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pHEMT功率放大器的有源偏置解決方案

發(fā)布時(shí)間:2023-11-22 來(lái)源:ADI 責(zé)任編輯:wenwei

【導(dǎo)讀】假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)是耗盡型器件,其漏源通道的電阻接近0 Ω。此特性使得這些器件可以在高開(kāi)關(guān)頻率下以高增益運(yùn)行。然而,如果柵極和漏極偏置時(shí)序不正確,漏極溝道的高電導(dǎo)率可能會(huì)導(dǎo)致器件燒毀。本文探討耗盡型pHEMT射頻(RF)放大器的工作原理以及如何對(duì)其有效偏置。耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)需要負(fù)柵極電壓,并且必須小心控制開(kāi)啟/關(guān)斷的時(shí)序。文中將介紹并比較固定柵極電壓和固定漏極電流電路。我們還將仔細(xì)研究這些偏置電路的噪聲和雜散對(duì)RF性能有何影響。


引言


圖1顯示了耗盡型pHEMPT RF放大器的簡(jiǎn)化框圖。流經(jīng)器件的RF信號(hào)路徑是從柵極到漏極,交流耦合電容將RF信號(hào)與漏極和柵極上的直流偏置電壓去耦。主電源電壓通過(guò)電感施加到FET晶體管的漏極。


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圖1.耗盡型RF放大器的簡(jiǎn)化架構(gòu)。


耗盡型器件的一個(gè)重要特性是,當(dāng)柵極電壓等于0 V時(shí),漏源電阻接近0 Ω。因此,要操作這種器件,必須對(duì)柵極施加負(fù)電壓。在圖1中,該電壓通過(guò)片上電感施加。


這種偏置方法的一個(gè)缺點(diǎn)是,兩個(gè)電源不能同時(shí)開(kāi)啟。在柵極偏置電壓之前施加漏極偏置電壓會(huì)導(dǎo)致漏極電流突然增加,從而很快燒毀器件。因此,必須首先施加負(fù)柵極偏置電壓來(lái)夾斷溝道。開(kāi)啟和關(guān)閉放大器時(shí),應(yīng)使用表1中的步驟。


表1.放大器步驟

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實(shí)踐中可以跳過(guò)夾斷步驟。例如,如果知道正常工作的最終柵極電壓,那么可以立即施加該電壓,而無(wú)需經(jīng)過(guò)夾斷步驟。


固定柵極電壓偏置


圖2顯示了耗盡型RF放大器建立并維持固定柵極電壓的電源管理電路。它使用開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器、低壓差(LDO)穩(wěn)壓器和負(fù)載開(kāi)關(guān)來(lái)產(chǎn)生漏極電壓。柵極電壓由 ADP5600 產(chǎn)生,該器件包含電壓逆變器和LDO穩(wěn)壓器。漏極電流由負(fù)電壓LDO穩(wěn)壓器的反饋電阻設(shè)置。為確保安全的電源時(shí)序,開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的使能(EN)引腳與負(fù)電壓發(fā)生器的電源良好(PGOOD)信號(hào)相連。這確保了負(fù)柵極電壓始終出現(xiàn)在漏極電壓之前。


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圖2.固定柵極電壓偏置。


此電路的主要缺點(diǎn)是沒(méi)有考慮RF放大器VGATE與IDRAIN關(guān)系的器件間差異。漏極電流的器件間差異(假設(shè)柵極電壓固定)可能很大,導(dǎo)致每個(gè)電路具有不同的漏極電流。漏極電流差異通常會(huì)影響壓縮(OP1dB)和三階交調(diào)失真(OIP3)(增益也會(huì)受到影響,但程度較?。?。這種方法的好處之一是漏極電流將根據(jù)RF輸入功率和RF輸出功率的變化而增加或減少。因此,如果RF輸入功率較低,功耗也會(huì)較低,反之亦然。


