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LabMaster 10 Zi：力科推出60GHz實時帶寬示波器
力科公司近日宣布了使用在最新LabMaster 10 Zi系列示波器上的最高帶寬36GHz和最高采樣率80GS/s的芯片組技術(shù)。領先的芯片技術(shù)表示力科能夠提供遠遠高于業(yè)內(nèi)其它示波器廠家能夠提供的專業(yè)技術(shù)能力。當結(jié)合使用力科的數(shù)字帶寬交插復用(DBI)專利技術(shù)以及通道同步(ChannelSync)結(jié)構(gòu)專利技術(shù)時，力科能夠提供空前的帶寬密度——5倍于同類產(chǎn)品的通道數(shù)量、更高的基于芯片技術(shù)的帶寬、使用DBI技術(shù)則可達到近似兩倍的芯片級帶寬，而價格卻和性能相差甚遠的產(chǎn)品相當。
2012-01-06
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2020年墨西哥智能電網(wǎng)市場將累計達到83億美元
近期NortheastGroup公司發(fā)布了墨西哥2011～2020年智能電網(wǎng)市場的預測報告。報告顯示，墨西哥未來幾年智能電網(wǎng)將會得到極大地發(fā)展，得益于政府刺激性措施和強烈的市場需求，截至2020年墨西哥的智能電網(wǎng)市場將累計達到83億美元。在拉丁美洲地區(qū)，墨西哥在智能電網(wǎng)的潛力僅次于巴西。
2012-01-06
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新型無源無損軟開關Boost變換器的原理分析
對于PWM變換器，無源軟開關通過降低有源開關的di/dt和dv/dt來實現(xiàn)零電流導通和/或零電壓關斷，以減少開關損耗。本文對其中的一種合成新型軟開關Boost變換器的工作原理及參數(shù)選擇進行了分析，給出理論波形和仿真波形，并對其進行分析。
2012-01-05
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SIM卡連接器
用戶確認模塊即SIM卡（Subscriber Identification Module Card）是GSM（Global System for Mobile communication ）數(shù)字移動通信系統(tǒng)的手機（移動臺）中的重要部份。
2012-01-03
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STW88N65M5：ST 推出MDmesh V功率MOSFET晶體管
意法半導體推出打破高壓功率MOSFET晶體管世界記錄的MDmesh V功率MOSFET晶體管。MDmesh V系列已是市場 上性能最高的功率MOSFET晶體管，擁有最低的單位面積通態(tài)電阻，在650V額定電壓應用中可實現(xiàn)最高的能效和功率密度；現(xiàn)在新產(chǎn)品的推出又將重要的能效指標提高23%以上，對于以熱量形式損耗電能的系統(tǒng)功率轉(zhuǎn)換電路，如電子照明控制器、消費電子電源和太陽能光電轉(zhuǎn)換器，新產(chǎn)品的成功推出在節(jié)能技術(shù)領域是一次巨大飛躍。
2011-12-30
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NTST30100CTG：安森美推出低正向壓降肖特基整流器用于筆記本適配器
安森美半導體(On semi)推出新系列的100伏(V)溝槽型低正向壓降肖特基整流器(LVFR)——NTST30100CTG、NTST20100CTG及NTSB20U100CTG等系列，用于筆記本適配器或平板顯示器的開關電源、反向電池保護電路及高頻直流-直流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器等應用。
2011-12-30
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2013年新能源車飆漲 BMS成關鍵
2012年臺北國際車展在歲末年初之際登場，綠能無疑是最大賣點，眾家廠商競相率新能源車爭艷四方，以宣示進軍新世代新能源車戰(zhàn)場決心。拓墣產(chǎn)業(yè)研究所預估，全球電動車市場將隨鋰電池質(zhì)量與充電站建置逐漸完備，于2013年邁入成長爆發(fā)期，至2015年前每年以超過三成的幅度增長，至2020年出貨量可望達830萬輛，占全球汽車市場10%。拓墣產(chǎn)業(yè)研究所研究員雷德灝表示，由于國外電動車起火事件頻傳，導致大眾對電動車產(chǎn)生安全疑慮，因此欲使電動車迅速普及，必須提升電池續(xù)航力與安全性，而電池管理系統(tǒng)（Battery Management Systems；BMS）技術(shù)能否適時發(fā)揮功用更是關鍵。因此，電池管理系統(tǒng)市場產(chǎn)值，也將隨電動車市場擴大而受益，2013年預計大幅增長，市場產(chǎn)值達13.29億美元，成長幅度為25%。
