-
采用IGBT7高功率密度變頻器的設(shè)計實(shí)例
變頻器在設(shè)計上不斷的推陳出新，為了提高功率密度并降低成本，工程師更是絞盡腦汁。IGBT（絕緣柵型雙極性晶體管）在變頻器里屬于關(guān)鍵器件，其選型和損耗直接關(guān)系散熱器的大小，也直接影響著系統(tǒng)的性能、成本和尺寸。
2022-07-12
-
變頻器用IGBT模塊的故障分析及靜態(tài)測量
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
2022-06-21
-
PIM模塊中整流橋的損耗計算
在通用變頻器或伺服驅(qū)動器的設(shè)計中，經(jīng)常會用到英飛凌的PIM模塊（即集成了二極管整流橋+剎車單元+IGBT逆變單元的模塊）。一般情況下PIM模塊中的整流二極管都是根據(jù)后面逆變IGBT的電流等級來合理配置的，且由于其多數(shù)都是連接電網(wǎng)工作于工頻50或60Hz工況，芯片結(jié)溫波動很小，因此其通常不會是IGBT PIM模塊是否適用的瓶頸，所以一般在器件選型時也不會特意去計算或仿真PIM模塊中整流橋部分的損耗。但有些客戶的機(jī)型要滿足一些特殊工況，或需要考慮模塊的整體損耗來做系統(tǒng)的熱設(shè)計，這時就需要計算整流橋的損耗。而目前我們在線仿真工具IPOSIM并不支持，所以在此介紹一種變通的計算方法，以備您不時之需。
2022-06-17
-
功率半導(dǎo)體冷知識之二：IGBT短路時的損耗
IGBT主要用于電機(jī)驅(qū)動和各類變流器，IGBT的抗短路能力是系統(tǒng)可靠運(yùn)行和安全的保障之一，短路保護(hù)可以通過串在回路中的分流電阻或退飽和檢測等多種方式實(shí)現(xiàn)。
2022-06-17
-
如何選取SiC MOSFET的Vgs門極電壓及其影響
在IGBT時代，門極電壓的選擇比較統(tǒng)一，無非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V這幾檔。而在新興的SiC MOSFET領(lǐng)域，還未有約定俗成的門極電壓規(guī)范。本文愿就SiC MOSFET的門極電壓選擇上的困惑，提供些有用的參考。
2022-06-15
-
保護(hù)IGBT和MOSFET免受ESD損壞
功率MOSFET用戶都非常熟悉“靜電敏感器件”警告標(biāo)志。然而，越熟悉越容易大意。從統(tǒng)計的角度來看，單個MOSFET不太可能被靜電放電（ESD)損壞。然而，在處理成千上萬個MOSFET時，極小的故障都可能帶來極大的影響。
2022-06-13
-
魚與熊掌皆可得？當(dāng)SiC MOSFET遇上2L-SRC
事物皆有兩面：SiC MOSFET以更快的開關(guān)速度，相比IGBT可明顯降低器件開關(guān)損耗，提升系統(tǒng)效率和功率密度；但是高速的開關(guān)切換，也產(chǎn)生了更大的dv/dt和di/dt，對一些電機(jī)控制領(lǐng)域的電機(jī)絕緣和EMI設(shè)計都帶來了額外的挑戰(zhàn)。
2022-06-07
-
IGBT窄脈沖現(xiàn)象解讀
IGBT作為一種功率開關(guān)，從門級信號到器件開關(guān)過程需要一定反應(yīng)時間，就像生活中開關(guān)門太快容易擠壓手一樣，過短的開通脈沖可能會引起過高的電壓尖峰或者高頻震蕩問題。這種現(xiàn)象隨著IGBT被高頻PWM調(diào)制信號驅(qū)動時，時常會無奈發(fā)生，占空比越小越容易輸出窄脈沖，且IGBT反并聯(lián)續(xù)流二極管FWD在硬開關(guān)續(xù)流時反向恢復(fù)特性也會變快。
2022-06-03
-
如何計算驅(qū)動芯片的desat保護(hù)時間
SiC MOSFET短路時間相比IGBT短很多，英飛凌CoolSiC? MOSFET單管保證3us的短路時間，Easy模塊保證2us的短路時間，因此要求驅(qū)動電路和的短路響應(yīng)迅速而精確。今天，我們來具體看一下這個短而精的程度。
2022-06-02
-
汽車級IGBT/SiC模塊驅(qū)動器應(yīng)該怎么用？首款唯一車硅認(rèn)證柵極驅(qū)動板簡化設(shè)計
就在德國紐倫堡PCIM Europe展會的最后一天，Power Integrations（PI）在線上舉辦新品溝通會，PI資深技術(shù)培訓(xùn)經(jīng)理Jason Yan講解了一個汽車級IGBT/SiC（碳化硅）模塊驅(qū)動器系列產(chǎn)品——適用于Infineon EconoDUALTM模塊的SCALETM EV系列柵極驅(qū)動板。
2022-06-02
-
Tvj - IGBT元宇宙中的結(jié)溫
在IGBT應(yīng)用中，結(jié)溫是經(jīng)常使用的一個參數(shù)，大部分讀者應(yīng)該都很熟悉這個概念，但是這和元宇宙有什么關(guān)系呢？
2022-05-25
-
IGBT門極驅(qū)動到底要不要負(fù)壓
先說結(jié)論，如果條件允許還是很建議使用負(fù)壓作為IGBT關(guān)斷的。但是從成本和設(shè)計的復(fù)雜度來說，很多工程師客戶希望不要使用負(fù)壓。下面我們從門極寄生導(dǎo)通現(xiàn)象來看這個問題。
2022-05-23
- 協(xié)同創(chuàng)新，助汽車行業(yè)邁向電氣化、自動化和互聯(lián)化的未來
- 功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（八）——利用瞬態(tài)熱阻計算二極管浪涌電流
- 用于模擬傳感器的回路供電（兩線）發(fā)射器
- 應(yīng)用于體外除顫器中的電容器
- 將“微型FPGA”集成到8位MCU，是種什么樣的體驗(yàn)？
- 能源、清潔科技和可持續(xù)發(fā)展的未來
- 博瑞集信推出高增益、內(nèi)匹配、單電源供電 | S、C波段驅(qū)動放大器系列
- 探索工業(yè)應(yīng)用中邊緣連接的未來
- 解構(gòu)數(shù)字化轉(zhuǎn)型：從策略到執(zhí)行的全面思考
- 意法半導(dǎo)體基金會：通過數(shù)字統(tǒng)一計劃彌合數(shù)字鴻溝
- 使用手持頻譜儀搭配高級軟件：精準(zhǔn)捕獲隱匿射頻信號
- 為什么超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心要選用SiC MOSFET？
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
