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瑞薩電子推出首款支持新Matter協(xié)議的Wi-Fi開發(fā)套件
2023 年 1 月 5 日，中國北京訊 - 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布，推出首款支持新Matter協(xié)議的開發(fā)套件，同時(shí)宣布將在未來所有Wi-Fi、低功耗藍(lán)牙?（BLE），和IEEE 802.15.4（Thread）方案中，以及最近收購的Dialog Semiconductor和Celeno Communications產(chǎn)品上，提供對(duì)Matter的支持。
2023-01-05
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安森美的主驅(qū)逆變器碳化硅功率模塊被現(xiàn)代汽車選中用于高性能電動(dòng)汽車
2023年1月5日 —領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)，宣布安森美的EliteSiC系列碳化硅（SiC）功率模塊已被起亞（Kia Corporation）選中用于EV6 GT車型。這款電動(dòng)汽車（EV）從零速加速到60英里/小時(shí)只需3.4秒，最高時(shí)速達(dá)161英里/小時(shí)。在該高性能電動(dòng)汽車的主驅(qū)逆變器中，EliteSiC功率模塊實(shí)現(xiàn)了從電池的直流800V到后軸交流驅(qū)動(dòng)的高效電源轉(zhuǎn)換。安森美會(huì)繼續(xù)與現(xiàn)代起亞汽車集團(tuán)（Hyundai Motor Company and Kia Corporation，簡(jiǎn)稱HMC/KIA）合作，將EliteSiC技術(shù)用于其即將推出的基于電動(dòng)化全球模塊型平臺(tái)（E-GMP）的高性能電動(dòng)汽車。
2023-01-05
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智能喚醒解決方案，實(shí)現(xiàn)低功耗電容式觸摸傳感
近年來，環(huán)保型產(chǎn)品和搭載有電池的產(chǎn)品不斷增加，隨之對(duì)電容式觸控傳感器等應(yīng)用的HMI（Human Machine Interface）技術(shù)的低功耗化需求也越來越高。
2022-12-29
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【坐享“騎”成】系列之四：泰克方案化解智能座艙HDMI顯示接口測(cè)試難點(diǎn)
HDMI可以同時(shí)傳輸視頻和音頻數(shù)據(jù)，且連接簡(jiǎn)單、兼容性好，被廣泛應(yīng)用在消費(fèi)電子產(chǎn)品上，例如電視、機(jī)頂盒、投影儀以及汽車座艙娛樂系統(tǒng)等。HDMI 系統(tǒng)可以劃分4個(gè)種類，Source、Sink、Cable和Repeater，為了保證這些設(shè)備良好的兼容性，規(guī)范對(duì)電氣信號(hào)做出了信號(hào)完整性的要求。
2022-12-29
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雙柵結(jié)構(gòu) SiC FETs 在電路保護(hù)中的應(yīng)用
據(jù)介紹，Qorvo 是一家專注于射頻領(lǐng)域，在包括 5G、WiFi 和 UWB 等通信技術(shù)都有投入的公司。此外，Qorvo 在觸控和電源等方面也有布局。如在 2021 年領(lǐng)先碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體供應(yīng)商 UnitedSiC 公司的收購，就擴(kuò)展 Qorvo 在高功率應(yīng)用方面的市場(chǎng)機(jī)會(huì)，這部分業(yè)務(wù)也被納入了 Qorvo 的 IDP 部門。
2022-12-28
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如何在智能水表中應(yīng)用超聲波感測(cè)技術(shù)
本文介紹了超聲波流量傳感器在智能水表中的操作和集成，并簡(jiǎn)要回顧了住宅水表精度的國際標(biāo)準(zhǔn)。然后舉例說明了適用于這些水表的組件，包括 Audiowell 的超聲波傳感器組件，Texas Instruments 的模擬前端 (AFE)、時(shí)間數(shù)字轉(zhuǎn)換器 (TDC) IC、微控制器單元和評(píng)估板，以及“支持”組件，包括 Silicon Labs 支持安全啟動(dòng)的射頻收發(fā)器，以及 Tadiran 的長壽命一次電池。最后，本文提出了一些關(guān)于提高超聲波流量計(jì)精度的建議。
2022-12-21
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先進(jìn)光學(xué)數(shù)字線束 (ODH) 將使新型多元素微波天線成為現(xiàn)實(shí)
作為實(shí)現(xiàn)軟件定義微波系統(tǒng)的組成部分，Teledyne e2v 正在預(yù)覽一種原型光鏈路技術(shù)，該技術(shù)可能很快會(huì)在數(shù)字無線電系統(tǒng)設(shè)計(jì)中淘汰傳統(tǒng)銅數(shù)據(jù)鏈路。
