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300144Z/5Z:Vishay兩款新型超高精度Z箔分壓器電阻
日前,Vishay推出兩款新型超高精度Z箔分壓器電阻300144Z 和 300145Z。典型應用將包括以下設備中的高精度儀表放大器、橋接網(wǎng)絡及差分放大器:熱穩(wěn)定性、響應時間及長期穩(wěn)定性均至關重要的高端醫(yī)療、軍事、航空、自動測試及井下鉆探設備。
2009-02-11
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富士通開發(fā)出適用于功率放大器的CMOS邏輯高壓晶體管
富士通微電子(上海)有限公司近日宣布,富士通實驗室和富士通株式會社聯(lián)合開發(fā)出一款具有高擊穿電壓并基于邏輯制程的CMOS高壓晶體管,該晶體管適用于無線設備的功率放大器。作為先進科技的先驅(qū),富士通開發(fā)完成了世界上第一代基于45納米工藝的CMOS晶體管,能夠處理10V功率輸出,這使得晶體管能夠處理用于WiMAX和其它高頻應用的功率放大器的高輸出要求。這一新技術(shù)能夠?qū)⒐δ?span id="ywwaibm" class='red'>放大器和CMOS邏輯控制電路在同一塊芯片上集成,可實現(xiàn)單芯片的工作模式,從而使生產(chǎn)出高性能和低功耗的功能放大器成為可行。
2009-01-02
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抗混淆濾波器放大器的選擇
文主要研究如何為一個有源低通濾波器電路選擇正確的運算放大器,提出了幾點指南:使用任一種拓撲結(jié)構(gòu)時考慮增益帶寬乘積和轉(zhuǎn)換速率;確定截止頻率;評估放大器的轉(zhuǎn)換速率的影響;考慮輸入共模電壓范圍和輸入偏置電流等。
2008-11-01
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視頻有源濾波器的特性及設計分析
視頻濾波器是一個無源的LC電路,現(xiàn)在,將放大器與RC濾波器結(jié)合起來,可以獲得尺寸更小、更高效的設計。此外,二十世紀60年代發(fā)展起來的靈敏度分析與預失真方法也克服了早期濾波器性能較差的弱點。高性能運放和PC上的專用軟件方便了寬帶有源濾波器的設計,但這并未解決任意特定應用的問題。本文主要介紹了兩類主要的視頻應用以及有源視頻濾波器設計中遇到的實際問題。
2008-11-01
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視頻放大器/濾波器的模擬要求和實施
為什么模擬視頻要使用過濾技術(shù)呢?如前所述,將模擬視頻信號與數(shù)字視頻信號相互轉(zhuǎn)換是很常見的。本文主要介紹了無源濾波器和有源濾波器的比較以及視頻放大器/濾波器的電源電壓、功耗、信號耦合等方面的模擬要求和實施方法。
2008-11-01
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開關電容梳狀濾波器幅頻特性的深入分析
將開關電容電路與運算放大器結(jié)合,組成的開關電容有源濾波器具有很多奇特的性質(zhì),但由于引入了電子開關,對電路特性進行嚴密分析變得異常困難,目前已有的分析方法都只是在一定條件下從一個側(cè)面進行近似分析,本文立足于最基本的電路理論,借助計算機系統(tǒng)對其進行復雜而嚴格的分析計算,最終得到了具有普遍意義的結(jié)論,上述文獻的結(jié)果只是該普遍性結(jié)論的特例。
2008-11-01
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抑制耳機放大器RF噪音的兩種方法
本文主要討論抑制耳機放大器RF噪音的方法,提出了兩種方法:通過屏蔽并縮短輸入信號引線降低輸入放大器的RF能量;選擇具有RF抑制功能的放大器,使耦合到輸出端的噪聲最小。并以GSM手機為例具體闡釋了這兩種方法的實現(xiàn)。
2008-10-23
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晶閘管直流穩(wěn)壓器的過流和短路保護
本文描述了在擯棄電流采樣、放大和執(zhí)行等多個環(huán)節(jié)的情況下,將單結(jié)晶體管移相觸發(fā)器中的晶體管誤差放大器改為集成運算放大器,就可實現(xiàn)晶閘管直流穩(wěn)壓器的過流及短路保護,簡化了電路結(jié)構(gòu),并提高了整機的穩(wěn)定可靠性能和AC - DC變換效率。
2008-10-16
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單電源運算放大器的偏置與去耦電路設計
目前在許多手持設備、汽車以及計算機等設備只用單電源供電,但是單電源容易出現(xiàn)不穩(wěn)定問題,因此需要在電路外圍增加輔助器件以提高穩(wěn)定性。在這樣的電路中有一些嚴重的局限性。 本文介紹單電源運算放大器的偏置與去耦電路設計的方法解決這些問題。
2008-10-14
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大功率寬帶射頻脈沖功率放大器設計
利用MOS場效應管(MOSFET),采取AB類推挽式功率放大方式,采用傳輸線變壓器寬帶匹配技術(shù),設計出一種寬頻帶高功率射頻脈沖功率放大器模塊,其輸出脈沖功率達1200W,工作頻段0.6M~10MHz。調(diào)試及實用結(jié)果表明,該放大器工作穩(wěn)定,性能可靠。
2008-10-13
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運放式射頻放大器
本文詳細介紹了放大器的基本拓撲和參數(shù),如果價格可以接受的話,運放,特別是CFB運放非常適合射頻設計。
2008-10-12
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1.9GHz基站前端射頻LNA仿真與實現(xiàn)研究
本文給出了基于E-pHEMT管ATF-54143和混合耦合器2A1306-3的射頻低噪聲放大器的設計。E-pHEMT管的低噪聲系數(shù)和高OIP3使它在高動態(tài)范圍電路設計上具有很大的優(yōu)勢,并且該放大器的技術(shù)指標達到了CDMA基站的接收前端對低噪聲放大器的規(guī)范要求,具有很好的應用前景。
2008-10-12
- 意法半導體與英諾賽科簽署氮化鎵技術(shù)開發(fā)與制造協(xié)議
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