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功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，即MOSFET，其原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體），F(xiàn)ET（Field Effect Transistor場(chǎng)效應(yīng)晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場(chǎng)的效應(yīng)來(lái)控制半導(dǎo)體（S）的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

RF功率MOSFET產(chǎn)品及其工藝開(kāi)發(fā)

RF 功率 MOSFET的最大應(yīng)用是無(wú)線通訊中的RF功率放大器。直到上世紀(jì)90年代中期，RF功率MOSFET還都是使用硅雙極型晶體管或GaAs MOSFET。到90年代后期，的出現(xiàn)改變了這一狀況。和硅雙極型晶體管或GaAs MOSFET相比較，硅基LDMOSFET有失真小、線性度好、成本低的優(yōu)點(diǎn)，成為目前RF 功率 MOSFET的主流技術(shù)。詳細(xì)閱讀>>

使用功率MOSFET封裝技術(shù)解決計(jì)算應(yīng)用的高功耗問(wèn)題

對(duì)于主板設(shè)計(jì)師來(lái)說(shuō)，要設(shè)計(jì)處理器電壓調(diào)節(jié)模塊(VRM)來(lái)滿足計(jì)算機(jī)處理器永無(wú)止境的功率需求實(shí)在是個(gè)大挑戰(zhàn)。Pentium 4處理器要求VRM提供的電流提高了約3倍。英特爾將其VRM指標(biāo)從8.4版本升級(jí)到9.0版本，涵蓋了新的功率要求，以繼續(xù)追隨摩爾(Moore)定律。詳細(xì)閱讀>>

英飛凌聯(lián)手Schweizer開(kāi)發(fā)出新技術(shù)芯片嵌入式功率MOSFET

英飛凌科技股份公司聯(lián)合Schweizer電子股份公司成功開(kāi)發(fā)出面向輕度混合動(dòng)力汽車(chē)的新技術(shù)：芯片嵌入式功率MOSFET。它將顯著提升48 V系統(tǒng)的性能，同時(shí)降低它們的復(fù)雜度。大陸集團(tuán)動(dòng)力總成事業(yè)群將是首家采用這項(xiàng)技術(shù)的企業(yè)。詳細(xì)閱讀>>

Vishay推出汽車(chē)級(jí)p溝道TrenchFET功率MOSFET

Vishay推出新款30V和40V汽車(chē)級(jí)p溝道TrenchFET?功率MOSFET---SQJ407EP和SQJ409EP，采用鷗翼引線結(jié)構(gòu)PowerPAK? SO-8L封裝，有效提升板級(jí)可靠性。SQJ407EP和SQJ409EP通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證，占位面積比DPAK封裝器件減小50%以上，節(jié)省PCB空間并降低成本，同時(shí)導(dǎo)通電阻低于任何鷗翼引線結(jié)構(gòu)5mm x 6mm封裝MOSFET。詳細(xì)閱讀>>

理解功率MOSFET的RDS(ON)溫度系數(shù)特性

通常，許多資料和教材都認(rèn)為，MOSFET的導(dǎo)通電阻具有正的溫度系數(shù)，因此可以并聯(lián)工作。當(dāng)其中一個(gè)并聯(lián)的MOSFET的溫度上升時(shí)，具有正的溫度系數(shù)導(dǎo)通電阻也增加，因此流過(guò)的電流減小，溫度降低，從而實(shí)現(xiàn)自動(dòng)的均流達(dá)到平衡。同樣對(duì)于一個(gè)功率MOSFET器件，在其內(nèi)部也是有許多小晶胞并聯(lián)而成，晶胞的導(dǎo)通電阻具有正的溫度系數(shù)，因此并聯(lián)工作沒(méi)有問(wèn)題。詳細(xì)閱讀>>

12個(gè)大功率MOSFET基于逆變焊機(jī)的應(yīng)用與評(píng)測(cè)

逆變焊機(jī)的電路結(jié)構(gòu),一般是采用整流--逆變--再整流的過(guò)程,即交流--直流--交流.由于逆變過(guò)程中工作頻率高,因此控制過(guò)程的動(dòng)態(tài)特性統(tǒng)計(jì)局到提高,焊機(jī)的體積小,重量輕。詳細(xì)閱讀>>

經(jīng)典案例

功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器提供了車(chē)載照明保護(hù)與控制

一支白熾燈泡中鎢絲的電阻可隨著溫度的變化產(chǎn)生超過(guò) 1:10 比率的變化。為了防止元件過(guò)熱，以及長(zhǎng)時(shí)間使用而造成的元件性能下降，一款具有可編程短路和過(guò)電流調(diào)節(jié)的電子開(kāi)關(guān)就顯得極為有用。一旦檢測(cè)到有過(guò)電流情況發(fā)生，標(biāo)準(zhǔn)及自恢復(fù) (re-settable) 保險(xiǎn)絲就會(huì)中斷負(fù)載電源，并且可能會(huì)用一個(gè)長(zhǎng)短不定的時(shí)間來(lái)進(jìn)行復(fù)位。與此不同的是，可以對(duì)一個(gè)電子開(kāi)關(guān)進(jìn)行編程來(lái)更具預(yù)見(jiàn)性地做出反應(yīng)。詳細(xì)閱讀>>

精確測(cè)量功率MOSFET的導(dǎo)通電阻

電阻值的測(cè)量通常比較簡(jiǎn)單。但是，對(duì)于非常小阻值的測(cè)量，我們必須謹(jǐn)慎對(duì)待我們所做的假定。對(duì)于特定的幾何形狀，如電線，Kelvin方法是非常精確的?？梢允褂妙?lèi)似的方法來(lái)測(cè)量均勻樣本的體電阻率和面電阻率，但是所使用的公式不同。在這些情況下，必須考慮探針間距和樣本厚度。僅僅運(yùn)用Kelvin法本身無(wú)法保證精度。如果布局和連接數(shù)發(fā)生變化，就很難精確地預(yù)測(cè)非均勻幾何形狀的電阻。詳細(xì)閱讀>>

各種開(kāi)關(guān)電源功率MOSFET損壞的原因和形態(tài)

工程師們將損壞的功率MOSFET送到半導(dǎo)體原廠做失效分析后，得到的結(jié)論通常是過(guò)電性應(yīng)力EOS，卻無(wú)法判斷是什么原因?qū)е翸OSFET的損壞。功率MOSFET損壞有哪些原因和形態(tài)？一牛人拍下了功率MOSFET不同損壞形態(tài)的失效分析圖片，結(jié)合功率MOSFET管的工作特性，系統(tǒng)的分析開(kāi)關(guān)電源功率MOSFET各種損壞模式，還給出了測(cè)試過(guò)電流和過(guò)電壓的電路圖哦。詳細(xì)閱讀>>

近年來(lái)，功率MOSFET廣泛地應(yīng)用于電源、計(jì)算機(jī)及外設(shè)（軟、硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器、打印機(jī)、掃描器等）、消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品、通信裝置、汽車(chē)電子及工業(yè)控制等領(lǐng)域。