有源偏置控制


有源偏置控制是另一種方法。此技術(shù)不是固定柵極電壓,而是固定漏極電流。圖3中,有源偏置控制器通過(guò)測(cè)量漏極電流并改變柵極電壓來(lái)調(diào)節(jié)漏極電流,使該電流即使在不同的RF輸入條件下也能保持固定。此電路由 LT8608 降壓穩(wěn)壓器和 HMC920 有源偏置控制器組成,后者可支持3 V至15 V的漏極電壓和高達(dá)500 mA的總漏極電流。


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圖3.固定漏極電流偏置(有源偏置控制)。


HMC920內(nèi)部的高電壓、高電流線性穩(wěn)壓器(LDOCC引腳)可產(chǎn)生3 V至15 V的正電壓和高達(dá)500 mA的電流。其輸出通過(guò)內(nèi)部MOSFET開(kāi)關(guān)連接至VDRAIN端口,用于控制電源時(shí)序。為了設(shè)置功率放大器所需的漏極電壓,必須使用公式1調(diào)整LDO穩(wěn)壓器的反饋電阻R5和R8:


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其中,VDRAIN是所需的漏極電壓值,IDRAIN是所需的漏極電流。常數(shù)0.5是內(nèi)部MOSFET開(kāi)關(guān)的RDS(ON)值。


內(nèi)部電荷泵產(chǎn)生負(fù)電壓VGATE。通過(guò)讀取RSENSE處的電壓,控制器檢測(cè)漏極電流并改變VGATE處的電壓。要設(shè)置漏極電流,必須使用公式2改變RSENSE(R4和R19):


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當(dāng)通過(guò)施加電源電壓(VDD)開(kāi)啟HMC920時(shí),會(huì)有一個(gè)信號(hào)發(fā)送至EN引腳以啟動(dòng)控制環(huán)路。VDRAIN最初會(huì)短接到地,以強(qiáng)制將其設(shè)為零。同時(shí),VGATE處的電壓最初會(huì)被拉低至最小電壓VNEG。然后,VDRAIN將提高至設(shè)定的漏極電壓值。RSENSE上將產(chǎn)生電壓降,這會(huì)導(dǎo)致控制器改變柵極電壓。關(guān)斷期間,會(huì)有一個(gè)邏輯低電平信號(hào)發(fā)送至EN引腳。VGATE將降低至VNEG以切斷放大器,VDRAIN處的電壓將降至零。VGATE處的電壓最終將達(dá)到零。此周期遵循正確的電源時(shí)序,以確保耗盡型放大器安全運(yùn)行。它還具有過(guò)流和欠流報(bào)警、短路保護(hù)、功率折返等安全特性。HMC920數(shù)據(jù)手冊(cè)中詳細(xì)解釋了該偏置控制器的其他安全機(jī)制。


該偏置控制器用作 ADL8106 寬帶低噪聲放大器的電源管理解決方案。ADL8106的工作頻率范圍為20 GHz至54 GHz,標(biāo)稱漏極電壓為3 V,靜態(tài)漏極電流為120 mA。圖4和圖5顯示了相關(guān)的開(kāi)啟和關(guān)斷波形。


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圖4.開(kāi)啟時(shí)的電源時(shí)序波形。一旦施加VDD,EN變?yōu)楦唠娖骄捅硎究刂骗h(huán)路啟動(dòng)。首先開(kāi)啟VGATE,然后開(kāi)啟VDRAIN


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圖5.關(guān)斷時(shí)的電源時(shí)序波形。當(dāng)VDD被移除時(shí),EN變?yōu)榈碗娖?。VGATE將再次降至最小電壓VNEG,VDRAIN將降至零。然后,VGATE最終將達(dá)到零。


