāng)今車輛的一項不可或缺的特性。全球汽車制造商不斷增強其車輛內(nèi)的高級駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS) 功能（包括自動緊急制動 (AEB)、自適應(yīng)巡航控制 (ACC) 和高級車道居中），從而滿足這些安全要求并致力于實現(xiàn)更高水平...
2024-03-05
汽車?yán)走_(dá) 衛(wèi)星架構(gòu)
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SEMICON專題直播預(yù)告|一起聊聊半導(dǎo)體測試
2024年3月20日，全球最大規(guī)模半導(dǎo)體嘉年華——SEMICON China 2024將在上海新國際博覽中心盛大啟幕，作為半導(dǎo)體測試領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，加速科技即將重裝亮相此次盛會（N2館N2327）。
2024-03-05
SEMICON
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如何幫助提高混合動力汽車/電動汽車電池斷開系統(tǒng)的安全性和效率
對于混合動力汽車 (HEV) 和電動汽車 (EV)，電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的配電系統(tǒng)可為車輛的核心功能供電，還可提供安全斷開高電壓或高電流事件的機制。隨著對更高電壓、電流、效率和可靠性的需求持續(xù)增長，配電系統(tǒng)的兩個核心組件（高壓繼電器和斷開保險絲）面臨越來越多的設(shè)計挑戰(zhàn)。圖 1 展示了高壓繼...
2024-03-04
電爆驅(qū)動器 接觸器 汽車 電動汽車 電池
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大算力時代, 如何打破內(nèi)存墻
近年來，人工智能應(yīng)用正經(jīng)歷一輪快速的發(fā)展與普及，而以ChatGPT等先進的大模型技術(shù)在此過程中起到了關(guān)鍵作用。這些模型對計算能力的需求不斷攀升，催生了AI芯片設(shè)計的不斷革新，進入了大算力時代。
2024-03-04
大算力 內(nèi)存
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輕松了解功率MOSFET的雪崩效應(yīng)
在關(guān)斷狀態(tài)下，功率MOSFET的體二極管結(jié)構(gòu)的設(shè)計是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場使得漏極和源極端子之間有大量電流流動。典型的阻斷狀態(tài)漏電流在幾十皮安到幾百納安的數(shù)量級。
2024-03-04
功率MOSFET 雪崩效應(yīng)
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