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TF3系列：Vishay推出新TANTAMOUNT低ESR固鉭貼片電容器
日前，Vishay Intertechnology宣布，推出內(nèi)置熔絲的新系列TANTAMOUNT?低ESR固鉭貼片電容器---TF3。TF3系列電容器采用三種模壓外形尺寸，可在以安全為首要考慮的應(yīng)用中為短路故障提供非常高級別的保護(hù)。
2010-02-02
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Aitech Defense Systems推出嵌入式應(yīng)用的3U電源P230
Aitech Defense Systems推出嵌入式應(yīng)用的3U電源P230，P230是一個3U傳導(dǎo)冷卻電源，在18~36Vdc的連續(xù)輸入電壓范圍內(nèi)工作。器件適合小外形、強(qiáng)大、堅固的基于VME-，CompactPCI-，和VPX系統(tǒng)的嵌入式計算應(yīng)用中。
2010-02-02
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iCharge DX：日本廠商推出便攜式太陽能充電器
由日本周邊廠商Linksinternational推出一款便攜式太陽能充電器“iCharge DX”，這款多功能充電器適用于各種主機(jī)，用途包括DS Lite/DSi/DSi LL/PSP、iPhone/iPod touch、各種便攜式電子設(shè)備。
2010-02-01
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ISL8200M：Intersil推出緊湊、可擴(kuò)展的電源模塊
ISL8200M是10A、高度集成的POL穩(wěn)壓器，采用表面安裝的QFN封裝，內(nèi)部包含一個PWM控制器、功率MOSFET、功率電感器和相關(guān)的分立器件，是計算、通信和網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施，以及工業(yè)市場中各種應(yīng)用的理想之選。
2010-01-29
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英飛凌推出新一代多模HSPA+射頻收發(fā)器SMARTiTM UE2
英飛凌無線解決方案部副總裁兼智能手機(jī)與射頻業(yè)務(wù)分部總經(jīng)理Stefan Wolff指出：“SMARTi UE2顯著改善了所有關(guān)鍵性能指標(biāo)：成本、尺寸、功耗和射頻性能。我們成熟、領(lǐng)先的射頻技術(shù)，可確?？蛻糸_發(fā)出外形極其靈活、電池壽命更長的全新智能手機(jī)和移動互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備?！?/p>
2010-01-29
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FPF110x:飛兆半導(dǎo)體IntelliMAX?負(fù)載開關(guān)滿足家用和診斷計量
隨著終端應(yīng)用設(shè)備的體積日趨減小，飛兆半導(dǎo)體繼續(xù)因應(yīng)這一發(fā)展趨勢，利用先進(jìn)的集成能力，提供以超小外形尺寸包羅高功能性之解決方案，其中包括最新推出的FPF110x先進(jìn)斜率負(fù)載開關(guān)系列。 FPF110x是IntelliMAX? 產(chǎn)品系列旗下最新的產(chǎn)品，相比目前使用的傳統(tǒng)解決方案，這些器件能夠延長終端應(yīng)用設(shè)備的電池壽命，并減少占用空間。
2010-01-29
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AUIRF7739L2/7665S2: IR 推出適用于汽車的DirectFET 2功率MOSFET
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 今天推出適用于汽車的AUIRF7739L2 和AUIRF7665S2 DirectFET?2 功率 MOSFET。這兩款產(chǎn)品以堅固可靠、符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的封裝為汽車應(yīng)用實現(xiàn)了卓越的功率密度、雙面冷卻和極小的寄生電感和電阻。
2010-01-29
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2010年美國小型半導(dǎo)體公司恐掀被并潮
據(jù)路透(Reuters)報導(dǎo)，由于整體經(jīng)濟(jì)疲弱，半導(dǎo)體廠商要靠自家的力量達(dá)到營收成長，相對難度較高，因此購并在利基型市場上有獨(dú)到技術(shù)的小型廠商，將是2010年的趨勢，而這些小型的半導(dǎo)體廠商恐怕也會掀起被購并潮。
2010-01-28
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Vishay推出新款小尺寸100V TMBS Trench MOS勢壘肖特基整流器
Vishay Intertechnology宣布推出電流密度高達(dá)2A~4A、采用低尺寸表面貼裝SMA和SMB封裝的新款100V TMBS Trench MOS勢壘肖特基整流器。
2010-01-28
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Vishay Siliconix 推出4款600V MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，將其Super Junction FET?技術(shù)延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封裝。
2010-01-27
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采用PowerFill外延硅工藝的電源器件
ASM International推出了其PowerFill的外延硅（Epi Si）溝槽填充工藝。新工藝可使帶有摻雜物的外延硅深溝無縫隙填充。 PoweRFill是一個精湛的工藝技術(shù)，因為它是同類流程速度的3倍，降低制造成本，創(chuàng)造了為電源設(shè)備設(shè)計在設(shè)計程度上新的級別。
2010-01-27
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Vishay的101/102 PHR-ST螺旋式接線柱功率鋁電容器新增三種更大的外形尺寸
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其101/102 PHR-ST螺旋式接線柱功率鋁電容器新增了90mm x 146mm、76mm x 220mm及90mm x 220mm三種更大的外形尺寸，接線柱的長度為13mm。
2010-01-27
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