噪聲和雜散抑制


RF放大器RF輸出端的雜散和噪聲水平將取決于HMC920的輸出噪聲和雜散,以及放大器的電源調(diào)制比(PSMR)。圖6顯示了開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器(LT8608)輸入端以及VDRAIN和VGATE輸出端口的PSRR曲線。圖7和圖8顯示了VGATE和VDRAIN電壓的輸出頻譜?;贏DL8106的PSMR,這些圖中還包含了顯示最大允許輸出噪聲和雜散的跡線。電源管理電路的輸出噪聲和雜散必須低于這些水平,以確保放大器的性能不會(huì)因電源管理電路而降低。有關(guān)該參數(shù)的理論、測(cè)量和計(jì)算的更深入解釋,請(qǐng)參閱 優(yōu)化信號(hào)鏈的電源系統(tǒng) 系列文章。


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圖6.LT8608 + HMC920的電源電壓抑制比(VDD = 5 V,VDRAIN = 3 V,IDQ = 120 mA,VGATE = –0.64 V)。


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圖7.HMC920的VGATE和VDRAIN輸出頻譜以及ADL8106的最大允許噪聲限值。


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圖8.HMC920的VGATE和VDRAIN輸出頻譜以及ADL8106的最大允許噪聲限值。


使用外部負(fù)電源操作HMC920


在前面的示例中,HMC920的內(nèi)部負(fù)電壓發(fā)生器用于生成負(fù)柵極電壓。此外也可以使用外部負(fù)電源,如圖9所示。在這種情況下,ADP5600(逆變器和負(fù)LDO穩(wěn)壓器)用作產(chǎn)生柵極電壓的負(fù)電源。與使用內(nèi)部負(fù)電壓發(fā)生器相比,其結(jié)果是噪聲系數(shù)略低且增益略高。


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圖9.外部VNEG模式下的ADL8106和HMC920框圖。


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圖10.使用HMC920的ADL8106在內(nèi)部負(fù)電壓發(fā)生器模式和外部負(fù)電壓發(fā)生器模式下的噪聲系數(shù)。


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圖11.使用HMC920的ADL8106在內(nèi)部負(fù)電壓發(fā)生器模式和外部負(fù)電壓發(fā)生器模式下的增益。


該模式下的實(shí)際噪聲性能仍然取決于所用外部負(fù)電壓發(fā)生器所產(chǎn)生的輸出噪聲。從圖7和圖8中可以看出,在外部VNEG模式下使用HMC920也會(huì)產(chǎn)生噪聲雜散,這些雜散仍低于最大允許電壓紋波限值。要利用此模式,必須將VNEGFB引腳短接至地以禁用負(fù)電壓發(fā)生器的反饋控制。對(duì)于增強(qiáng)型放大器(正柵極電壓),VNEGFB和VGATEFB引腳都必須接地。


結(jié)語(yǔ)


耗盡型GaAs放大器因其寬帶寬和高動(dòng)態(tài)范圍而廣泛用于RF應(yīng)用。但是,此類(lèi)放大器需要負(fù)偏置電壓,并且必須小心控制其電源時(shí)序??梢允褂霉潭ǖ呢?fù)柵極電壓來(lái)偏置這種放大器。其好處是電流消耗是動(dòng)態(tài)的,隨著RF輸出電平而變化。本文介紹的電路使用固定漏極電流,產(chǎn)生低噪聲漏極和柵極電壓并安全控制其時(shí)序,這些電壓不會(huì)降低RF放大器的額定性能。這樣器件間的性能差異會(huì)更小,因?yàn)槊總€(gè)器件都以相同的漏極電流運(yùn)行。然而,這種方法的一個(gè)缺點(diǎn)是漏極電流是固定的,不隨RF功率水平而變化。在決定固定漏極電流水平時(shí)應(yīng)謹(jǐn)慎考慮,它必須足夠高才能支持所需的最大輸出功率水平,但又不能過(guò)高以至于導(dǎo)致電流浪費(fèi)。雖然可以使用外部負(fù)電源代替HMC920的內(nèi)部負(fù)電壓發(fā)生器,但對(duì)噪聲的改善作用微乎其微。



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