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通過輸出MOSFET的寄生二極管進(jìn)行電流再生時(shí)的功耗
本文將談一談使用有刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC進(jìn)行PWM驅(qū)動(dòng)時(shí)，通過輸出MOSFET的寄生二極管進(jìn)行電流再生時(shí)的功耗。之所以討論這個(gè)話題，是因?yàn)樵偕鷷r(shí)的實(shí)際功耗可能會(huì)大于估算值，在某些情況下可能會(huì)引發(fā)問題，所以需要注意。
2021-11-18
MOSFET 寄生二極管 功耗
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Diodes 公司先進(jìn)充電器解決方案獲頒亞洲金選獎(jiǎng)殊榮
Diodes 公司宣布其超高功率密度 (UHPD) 充電器解決方案于亞洲金選獎(jiǎng) (EE Awards Asia) 首獲金選節(jié)能系統(tǒng)功率半導(dǎo)體供貨商項(xiàng)目公司獎(jiǎng)。其中的三芯片充電器解決方案最初是為了提高筆記本電腦適配器以及智能手機(jī)充電器等產(chǎn)品應(yīng)用的性能而開發(fā)的。
2021-11-17
Diodes 先進(jìn)充電器
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改進(jìn)型移相全橋ZVS DC－DC變換器的特點(diǎn)應(yīng)用及控制電路設(shè)計(jì)
容易看出改進(jìn)型的電路拓?fù)渑c基本型電路的主要差別在于副邊整流電路，該整流電路被稱為倍流整流器（Current-Doubler Rectifier，CDR），是目前應(yīng)用的熱點(diǎn)之一。下面首先介紹一下該整流電路。與全波整流相比，倍流整流器的高頻變壓器副邊繞組僅需一個(gè)單一繞組，不用中心抽頭。
2021-11-15
移相全橋ZVS DC－DC變換器 控制電路設(shè)計(jì)
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您已經(jīng)了解功率的作用：無刷直流電機(jī)控制的6個(gè)要素
消費(fèi)者對(duì)功率、可靠性、功能性和性能的需求不斷上升，推動(dòng)著電子設(shè)備（包括剪草機(jī)、冰箱、真空吸塵器、汽車等）的快速發(fā)展。制造商希望實(shí)現(xiàn)全方位交付。電機(jī)控制在兌現(xiàn)這些承諾方面發(fā)揮著主要作用，而了解基本原理是實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的第一步。
2021-11-15
功率 無刷直流電機(jī)控制 要素
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電動(dòng)工具設(shè)計(jì)101：增進(jìn)您對(duì)無刷直流電機(jī)功能的理解
在過去的一個(gè)世紀(jì)中，電動(dòng)工具有了長足進(jìn)步。今天，它們更具備了無繩、輕巧的特性，由電池驅(qū)動(dòng)且功能強(qiáng)大，分擔(dān)了我們的大量工作。那么，是什么推動(dòng)著電動(dòng)工具的發(fā)展？除了電動(dòng)工具愛好者外，很大程度上要?dú)w功于半導(dǎo)體技術(shù)的諸多進(jìn)步——尤其對(duì)于無繩電動(dòng)工具。
2021-11-15
電動(dòng)工具 設(shè)計(jì) 無刷直流電機(jī)
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一種使用連續(xù)時(shí)間Σ-Δ型轉(zhuǎn)換器優(yōu)化信號(hào)鏈的新型方法
當(dāng)今許多應(yīng)用要求小尺寸，同時(shí)保持同樣的性能。開發(fā)人員經(jīng)常面臨如何實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的問題并且經(jīng)常要做出妥協(xié)。舉例來說，通過犧牲噪聲性能或精度來減小尺寸。本文探討使用連續(xù)時(shí)間Σ-Δ型(CTSD)轉(zhuǎn)換器優(yōu)化設(shè)計(jì)、降低物料(BOM)成本和減小尺寸的新型方法。
2021-11-12
CTSD ADC 信號(hào)鏈 方法
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輕負(fù)載時(shí)開關(guān)元件工作相關(guān)的注意事項(xiàng)
相移全橋電路中輕負(fù)載時(shí)流過的電流小，LS中積蓄的能量少，所以很有可能在滯后臂的COSS充放電完成之前就開始開關(guān)工作。因此，ZVS工作無法執(zhí)行，很容易發(fā)生MOSFET的導(dǎo)通損耗。
2021-11-11
輕負(fù)載 開關(guān)元件 注意事項(xiàng)
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使用PWM輸出方式驅(qū)動(dòng)有刷直流電機(jī)：H橋電路PWM驅(qū)動(dòng)
本文將介紹有刷直流電機(jī)使用H橋電路PWM驅(qū)動(dòng)的具體驅(qū)動(dòng)方法。接下來介紹有刷直流電機(jī)使用H橋電路進(jìn)行PWM驅(qū)動(dòng)時(shí)的兩個(gè)典型示例。
2021-11-11
有刷直流電機(jī) H橋電路 PWM驅(qū)動(dòng)
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SRII重磅亮相CICD 2021，以先進(jìn)ALD技術(shù)賦能第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
功率器件作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要組成部分，擁有非常廣泛的技術(shù)分類以及應(yīng)用場(chǎng)景。例如，傳統(tǒng)的硅基二極管、IGBT和MOSFET等產(chǎn)品經(jīng)過數(shù)十年的發(fā)展，占據(jù)了絕對(duì)領(lǐng)先的市場(chǎng)份額。不過，隨著新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、儲(chǔ)能、手機(jī)快充等應(yīng)用的興起，擁有更高耐壓等級(jí)、更高開關(guān)頻率、更高性能的新型SiC、GaN等...
2021-11-10
SRII ALD技術(shù) 第三代半導(dǎo)體
- 從噪聲抑制到功耗優(yōu)化：CTSD如何重塑現(xiàn)代信號(hào)鏈架構(gòu)
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