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升降壓超級電容充電方案
超級電容由于其充電次數(shù)，更好的瞬態(tài)性能，更簡單的充電管理以及更少的環(huán)境污染，在很多應(yīng)用中越來越受歡迎。多個電容單體（2.7V）串聯(lián)往往需要buck-boost充電拓?fù)鋪韺?shí)現(xiàn)電源的充電管理。BQ25703A是一種集快速充電、電源路徑管理、保護(hù)功能于一體的單芯片方案。本文討論了在實(shí)際應(yīng)用中的一些注意事項(xiàng)。
2020-10-09
超級電容 充電 方案
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使用數(shù)字電位器來產(chǎn)生可調(diào)電壓輸出
本文介紹一款利用按鈕式數(shù)字電位器簡單高效地控制高達(dá)20 V電壓的完整解決方案。這款完整的解決方案提供一種可調(diào)電源，可用于需要可調(diào)電壓輸出的各種應(yīng)用。圖1顯示具有可變輸出功率的相應(yīng)開關(guān)穩(wěn)壓器，使用AD5116 數(shù)字電位器和具有集成式推挽輸出級的 ADCMP371 比較器。通過添加開關(guān)，而不是按鈕，可...
2020-10-09
數(shù)字電位器 可調(diào)電壓 ADCMP371 比較器
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單片式開關(guān)穩(wěn)壓器——當(dāng)所有一切都集成在芯片上時
開關(guān)穩(wěn)壓器可以采用單片結(jié)構(gòu)，也可以通過控制器構(gòu)建。在單片式開關(guān)穩(wěn)壓器中，各功率開關(guān)（一般是MOSFET）會集成在單個硅芯片中。使用控制器構(gòu)建時，除了控制器IC，還必須單獨(dú)選擇半導(dǎo)體和確定其位置。選擇MOSFET非常耗費(fèi)時間，且需要對開關(guān)的參數(shù)有一定了解。使用單片式設(shè)計時，設(shè)計人員無需處理這...
2020-10-09
單片式 開關(guān)穩(wěn)壓器 芯片
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如何簡化AC/DC適配器設(shè)計
如果您最近在TI 網(wǎng)站上購買過低功耗 AC/DC 控制器，您可能已經(jīng)注意到了 UCC28910。這款小部件可大有來頭！它是進(jìn)軍高電壓集成 FET 市場的第一款產(chǎn)品，就像我們很多最新反激式控制器一樣，它也具有一次側(cè)穩(wěn)壓 (PSR) 優(yōu)勢。通過將控制器與集成型 FET 和 PSR 相結(jié)合，您可顯著簡化 AC/DC 轉(zhuǎn)換器設(shè)計。...
2020-10-08
AC/DC 適配器 設(shè)計
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通過占空比前饋控制改善功率因數(shù)與THD
通常認(rèn)為，平均電流模式控制的性能可充分滿足大部分 50/60Hz AC 線路輸入的商用電源應(yīng)用需求。但是，傳統(tǒng)平均電流模式控制會使電感器電流領(lǐng)先于輸入電壓，導(dǎo)致不統(tǒng)一的基本位移功率因數(shù)與過零失真。在 PFC 工作在高頻率 AC 環(huán)境下時，這種情況會變得更糟糕，例如工作在 400Hz 下的機(jī)載系統(tǒng)。這些系...
2020-10-08
占空比前饋 功率因數(shù) THD
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應(yīng)用電路板的多軌電源設(shè)計—第2部分：布局技巧
在電源設(shè)計中，精心的布局和布線對于能否實(shí)現(xiàn)出色設(shè)計至關(guān)重要，要為尺寸、精度、效率留出足夠空間，以避免在生產(chǎn)中出現(xiàn)問題。我們可以利用多年的測試經(jīng)驗(yàn)，以及布局工程師具備的專業(yè)知識，最終完成電路板生產(chǎn)。
2020-10-08
應(yīng)用電路板 多軌電源 設(shè)計 布局技巧
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Buck-Boost集成電路提供更快的充電速度，更長的電池壽命
德州儀器（TI）最新的BQ25790和BQ25792降壓電池充電器集成電路解決方案提供最大的功率密度和通用快速充電效率高達(dá)97%。該集成電路支持低靜態(tài)電流，可靈活地對一至四個電池進(jìn)行串聯(lián)充電，并可在整個輸入電壓范圍（3.6 V至24 V）內(nèi)為USB Type-C、USB Type-C電源傳輸（USB PD）和無線應(yīng)用程序充電。這...
2020-10-07
Buck-Boost 集成電路 充電 電池壽命
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iCoupler技術(shù)為AC/DC設(shè)計中的GaN晶體管帶來諸多優(yōu)勢
大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、企業(yè)服務(wù)器或電信交換站使得功耗快速增長，因此高效AC/DC電源對于電信和數(shù)據(jù)通信基礎(chǔ)設(shè)施的發(fā)展至關(guān)重要。但是，電力電子行業(yè)中的硅MOSFET已達(dá)到其理論極限。同時，近來氮化鎵(GaN)晶體管已成為能夠取代硅基MOSFET的高性能開關(guān)，從而可提高能源轉(zhuǎn)換效率和密度。為了發(fā)揮GaN晶體管的...
2020-10-07
iCoupler技術(shù) AC/DC GaN 晶體管 優(yōu)勢
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讓低功耗MSP430的功耗更低——第2部分
在《讓低功耗MSP430的功耗更低——第1部分》一文中，我們探討了特別有趣的 MSP430 屬性：盡管 MSP430 的電源電壓范圍很寬（1.8 至 3.6V），但功耗會隨提供給 MCU 的特定電壓變化而變化。換句話說，電源電壓從 1.8V 提高到 3.6V 會明顯增大電池的流耗。這是我們想要盡量避免的，因?yàn)檫@樣只會導(dǎo)致電池電...
2020-10-06
低功耗 MSP430 微控制器
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