為了限制本討論的范圍,請考慮采用同步降壓轉(zhuǎn)換器拓?fù)涞腗OSFET選擇方法,該方法適用于PC主板和電信應(yīng)用的DC / DC轉(zhuǎn)換器。為特定應(yīng)用尋找合適的MOSFET涉及最小化損耗并了解這些損耗如何取決于開關(guān)頻率,電流,占空比以及開關(guān)上升和下降時(shí)間。此信息指導(dǎo)選擇工具開發(fā)。
鑒于現(xiàn)有的MOSFET選擇范圍廣泛,以及為主板電源分配的不斷縮小的空間,使用可靠,一致的方法選擇正確的MOSFET變得越來越重要。這種方法可以加速開發(fā)周期,同時(shí)優(yōu)化特定于應(yīng)用的設(shè)計(jì)。詳細(xì)閱讀>>
“MOSFET”是英文metal-oxide-semiconductorfieldeffecttransistor的縮寫,意即“金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管”。小信號MOSFET主要用于模擬電路的信號放大和阻抗變換,但也可應(yīng)用于開關(guān)或斬波。功率MOSFET除少數(shù)應(yīng)用于音頻功率放大器,工作于線性范圍,大多數(shù)用作開關(guān)和驅(qū)動器,工作于開關(guān)狀態(tài),耐壓從幾十伏到上千伏,工作電流可達(dá)幾安培到幾十安培。功率MOSFET都是增強(qiáng)型MOSFET,它具有優(yōu)良的開關(guān)特性。
?
功率MOSFET工作在線性區(qū)用來限制電流,VGS電壓低,通常在負(fù)溫度系數(shù)區(qū),局部單元過熱導(dǎo)致其流過更大的電流,結(jié)果溫度更高,從而形成局部熱點(diǎn)導(dǎo)致器件損壞,這樣就形成一個(gè)熱電不穩(wěn)定性區(qū)域ETI (Electro Thermal Instability),發(fā)生于VGS低于溫度系數(shù)為0(ZTC)的負(fù)溫度系數(shù)區(qū)。詳細(xì)閱讀>>
?
以下將詳細(xì)介紹功率MOSFET最基礎(chǔ)的知識,包括:什么是MOSFET,MOSFET的結(jié)構(gòu)、工作原理、基本特性、幾個(gè)常用參數(shù)、選型原則等,保證大家看完就懂!詳細(xì)閱讀>>
?
意法半導(dǎo)體最先進(jìn)的40V功率MOSFET可以完全滿足EPS (電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng))和EPB (電子駐車制動系統(tǒng)) 等汽車安全系統(tǒng)的機(jī)械、環(huán)境和電氣要求。 這些機(jī)電系統(tǒng)必須符合汽車AEC Q101規(guī)范,具體而言,低壓MOSFET必須耐受高溫和高尖峰電流。詳細(xì)閱讀>>
?
通信設(shè)備和服務(wù)器中,在插入和拔出電路板和板卡進(jìn)行維修或者調(diào)整容量時(shí),系統(tǒng)必須能夠保持正常工作。當(dāng)后級的電路板和板卡接入前級電源系統(tǒng)時(shí),由于后級電路輸入端帶有大的濾波電容,那么,在上電的瞬間電容相當(dāng)于短路,大的電容充電電流和負(fù)載電流一起作用,產(chǎn)生大的浪涌電流,同時(shí)大的浪涌電流導(dǎo)致高的電流和電壓變化率,對系統(tǒng)產(chǎn)生一系列的安全問題。詳細(xì)閱讀>>
?
功率場效應(yīng)晶體管由于承受短時(shí)過載的能力較弱,使其應(yīng)用受到一定的限制。本文分析了MOSFET器件驅(qū)動與保護(hù)電路的設(shè)計(jì)要求,計(jì)算了MOSFET驅(qū)動器的功耗及MOSFET驅(qū)動器與MOSFET的匹配之后,在此基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)了基于IR2130驅(qū)動模塊的MOSFET驅(qū)動保護(hù)電路。該電路具有結(jié)構(gòu)簡單,實(shí)用性強(qiáng),響應(yīng)速度快等特點(diǎn)。在驅(qū)動無刷直流電機(jī)的應(yīng)用中證明,該電路驅(qū)動能力及保護(hù)功能效果良好。詳細(xì)閱讀>>
?
以下將本文介紹的di/dt、dV/dt分開單獨(dú)控制方法,不僅適用于負(fù)載開關(guān),還廣泛用于電機(jī)控制功率MOSFET或IGBT驅(qū)動電路。詳細(xì)閱讀>>
?
功率MOSFET的結(jié)溫影響器件許多工作參數(shù)及使用壽命,數(shù)據(jù)表中提供了一些基本的數(shù)據(jù)來評估電路中功率MOSFET的結(jié)溫。本文主要來說明MOSFET的穩(wěn)態(tài)和動態(tài)熱阻的測量方法,以及它們的限制條件。詳細(xì)閱讀>>
?
功率MOSFET有三個(gè)工作狀態(tài),在漏極導(dǎo)通特性曲線上,對應(yīng)的是三個(gè)工作區(qū):截止區(qū),線性區(qū)和可變電阻區(qū)。注意到:MOSFET的線性區(qū)有時(shí)也稱為:恒流區(qū)或飽和區(qū)。詳細(xì)閱讀>>
?
使用功率MOSFET也有兩年多時(shí)間了,這方面的技術(shù)文章看了不少,但實(shí)際應(yīng)用選型方面的文章不是很多。在此,根據(jù)學(xué)到的理論知識和實(shí)際經(jīng)驗(yàn),和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。詳細(xì)閱讀>>
近年來,功率MOSFET廣泛地應(yīng)用于電源、計(jì)算機(jī)及外設(shè)(軟、硬盤驅(qū)動器、打印機(jī)、掃描器等)、消費(fèi)類電子產(chǎn)品、通信裝置、汽車電子及工業(yè)控制等領(lǐng)域。
關(guān)于我們 | About Us | 聯(lián)系我們 | Contact Us | 隱私政策 | 版權(quán)申明 | 投稿信箱 | 網(wǎng)站地圖
Copyright ? m.forexsooq.com? All Rights Reserved
電子元件技術(shù)網(wǎng) 版權(quán)所有 ??粵ICP備10202284號??粵ICP證B2-20090022
未經(jīng)版權(quán)所有人明確的書面許可,不得以任何方式或媒體翻印或轉(zhuǎn)載本網(wǎng)站的部分或全部內(nèi)容。