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新型SiC功率模塊以之Si IGBT，在更小的封裝內(nèi)提供更高的功率密度
隨著包括發(fā)電、儲能和交通運輸在內(nèi)的眾多應用轉(zhuǎn)向電力驅(qū)動，需要構(gòu)建更高性能的電力轉(zhuǎn)換和控制系統(tǒng)，推進以電力驅(qū)動的系統(tǒng)的未來發(fā)展。為此，對于更緊湊、更高功率密度和可高溫工作電源模塊的需求變得越來越大。
2019-11-08
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詳解隔離式柵極驅(qū)動器的重要特性
在功率電子（例如驅(qū)動技術(shù)）中，IGBT經(jīng)常用作高電壓和高電流開關(guān)。這些功率晶體管由電壓控制，其主要損耗產(chǎn)生于開關(guān)期間。
2019-09-29
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IGBT的開關(guān)頻率上限有多高？
首先，開關(guān)頻率是指IGBT在一秒鐘內(nèi)開關(guān)次數(shù)。而在確定的母線電壓和導通電流下，IGBT每次開關(guān)都會產(chǎn)生一定的損耗，開通損耗是Eon，關(guān)斷損耗是Eoff，還有二極管反向恢復也有損耗Erec。
2019-09-23
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一文看懂IGBT相關(guān)知識
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管），是由 BJT(雙極結(jié)型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場效應管) 組成的復合全控型-電壓驅(qū)動式-功率半導體器件,其具有自關(guān)斷的特征。本文將為大家詳細介紹IGBT相關(guān)知識。
2019-08-12
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如何選擇一款合適的隔離式柵極驅(qū)動器？
在功率電子(例如驅(qū)動技術(shù))中，IGBT經(jīng)常用作高電壓和高電流開關(guān)。這些功率晶體管由電壓控制，其主要損耗產(chǎn)生于開關(guān)期間。為了最大程度減小開關(guān)損耗，要求具備較短的開關(guān)時間。
2019-06-26
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詳解變頻器IGBT模塊的靜態(tài)測量
IGBT絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。
2019-05-16
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識別MOS管和IGBT管的方法
MOS管和IGBT管作為現(xiàn)代電子設(shè)備使用頻率較高的新型電子器件，因此在電子電路中常常碰到也習以為常?？墒荕OS管和IGBT管由于外形及靜態(tài)參數(shù)相似的很，有時在選擇、判斷、使用容易出差池。以下為大家介紹識別MOS管和IGBT管的方法。
2019-05-09
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開關(guān)電源該如何配置合適的電感？
開關(guān)電源（SMPS）是一種非常高效的電源變換器，其理論值更是接近100%，種類繁多。按拓撲結(jié)構(gòu)分，有Boost、Buck、Boost-Buck、Charge-pump等；按開關(guān)控制方式分，有PWM、PFM；按開關(guān)管類別分，有BJT、FET、IGBT等。本次討論以數(shù)據(jù)卡電源管理常用的PWM控制Buck、Boost型為主。 那接下來就讓我們一起學習下開關(guān)電源該如何配置合適的電感吧~
2019-03-14
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應用于線性區(qū)功率MOSFET：di/dt和dv/dt分開控制方法
以下將本文介紹的di/dt、dV/dt分開單獨控制方法，不僅適用于負載開關(guān)，還廣泛用于電機控制功率MOSFET或IGBT驅(qū)動電路。
2018-12-29
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解析三菱電機6.5kV全SiC功率模塊
本文介紹了6.5kV新型全SiC MOSFET功率模塊的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和電氣特性，相對于傳統(tǒng)的Si IGBT模塊、傳統(tǒng)全SiC MOSFET功率模塊，新型全SiC MOSFET功率模塊在靜態(tài)特性、動態(tài)特性和損耗方面優(yōu)勢明顯。
2018-09-14
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負電壓電源設(shè)計的種類
各位工程師在設(shè)計電路時，可能會遇到需要負電壓供電的系統(tǒng)，例如使用負電壓為IGBT提供關(guān)斷負電壓、運放系統(tǒng)中用正負對稱的偏置電壓供電。那么該如何產(chǎn)生一個穩(wěn)定可靠的負電壓呢？本文將為你介紹不同的解決方案。
2018-09-07
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如何借助雪崩二極管提供過壓保護？
當IGBT在高性能應用中高速接通和斷開時，總會發(fā)生過壓。例如，當關(guān)閉負載電流電路時，集電極發(fā)射極電壓突然上升，達到非常高的峰值。由開關(guān)引起的過電壓會嚴重損壞甚至破壞開關(guān)晶體管。
2018-08-01
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