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DRAM技術的極限在哪里？
過去二十年來，基于 DRAM 的計算機內存的存取帶寬已經(jīng)提升了 20 倍，容量增長了 128 倍。但延遲表現(xiàn)僅有 1.3 倍的提升，卡內基梅隆大學的研究者 Kevin Chang 如是說，他提出了一種用于解決該問題的新型數(shù)據(jù)通路…
2017-12-20
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淺談ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的區(qū)別
ROM和RAM指的都是半導體存儲器，ROM是Read Only Memory的縮寫，RAM是Random Access Memory的縮寫。ROM在系統(tǒng)停止供電的時候仍然可以保持數(shù)據(jù)，而RAM通常都是在掉電之后就丟失數(shù)據(jù)，典型的RAM就是計算機的內存。
2017-07-26
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如何降低DDR4系統(tǒng)功耗？PSOD輸出藏貓膩
DDR4是JEDEC組織關于DRAM器件的下一代標準。DDR4主要是針對需要高帶寬低功耗的場合。這些需求導致了DDR4芯片引入了一些新的特點，這些新的特點，導致在系統(tǒng)設計中，引入一些新的設計需求。
2017-03-24
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DRAM與NAND差別這么大，存儲之爭在爭什么？
DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動態(tài)隨機存取存儲器，最為常見的系統(tǒng)內存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。
2017-03-22
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專家支招：克服內存尺寸縮小中的電阻挑戰(zhàn)
隨著內存尺寸的不斷縮小，歐姆接觸區(qū)的面積在每一個技術節(jié)點都縮小70%左右，而其深寬比則不斷增加，為了達到歐姆接觸，沉積出低電阻率的硅化鈷尤為重要。本文介紹兩個DRAM尺寸縮小的全新解決方案。
2016-10-25
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DDR1、DDR2、DDR3、DDR4、SDAM內存各有千秋，哪里不同？
在嵌入式系統(tǒng)中有各種不同種類的內存，它們在系統(tǒng)中發(fā)揮著不可或缺的作用。但是不同種類的內存發(fā)揮的作用也不同。本文主要講述的是DDR4,DDR3,DDR2,DDR1及SDRAM等內存之間的相同點和不同點，及其在嵌入式系統(tǒng)中發(fā)揮的作用。
2015-09-02
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專家分享：DDR3多端口讀寫存儲系統(tǒng)用FPGA如何設計？
由于FPGA具有強大邏輯資源、豐富IP核等優(yōu)點，基于FPGA的嵌入式系統(tǒng)架構是機載視頻圖形顯示系統(tǒng)理想的架構選擇。本文以Kintex-7系列XC7K410T FPGA芯片和兩片MT41J128M16 DDR3 SDRAM芯片為硬件平臺，設計并實現(xiàn)了基于FPGA的視頻圖形顯示系統(tǒng)的DDR3多端口存儲管理。
2015-03-16
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電路技術詳解：SDRAM電路設計
什么是SDRAM，SDRAM電路的設計原理是什么？在了解SDRAM電路設計時應先從哪里開始入手呢？本文將從這幾個方面詳細深度的為大家講解SDRAM電路設計。
2015-03-07
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EMC總工手把手教你選磁珠
磁珠專用于抑制信號線、電源線上的高頻噪聲和尖峰干擾，還具有吸收靜電脈沖的能力。在用來吸收超高頻信號，像一些RF電路，PLL，振蕩電路，含超高頻存儲器電路如DDR、SDRAM、RAMBUS等中都需要在電源輸入部分加磁珠。那么我們應該如何選擇合適的磁珠呢？請耐心往下看。
2015-02-05
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e絡盟推出全新樹莓派2代B型板，可運行更強大復雜的開發(fā)項目
e絡盟近日宣布推出全新第二代樹莓派。采用了900MHz的四核ARM Cortex-A7處理器（性能是前代的6倍以上），1GB的LPDDR2 SDRAM（內存提升兩倍），并完美兼容第一代樹莓派。因為采用了ARMv7處理器，所以能夠運行所有ARM GNU/Linux分支版本，包括Snappy Ubuntu Core和微軟的Windows 10系統(tǒng)。
2015-02-03
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安捷倫推出 ADS DDR4 一致性測試平臺
安捷倫科技公司日前推出ADS先進設計系統(tǒng) DDR4 一致性測試平臺，為工程師提供從仿真設計到測量原型產(chǎn)品的完整工作流程。無論是開發(fā) DDR 控制器 IP 的半導體公司、開發(fā) DRAM 芯片和 DIMM 的存儲器廠商，還是應用 PCB 技術對控制器和 DIMM 實施系統(tǒng)集成的原始設備制造商（OEM），現(xiàn)在都可以從這款最佳解決方案中獲得豐厚回報。
2014-07-07
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最新BGA內插器結合速度最快的邏輯分析儀進行DDR4探測
安捷倫日前宣布推出兩款內插器解決方案，可結合邏輯分析儀用于測試 DDR4 和 DDR3 DRAM 設計。這兩款內插器解決方案均能快速且精確地捕獲地址、命令和數(shù)據(jù)信號，以進行設計調試和驗證測量。
2014-05-19
- 如何解決在開關模式電源中使用氮化鎵技術時面臨的挑戰(zhàn)？
- 不同拓撲結構中使用氮化鎵技術時面臨的挑戰(zhàn)有何差異？
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