2022-12-20
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異構(gòu)集成 (HI) 與系統(tǒng)級(jí)芯片 (SoC) 有何區(qū)別？
異構(gòu)集成 (Heterogeneous integration，HI) 和系統(tǒng)級(jí)芯片 (System on Chip，SoC) 是設(shè)計(jì)和構(gòu)建硅芯片的兩種方式。異構(gòu)集成的目的是使用先進(jìn)封裝技術(shù)，通過模塊化方法來應(yīng)對(duì) SoC 設(shè)計(jì)日益增長的成本和復(fù)雜性。
2022-12-19
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慣性傳感器+類卡爾曼誤差補(bǔ)償，預(yù)測(cè)AR/VR設(shè)備方向
增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)（AR）和虛擬現(xiàn)實(shí)（VR）技術(shù)近年在產(chǎn)業(yè)界和學(xué)術(shù)界吸引了極高的關(guān)注度，它們豐富了現(xiàn)實(shí)世界環(huán)境，或用模擬環(huán)境替代現(xiàn)實(shí)世界。然而，AR/VR設(shè)備存在的端到端延遲會(huì)嚴(yán)重影響用戶體驗(yàn)。尤其是動(dòng)顯延遲（Motion-to-photons latency，定義為從用戶發(fā)生動(dòng)作到該動(dòng)作觸發(fā)的反饋顯示在屏幕上所需要的時(shí)間），它是限制AR/VR應(yīng)用的主要挑戰(zhàn)之一。例如，動(dòng)顯延遲高于20 ms就會(huì)導(dǎo)致用戶惡心或眩暈。
2022-12-09
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提高電源轉(zhuǎn)換器性能的低 RDS(on) SiC FET（SiC FET 架構(gòu)顯示出多項(xiàng)優(yōu)勢(shì)）
近年來隨著高性能計(jì)算需求的持續(xù)增長，HBM（High Bandwidth Memory，高帶寬存儲(chǔ)器）總線接口被應(yīng)用到越來越多的芯片產(chǎn)品中，然而HBM的layout實(shí)現(xiàn)完全不同于傳統(tǒng)的Package/PCB設(shè)計(jì)，其基于2.5D interposer的設(shè)計(jì)中，由于interposer各層厚度非常薄且信號(hào)線細(xì)，使得直流損耗、容性負(fù)載、容性/感性耦合等問題嚴(yán)重，給串?dāng)_和插損指標(biāo)帶來了非常大的挑戰(zhàn)。
2022-12-08
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如何加速HBM仿真迭代優(yōu)化？
近年來隨著高性能計(jì)算需求的持續(xù)增長，HBM（High Bandwidth Memory，高帶寬存儲(chǔ)器）總線接口被應(yīng)用到越來越多的芯片產(chǎn)品中，然而HBM的layout實(shí)現(xiàn)完全不同于傳統(tǒng)的Package/PCB設(shè)計(jì)，其基于2.5D interposer的設(shè)計(jì)中，由于interposer各層厚度非常薄且信號(hào)線細(xì)，使得直流損耗、容性負(fù)載、容性/感性耦合等問題嚴(yán)重，給串?dāng)_和插損指標(biāo)帶來了非常大的挑戰(zhàn)。
2022-12-07
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基于傳感器內(nèi)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的模擬-信息轉(zhuǎn)換技術(shù)，可顯著降低傳感器功耗
據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，近日，亞利桑那州立大學(xué)（Arizona State University）介紹了一種片上模擬-信息轉(zhuǎn)換技術(shù)，該技術(shù)利用基于儲(chǔ)層計(jì)算范式的模擬超維計(jì)算，在本地傳感器內(nèi)處理心電圖（electrocardiograph，ECG）信號(hào)，并將射頻（RF）傳輸減少三個(gè)數(shù)量級(jí)以上。片上模擬-信息轉(zhuǎn)換器不是傳輸稀疏的ECG信號(hào)或提取的特征，而是通過一個(gè)附有人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的非線性存儲(chǔ)內(nèi)核來分析ECG信號(hào)，并傳輸預(yù)測(cè)結(jié)果。所開發(fā)的技術(shù)被證明可用于檢測(cè)敗血癥發(fā)作，并實(shí)現(xiàn)了超高的準(zhǔn)確度和能效，同時(shí)使用65nm CMOS原型測(cè)試芯片將傳感器功耗降低了159倍。
2022-12-06
- 克服碳化硅制造挑戰(zhàn)，助力未來電力電子應(yīng)用
- 了解交流電壓的產(chǎn)生
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