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IGBT的電流是如何定義的
IGBT的電流是器件基本參數(shù)之一，顯而易見(jiàn)FS450R12KE4就是450A 1200V IGBT模塊。這樣的理解對(duì)于日常工作交流來(lái)說(shuō)是足夠了，但對(duì)于一位設(shè)計(jì)工程師是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的，而且業(yè)內(nèi)充滿著誤解和流言。
2021-11-29
IGBT 輸出電流 定義
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總線隔離方案之儲(chǔ)能行業(yè)篇
眾所周知，實(shí)現(xiàn)“碳中和”的關(guān)鍵在于轉(zhuǎn)換能源結(jié)構(gòu)，提升非化石能源的發(fā)電比例，因此新能源與儲(chǔ)能成為重要發(fā)展方向，ZLG致遠(yuǎn)電子基于二十年開(kāi)關(guān)電源與總線隔離技術(shù)，推出成熟的儲(chǔ)能電池BMS系統(tǒng)解決方案。
2021-11-26
總線隔離 方案 儲(chǔ)能
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變頻器輸出電壓存在毛刺，居然是電纜的問(wèn)題！
測(cè)試線纜在課本中通常被認(rèn)為是理想導(dǎo)體，但現(xiàn)實(shí)中如果忽略線纜的影響，往往會(huì)得到錯(cuò)誤的測(cè)試結(jié)果。比如變頻器輸出電壓上的毛刺信號(hào)，可能就是線纜帶來(lái)的。
2021-11-25
變頻器 輸出電壓 毛刺
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如何將CoolMOS應(yīng)用于連續(xù)導(dǎo)通模式的圖騰柱功率因數(shù)校正電路
功率因素校正為將電源的輸入電流塑形為正弦波并與電源電壓同步，最大化地從電源汲取實(shí)際功率。 在完美的 PFC 電路中，輸入電壓與電流之間為純電阻關(guān)系，無(wú)任何輸入電流諧波。 目前，升壓拓?fù)涫?PFC 最常見(jiàn)的拓?fù)?。在效率和功率密度的表現(xiàn)上，必須要走向無(wú)橋型，才能進(jìn)一步減少器件使用，減少功率器...
2021-11-25
CoolMOS 圖騰柱 功率因數(shù)
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雙向DC-DC轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)與分析
本文主要介紹全新雙向DC-DC轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)與分析。這項(xiàng)全新的拓?fù)浼捌淇刂撇呗詮氐捉鉀Q了傳統(tǒng)雙向DC-DC轉(zhuǎn)換器（電源容量及效率有限）中存在的電壓尖峰問(wèn)題。該轉(zhuǎn)換器不僅可用作電池組和DC母線接口，而且還可雙向（電池充電方向和母線支持方向）高效工作。
2021-11-24
雙向DC-DC轉(zhuǎn)換器
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電源外圍設(shè)計(jì)之沖擊電流抑制
開(kāi)關(guān)電源在應(yīng)用時(shí)，可能需要輸入端的主電網(wǎng)提供短時(shí)間的大電流脈沖，這種電流脈沖通常被稱(chēng)為“輸入沖擊電流”。輸入沖擊電流給主電網(wǎng)中的斷路器和其它熔斷器的選擇造成了一定麻煩：斷路器一方面要保證在過(guò)載時(shí)熔斷，起到保護(hù)作用；另一方面又必須在輸入沖擊電流出現(xiàn)時(shí)不能熔斷，避免誤動(dòng)作。輸入沖擊...
2021-11-23
電源外圍 設(shè)計(jì) 沖擊電流
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工業(yè)BMS系統(tǒng)中的隔離方案
BMS（Battery Management System）稱(chēng)之為電池保姆或電池管家，通過(guò)實(shí)時(shí)采集、處理、存儲(chǔ)電池組運(yùn)行過(guò)程中的重要信息，智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過(guò)充電和過(guò)放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。在工業(yè)領(lǐng)域中，為了保證BMS高效、可靠、安全地運(yùn)行，一套完善的系統(tǒng)隔離解決方...
2021-11-19
工業(yè)BMS系統(tǒng) 隔離方案
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如何實(shí)現(xiàn)最佳的DCM反激式轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)？
反激式轉(zhuǎn)換器在連續(xù)導(dǎo)通模式 (CCM) 和非連續(xù)導(dǎo)通模式 (DCM)下都可以工作。但對(duì)許多低功耗和低電流應(yīng)用而言，DCM反激式轉(zhuǎn)換器更加緊湊而且成本更低。本文將詳細(xì)介紹此類(lèi)轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)步驟。
2021-11-18
DCM反激式轉(zhuǎn)換器
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通過(guò)輸出MOSFET的寄生二極管進(jìn)行電流再生時(shí)的功耗
本文將談一談使用有刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC進(jìn)行PWM驅(qū)動(dòng)時(shí)，通過(guò)輸出MOSFET的寄生二極管進(jìn)行電流再生時(shí)的功耗。之所以討論這個(gè)話題，是因?yàn)樵偕鷷r(shí)的實(shí)際功耗可能會(huì)大于估算值，在某些情況下可能會(huì)引發(fā)問(wèn)題，所以需要注意。
2021-11-18
MOSFET 寄生二極管 功耗
- 如何解決在開(kāi)關(guān)模式電源中使用氮化鎵技術(shù)時(shí)面臨的挑戰(zhàn)？
- 不同拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中使用氮化鎵技術(shù)時(shí)面臨的挑戰(zhàn)有何差異？
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