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X-fest 研討會將于 7 月登陸亞洲
安富利公司旗下安富利電子元件亞洲 (Avnet Electronics Marketing Asia)與賽靈思公司今天宣布啟動亞洲區(qū)X-fest 研討會注冊。X-fest 是深受 FPGA、DSP 和嵌入式系統(tǒng)開發(fā)人員歡迎的、為期一天的培訓(xùn)活動。X-fest將在亞洲 16 個城市舉行。
2012-05-24
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英飛凌推出光伏發(fā)電逆變器耐壓1200V SiC型FET
德國英飛凌科技（Infineon Technologies AG）開發(fā)出了適用于光伏發(fā)電用逆變器等的耐壓為1200V的SiC型FET（JFET）“CoolSiC產(chǎn)品群”，新產(chǎn)品的主要用途為光伏發(fā)電的逆變器裝置。如果采用SiC型FET代替現(xiàn)有逆變器裝置中使用的IGBT，便可實現(xiàn)裝置的小型輕量化。這是因為新產(chǎn)品可實現(xiàn)高于IGBT的工作速度。也就是說，即便提高工作頻率，也能降低開關(guān)損失。因此，電感器及電容器等被動元件可使用小型產(chǎn)品，所以能夠?qū)崿F(xiàn)整個裝置的小型輕量化。
2012-05-24
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Infineon功率芯片在智能車燈控制系統(tǒng)中的應(yīng)用
現(xiàn)今MCU和電力電子技術(shù)在智能車燈控制系統(tǒng)中發(fā)展的趨勢是用智能功率IC替代傳統(tǒng)的繼電器和保險絲，有效實現(xiàn)對車燈的過熱、過壓、短路等故障的保護(hù)和診斷；MCU用PWM調(diào)制來實現(xiàn)對車燈兩端的電壓進(jìn)行控制，以達(dá)到限制車燈電流，延長使用壽命的目的。本文介紹了Infineon高端開關(guān)應(yīng)用于智能車燈控制系統(tǒng)中的應(yīng)用經(jīng)驗，與傳統(tǒng)技術(shù)進(jìn)行了對比，結(jié)合實例具體分析了其實現(xiàn)的智能診斷技術(shù)在實際產(chǎn)品應(yīng)用中的技術(shù)優(yōu)勢和發(fā)展前景。
2012-05-24
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英飛凌針對汽車開發(fā)的AURIX單片機(jī)含有3顆32位TriCore內(nèi)核
英飛凌近日宣布推出滿足汽車行業(yè)的動力總成和安全應(yīng)用的各種要求的全新32位多核單片機(jī)系列。全新的AURIX系列的多核架構(gòu)包含多達(dá)三顆獨(dú)立32位TriCore 處理內(nèi)核，可滿足業(yè)界的最高安全標(biāo)準(zhǔn)。此外，采用90納米工藝制造的TC1798，相比于現(xiàn)有的一流器件，其性能提升一倍。
2012-05-22
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羅姆開發(fā)出業(yè)內(nèi)最小的車載絕緣元件內(nèi)置型半導(dǎo)體
隨著電動汽車、混合動力車的普及，為了提高性能，亟需使作為動力部分的逆變器電路進(jìn)一步實現(xiàn)小型化，由于車載逆變器每臺配備6個柵 極驅(qū)動IC，因此要實現(xiàn)逆變器電路的小型化，需要先縮小柵極驅(qū)動IC的體積。為了防止觸電，此前必須使用外置絕緣元件。 日本羅姆公司日前開發(fā)出了業(yè)內(nèi)最小的車載絕緣元件內(nèi)置型半導(dǎo)體裝置柵極驅(qū)動IC可滿足這一需求。
2012-05-22
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業(yè)界最小！羅姆開發(fā)出車載用內(nèi)置絕緣元件的柵極驅(qū)動器
羅姆株式會社開發(fā)出內(nèi)置絕緣元件的柵極驅(qū)動器“BM6103FV-C”，最適合作為電動汽車（EV）和混合動力車（HEV）逆變回路中IGBT以及功率MOSFET的驅(qū)動元件。本產(chǎn)品融合了羅姆獨(dú)創(chuàng)的BiCDMOS技術(shù)與新開發(fā)的片上變壓器工藝技術(shù)，作為內(nèi)置了絕緣元件的柵極驅(qū)動器，是業(yè)界最小(截至2012年5月22日,根據(jù)羅姆的調(diào)查)的小型封裝，有助于逆變器電路的小型化。另外，與傳統(tǒng)的光耦方式相比，可大幅降低耗電量，而且由于具備了所有必要的保護(hù)功能和品質(zhì)要求，可減少設(shè)計時的工作量。
2012-05-22
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ADN469xE：ADI多點LVDS收發(fā)器提供最高ESD保護(hù)