2011-12-30
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意法半導體（ST）鞏固在能效功率控制市場的領導地位
橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）推出打破高壓功率MOSFET晶體管世界記錄的MDmesh V功率MOSFET晶體管。MDmesh V系列已是市場上性能最高的功率MOSFET晶體管，擁有最低的單位面積通態(tài)電阻，在650V額定電壓應用中可實現(xiàn)最高的能效和功率密度；現(xiàn)在新產(chǎn)品的推出又將重要的能效指標提高23%以上，對于以熱量形式損耗電能的系統(tǒng)功率轉(zhuǎn)換電路，如電子照明控制器、消費電子電源和太陽能光電轉(zhuǎn)換器，新產(chǎn)品的成功推出在節(jié)能技術(shù)領域是一次巨大飛躍。
2011-12-29
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SEMI：2015年半導體封裝材料市場將達257億美元
SEMI與TechSearch International共同出版的全球半導體封裝材料展望中顯示，2011年包括熱接口材料在內(nèi)的全球半導體封裝材料市場總值將達228億美元，2015年將進一步成長至257億美元。其中層壓基板(laminate Substrates)仍占最大比例，2011年總額預計為97億美元，以單位數(shù)量來看，未來5年的年復合成長率將超過8%。
2011-12-29
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凌力爾特收購Dust Networks提供完整無線傳感器網(wǎng)絡技術(shù)解決方案
凌力爾特公司 (Linear)宣布收購領先的低功率無線傳感器網(wǎng)絡 (WSN) 技術(shù)供應商 Dust Networks 公司。Dust Networks 位于加州海沃德 (Hayward, CA)，此次收購將使凌力爾特能夠提供完整的高性能無線傳感器網(wǎng)絡解決方案。Dust Networks 公司的低功耗無線電和軟件技術(shù)補充了凌力爾特在工業(yè)設備、電源管理和能量收集技術(shù)方面的優(yōu)勢。
2011-12-27
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DC/DC電源技術(shù)研究
隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展，很多場合需要大功率大電流的直流電源。EAST的磁約束核聚變裝置使用的直流快控電源即是一種大功率直流電源，其技術(shù)要求為：電壓響應時間1ms峰值電壓50V；最大電流20kA，能實現(xiàn)4個象限的運行。針對此要求，不可避免地需采用電源并聯(lián)技術(shù)，即功率管并聯(lián)或電源裝置的并聯(lián)。對于20kA直流電源，若采用功率管IGBT并聯(lián)，每個橋臂則至少需15只功率管并聯(lián)，這不但給驅(qū)動帶來很大困難，而且，在一般情況下，電流容量較大的功率管的電壓容量也較大，在實際電壓只有50V 的情況下，對功率管的電壓容量而言，這是極大的浪費。因此，提出采用多米諾結(jié)構(gòu)的DC/DC電源裝置并聯(lián)技術(shù)思路。
2011-12-27
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威世Power Metal Strip儀表分流電阻獲電子產(chǎn)品世界“2011編輯推薦”獎
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，該公司的WSMS2908 Power Metal Strip?儀表分流電阻榮獲《電子產(chǎn)品世界》(EEPW)的“2011編輯推薦”獎，該雜志是中國重要的專業(yè)類刊物。
2011-12-22
- 利用自動化技術(shù)賦能中國基礎設施現(xiàn)代化
- 三極管電路輸入電壓阻抗
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