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更多SiC FET選項(xiàng)意味著能更靈活地選擇劃算的解決方案
在設(shè)計(jì)功率轉(zhuǎn)換器的過程中需要權(quán)衡大量參數(shù)。UnitedSiC通過自己的FET-JET計(jì)算器和多種零件讓評估變得簡單易行。
2022-03-19
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打破陳規(guī)——將SiC FET作為斷路器
由于低損耗和低于其他選擇的成本，機(jī)械斷路器一直以來都是成功之選。但是現(xiàn)在，寬帶隙半導(dǎo)體讓固態(tài)斷路器更具吸引力。
2022-03-19
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貿(mào)澤與Molex攜手推出全新電子書，介紹醫(yī)療設(shè)備創(chuàng)新設(shè)計(jì)
2022年3月18日 – 專注于推動行業(yè)創(chuàng)新的知名新品引入 (NPI) 分銷商?貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Molex攜手推出全新電子書《Improving Lives with Digital Healthcare》（通過數(shù)字醫(yī)療改善生活），探索連接與醫(yī)療設(shè)備設(shè)計(jì)交叉領(lǐng)域的創(chuàng)新解決方案和應(yīng)用。本書中，來自Molex和貿(mào)澤的行業(yè)專家通過多篇深度好文，探討了新一代的數(shù)字醫(yī)療解決方案，包括機(jī)器人手術(shù)、醫(yī)療可穿戴設(shè)備、腦機(jī)接口，以及采用沉浸式技術(shù)的醫(yī)療培訓(xùn)。
2022-03-18
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ADI公司啟動ADI Catalyst項(xiàng)目并向歐洲業(yè)務(wù)投資1億歐元
中國，北京 – 2022年3月10日 – 全球領(lǐng)先的高性能半導(dǎo)體公司Analog Devices, Inc. (Nasdaq: ADI)宣布將在未來三年內(nèi)向ADI Catalyst創(chuàng)新合作加速器投資1億歐元。ADI Catalyst位于愛爾蘭利默里克Raheen商業(yè)園區(qū)，占地10萬平方英尺。到2025年，該投資將為愛爾蘭市場新增250個工作崗位，這也體現(xiàn)了ADI在歐洲持續(xù)投入的承諾。
2022-03-16
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使用最新的SiC FET技術(shù)提升車載充電器性能
碳化硅FET已經(jīng)在車載充電器（OBC）電路領(lǐng)域確立了自身地位，尤其是在電池工作電壓超過500V的情況下。這些器件的低功率損耗使得穿孔封裝和表面安裝式封裝都可以用于此應(yīng)用。我們調(diào)查了這些封裝選項(xiàng)的相對熱性能，并證實(shí)了TO247-4L和D2PAK-7L選項(xiàng)可用于6.6 kW和22 kW充電器。
2022-03-15
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第4代SiC MOSFET為何備受青睞？
近年來，為了實(shí)現(xiàn)“碳中和”等減輕環(huán)境負(fù)荷的目標(biāo)，需要進(jìn)一步普及下一代電動汽車（xEV），從而推動了更高效、更小型、更輕量的電動系統(tǒng)的開發(fā)。尤其是在電動汽車（EV）領(lǐng)域，為了延長續(xù)航里程并減小車載電池的尺寸，提高發(fā)揮驅(qū)動核心作用的電控系統(tǒng)的效率已成為一個重要課題。SiC（碳化硅）作為新一代寬禁帶半導(dǎo)體材料，具備高電壓、大電流、高溫、高頻率和低損耗等獨(dú)特優(yōu)勢。因此，業(yè)內(nèi)對碳化硅功率元器件在電動汽車上的應(yīng)用寄予厚望。
2022-03-14
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HT7181 3.7V/7.4V升16V內(nèi)置MOS大功率升壓IC解決方案
DC-DC升壓電路在電子電路中是很常見的，無論是匹配不同器件的工作電壓需要還是為了提高足夠的輸出功率，都必須用到升壓電路。特別是便攜式的電子產(chǎn)品，電源是電池供電，如單雙節(jié)鋰電、三節(jié)鋰電或鉛酸電池12V。通過DC-DC升壓電路，升壓后給其他電路供電。
2022-03-14
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貿(mào)澤電子配送中心配備超大規(guī)模垂直升降機(jī)模塊
2022年3月9日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 持續(xù)加投其全球配送中心的先進(jìn)自動化設(shè)備，進(jìn)一步提升訂單處理能力、準(zhǔn)確性和速度，幫助客戶進(jìn)一步縮短產(chǎn)品上市時間。
2022-03-11
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貿(mào)澤2022 Empowering Innovation Together計(jì)劃起航推出關(guān)于RISC-V的新播客
2022年3月11日 – 貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 今天宣布推出其屢獲殊榮的Empowering Innovation Together?（共求創(chuàng)新）計(jì)劃的2022系列專題。今年的系列總共有六期，每一期重點(diǎn)討論一項(xiàng)在主要行業(yè)轉(zhuǎn)型中發(fā)揮關(guān)鍵作用的前沿技術(shù)。2022系列將提供各種及時而有見地的內(nèi)容，如播客、視頻、文章、博客和信息圖，重點(diǎn)關(guān)注私人5G網(wǎng)絡(luò)、自主移動機(jī)器人等技術(shù)趨勢。
2022-03-11
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充分挖掘SiC FET的性能
性能是一個主觀術(shù)語，它可以用許多你喜歡的方式衡量，但是在功率轉(zhuǎn)換界，它歸結(jié)為兩個相互依賴的主要值，即效率和成本?，F(xiàn)在，作為半導(dǎo)體開關(guān)材料，硅在導(dǎo)電和動態(tài)損耗性能方面已經(jīng)到達(dá)了極限，這已經(jīng)是一個常識了，因此越來越多的人考慮采用碳化硅和氮化鎵寬帶隙技術(shù)來實(shí)現(xiàn)更好的性能。這兩種材料具有更好的介質(zhì)擊穿特性，從而可以打造更薄、摻雜更重、導(dǎo)通電阻更低的阻擋層，同時，更小的晶粒體積還可降低器件電容，從而降低動態(tài)損耗。
2022-03-10
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如何使用LTspice對復(fù)雜電路的統(tǒng)計(jì)容差分析進(jìn)行建模
LTspice?可用于對復(fù)雜電路進(jìn)行統(tǒng)計(jì)容差分析。本文介紹在LTspice中使用蒙特卡羅和高斯分布進(jìn)行容差分析和最差情況分析的方法。為了證實(shí)該方法的有效性，我們在LTspice中對電壓調(diào)節(jié)示例電路進(jìn)行建模，通過內(nèi)部基準(zhǔn)電壓和反饋電阻演示蒙特卡羅和高斯分布技術(shù)。然后，將得出的仿真結(jié)果與最差情況分析仿真結(jié)果進(jìn)行比較。其中包括4個附錄。附錄A提供了有關(guān)微調(diào)基準(zhǔn)電壓源分布的見解。附錄B提供了LTspice中的高斯分布分析。附錄C提供了LTspice定義的蒙特卡羅分布的圖形視圖。附錄D提供關(guān)于編輯LTspice原理圖和提取仿真數(shù)據(jù)的說明。
2022-03-09
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圖騰柱PFC在SiC FET的輔助下日漸成熟
在寬帶隙半導(dǎo)體的輔助下，圖騰柱功率因數(shù)校正技術(shù)日漸成熟，與損耗很低的SiC FET搭配使用后，發(fā)揮了全部潛力。
2022-03-07
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