Analog Devices, Inc. (NASDAQ：ADI)，全球領(lǐng)先的高性能信號處理解決方案供應(yīng)商，最近推出一系列多點、低電壓、差分信號(M-LVDS)收發(fā)器ADN469xE，具有所有多點LVDS收發(fā)器中最高的ESD（靜電放電）保護(hù)。 ADN469xE M-LVDS系列包含八款收發(fā)器，每款器件都能夠利用一條差分電纜對連接32個數(shù)據(jù)/時鐘節(jié)點并以100 Mbps或200 Mbps的數(shù)據(jù)速率工作。與之相比，傳統(tǒng)的LVDS通信鏈路必須使用32個單獨(dú)的點對點節(jié)點，這會顯著增加功耗、連接器尺寸、線纜成本和總電路板空間。ADI公司的ADN469xE M-LVDS系列可提供8 kV IEC ESD保護(hù)，是M-LVDS收發(fā)器競爭產(chǎn)品的11倍。這種更高層次的保護(hù)能夠提高可插拔板和卡的可靠性，適合無線基站和網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施、數(shù)據(jù)采集、自動測試設(shè)備以及其他高速、高度網(wǎng)絡(luò)化背板和電纜應(yīng)用。
2012-05-21
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飛兆半導(dǎo)體P溝道WL-CSP MOSFET實現(xiàn)出色的散熱特性
便攜設(shè)備的設(shè)計人員面臨著在終端應(yīng)用中節(jié)省空間、提高效率和應(yīng)對散熱問題的挑戰(zhàn)。為了順應(yīng)這一趨勢，飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)了FDZ661PZ和FDZ663P P溝道、1.5V規(guī)格的PowerTrench?薄型0.8mm x 0.8mm WL-CSP MOSFET器件。
2012-05-21
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Microsemi新款1200V非穿通型IGBT開關(guān)和導(dǎo)通損耗降低20%
美高森美 (Microsemi) 推出新一代1200V非穿通型IGBT系列中的首款產(chǎn)品。新的IGBT系列采用尖端Power MOS 8技術(shù)，與競爭解決方案相比，總體開關(guān)和導(dǎo)通損耗顯著降低20%或更多。這些IGBT器件瞄準(zhǔn)電焊機(jī)、太陽能逆變器和不間斷與開關(guān)電源等應(yīng)用。
2012-05-21
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Mouser為Murata全新氣泵微型鼓風(fēng)機(jī)備貨
2012年5月18日 - 半導(dǎo)體與電子元器件業(yè)頂尖設(shè)計工程資源與全球分銷商Mouser Electronics, 宣布備貨Murata的微型鼓風(fēng)機(jī)。 Murata微型鼓風(fēng)機(jī)非常適合因尺寸太小而無法安裝傳統(tǒng)冷卻裝置（例如散熱片、熱導(dǎo)管或電動風(fēng)扇）的小型產(chǎn)品進(jìn)行散熱管理。 微型鼓風(fēng)機(jī)還可用作高壓空氣發(fā)生器，滿足液體置換或配液應(yīng)用的需求。
2012-05-18
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IDT新型4M系列振蕩器可替代傳統(tǒng)六管腳晶體振蕩器
擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商IDT公司 (Integrated Device Technology, Inc.) 宣布，已推出全球首款針對高性能通信、消費(fèi)、云和工業(yè)應(yīng)用的CrystalFree壓電MEMS（pMEMS）LVDS/LVPECL振蕩器。IDT的新型振蕩器可在緊湊業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)封裝中以遠(yuǎn)低于1皮秒的相位抖動運(yùn)行，使其成為傳統(tǒng)六管腳晶體振蕩器（XO）的理想替代。
2012-05-18
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安森美雙向過壓過流保護(hù)器件NCP370應(yīng)用指南
NCP370是安森美半導(dǎo)體(0N Semiconductor)公司生產(chǎn)的具有過壓、過流保護(hù)及反向控制功能的集成雙向保護(hù)器件。該器件可以提供高達(dá)+28V的正向保護(hù)和低至-28 V的負(fù)向保護(hù)功能，從而提高對便攜設(shè)備前端的保護(hù)。NCP370采用了創(chuàng)新架構(gòu)，可在器件內(nèi)部為連接在底部連接器并以鋰離子電池供電的外部附件提供OCP保護(hù)，而無需使用外部OCP器件。另外，NCP370還集成有低導(dǎo)通阻抗(Ron)的N溝道MOSFET，可有效支持便攜設(shè)備中的鋰離子電池所要求的1．3 A的直接充電電流，并可進(jìn)一步降低系統(tǒng)成本。
2012-05-18
- DigiKey拓展創(chuàng)新版圖，新產(chǎn)品線引領(lǐng)行業(yè)新風(fēng)潮
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