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肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬－半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此，SBD也稱為金屬－半導(dǎo)體（接觸）二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。

應(yīng)用在電源管理中的肖特基二極管

很多設(shè)計(jì)都采用一個(gè)轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)（網(wǎng)絡(luò)）工具推薦的二極管。這并非總是二極管的最優(yōu)選擇。本文將探討一些在選擇正確的二極管時(shí)應(yīng)仔細(xì)考慮的典型參數(shù)，以及如何應(yīng)用這些參數(shù)來快速確定選型的正確與否。詳細(xì)閱讀>>

內(nèi)置肖特基二極管的MOSFET可提高應(yīng)用性能

當(dāng)一個(gè)功率MOSFET被用在電橋拓?fù)浠蛴米麟娫炊蝹?cè)同步整流時(shí)，體漏二極管的特性及質(zhì)量因子將變得非常重要。當(dāng)需要Qrr數(shù)值很低的軟反向恢復(fù)時(shí)，集成肖特基二極管的新60V"F7"功率MOSFET確保能效和換向性能更加出色。詳細(xì)閱讀>>

采用額外的肖特基二極管減少干擾

在負(fù)載點(diǎn)(POL)降壓轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域，同步變化的高邊和低邊有源開關(guān)已被廣泛使用。圖1顯示了具有理想開關(guān)的此類電路。與使用無源肖特基二極管作為低邊開關(guān)的架構(gòu)相比，此類開關(guān)穩(wěn)壓器具有多項(xiàng)優(yōu)勢。主要優(yōu)勢是電壓轉(zhuǎn)換效率更高，因?yàn)榕c采用無源二極管的情況相比，低端開關(guān)承載電流時(shí)的壓降更低。詳細(xì)閱讀>>

碳化硅肖特基二極管的設(shè)計(jì)與優(yōu)化

碳化硅（SiC）具有寬禁帶、高熱導(dǎo)率等優(yōu)良的材料特性，在中高壓功率半導(dǎo)體器件制造中得到了廣泛的應(yīng)用。目前，肖特基二極管、mosfet和jfet是市場上最流行的SiC功率器件。特別是sic schottky二極管已經(jīng)成功地應(yīng)用于電力領(lǐng)域近20年。最早的SiC肖特基二極管采用純肖特基勢壘二極管（SBD）結(jié)構(gòu)。后來，這種結(jié)構(gòu)演變成一種結(jié)勢壘肖特基（JBS）具有低反向泄漏電流。最新的結(jié)構(gòu)被稱為合并PN肖特基...詳細(xì)閱讀>>

如何提高4H-SiC肖特基二極管和MOSFET的雪崩耐受性

半導(dǎo)體市場的最新趨勢是廣泛采用碳化硅（SiC）器件，包括用于工業(yè)和汽車應(yīng)用的肖特基勢壘二極管（SBD）和功率MOSFET。與此同時(shí)，由于可供分析的現(xiàn)場數(shù)據(jù)有限，這些器件的長期可靠性成為一個(gè)需要解決的熱點(diǎn)問題。一些SiC供應(yīng)商已開始根據(jù)嚴(yán)格的工業(yè)和汽車（AEC-Q101）標(biāo)準(zhǔn)來認(rèn)證SiC器件，而另一些供應(yīng)商不但超出了這些認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)的要求，還能為惡劣環(huán)境耐受性測試提供數(shù)據(jù)...詳細(xì)閱讀>>

肖特基二極管引腳辨別方法

電阻元件接入電路可不分極性，但是肖特基二極管是有極性的，而且它必須正確安裝。肖特基二極管如果安裝不正確不僅會(huì)破壞它本身，就可能會(huì)破壞電路其他許多零件。因此，懂得辨別肖特基二極管引腳的方法顯得特別重要。詳細(xì)閱讀>>

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UnitedSiC推出新型結(jié)壘肖特基二極管

10月26日消息，美國SiC功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC日前宣布推出四款新型結(jié)壘肖特基(JBS)二極管，以補(bǔ)充其FET和JFET晶體管產(chǎn)品。UJ3D 1200V和1700V器件號(hào)稱具有業(yè)界最佳的浪涌電流性能，是該公司第3代SiC Merged-PiN-Schottky（MPS）二極管的一部分。詳細(xì)閱讀>>

意法半導(dǎo)體推出薄型貼裝肖特基二極管

意法半導(dǎo)體新推出26款封裝采用薄型SMA和SMB扁平封裝、額定電壓25-200V、額定電流1-5A的肖特基二極管。新二極管的厚度是1.0mm，比標(biāo)準(zhǔn)SMA和SMB封裝產(chǎn)品薄50％，讓設(shè)計(jì)人員能夠在提高功率密度的同時(shí)節(jié)省空間。封裝面積與標(biāo)準(zhǔn)SMA和SMB相同，可直接插入...詳細(xì)閱讀>>

聯(lián)合碳化硅擴(kuò)大肖特基二極管產(chǎn)品組合

碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體的領(lǐng)先制造商美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司（UnitedSiC）宣布，將推出四種新型結(jié)勢壘肖特基（JBS）二極管，以補(bǔ)充FET和JFET晶體管產(chǎn)品。新推出的UJ3D 1200V和1700V器件具有業(yè)界更佳的浪涌電流性能，是UnitedSiC第三代SiC混合式PiN...詳細(xì)閱讀>>

肖特基（Schottky）二極管的最大特點(diǎn)是正向壓降 VF 比較小。在同樣電流的情況下，它的正向壓降要小許多。另外它的恢復(fù)時(shí)間短。它也有一些缺點(diǎn)：耐壓比較低，漏電流稍大些。選用時(shí)要全面考慮。