【導(dǎo)讀】首先給出結(jié)論:一般我們把隔離驅(qū)動(dòng)芯片的垂直面下方的PCB設(shè)為禁止布線層,既不走任何的信號(hào)也不放置各類(lèi)元器件,如圖1所示。然后再討論為什么不能布線,最后介紹例外的應(yīng)用情況。
圖1
為什么芯片下面不建議布線?
因?yàn)闀?huì)影響正常的信號(hào)傳輸?。〖热皇鞘褂秒姎飧綦x型的驅(qū)動(dòng)芯片,你肯定是希望原邊和副邊之間不要有任何牽絆,而且兩者的供電是獨(dú)立且符合應(yīng)用隔離要求的,因此兩邊一般不會(huì)有電氣性的連接線。那么,上橋的參考地,可不可以延展到芯片的原邊側(cè)呢?結(jié)論是也不要,畢竟空間密接是要產(chǎn)生耦合影響的。通常變化的電壓會(huì)通過(guò)耦合電容注入分布電流;變化的電流則會(huì)引起感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)。特別是對(duì)于高頻高壓的大功率開(kāi)關(guān)器件,處于上下橋中點(diǎn)位置的dv/dt往往非常大,如果這時(shí)對(duì)上橋的源極或者發(fā)射極電位進(jìn)行大面積鋪銅甚至鋪到原邊側(cè)就非常危險(xiǎn),可能引入各種大小不一的分布電流,超過(guò)限定值后會(huì)導(dǎo)致邏輯信號(hào)錯(cuò)亂甚至芯片損毀。即使芯片兩側(cè)沒(méi)有鋪銅疊層的耦合關(guān)系,驅(qū)動(dòng)芯片對(duì)dv/dt也有一個(gè)耐受度,就是規(guī)格書(shū)的CMTI值,它標(biāo)志著正常使用時(shí)器件能承受的最大dv/dt,英飛凌的驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品處于業(yè)內(nèi)領(lǐng)先水平,有些型號(hào)高達(dá)300V/ns,可以適用于SiC、GaN等高速開(kāi)關(guān)器件。
沒(méi)有電壓變化的大地信號(hào)能不能鋪在驅(qū)動(dòng)芯片下面?
雖然下橋的地電位相對(duì)穩(wěn)定,但如果是主功率地的話會(huì)有交變的電流經(jīng)過(guò),這可能會(huì)對(duì)英飛凌隔離驅(qū)動(dòng)內(nèi)部的無(wú)磁芯變壓器傳遞信號(hào)帶來(lái)影響。前面有講到,英飛凌的隔離驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品抗dv/dt能力超強(qiáng),這是基于磁耦合的電氣隔離技術(shù)(圖二)帶來(lái)的好處,輸入側(cè)與輸出側(cè)之間的開(kāi)關(guān)指令等信號(hào)是以電流變化的形式進(jìn)行傳遞的。而且在信號(hào)發(fā)射側(cè)和接收側(cè)分別有兩組反向繞的線盤(pán),如圖二。當(dāng)外部有強(qiáng)電流干擾時(shí),產(chǎn)生的干擾電流大小相等,方向相反,正好可以相互抵消。另外基于英飛凌多年的芯片邏輯設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn),產(chǎn)品內(nèi)部還會(huì)有各種濾波整形電路來(lái)抑制這種干擾。再者電流變化的這種影響除了和干擾源本身大小有關(guān)外,還和相對(duì)距離,位置方向等因素關(guān)系密切。這就給看似強(qiáng)干擾的垂直結(jié)構(gòu)提供了可實(shí)施的方案。就是下一節(jié)的例外情況。
圖二
驅(qū)動(dòng)板直接安裝在模塊上的情況
實(shí)際應(yīng)用中有沒(méi)有驅(qū)動(dòng)芯片下方出現(xiàn)大電流的情況呢?有,比如圖三。驅(qū)動(dòng)板整個(gè)焊在模塊的上方,此時(shí)模塊里肯定有電流經(jīng)過(guò),就非??赡艹霈F(xiàn)在驅(qū)動(dòng)芯片的正下方,但實(shí)際上運(yùn)行時(shí)并沒(méi)有干擾驅(qū)動(dòng)正常的工作,因?yàn)檫@個(gè)變化的電流距離芯片內(nèi)的無(wú)磁芯變壓器有足夠的距離。根據(jù)使用經(jīng)驗(yàn),一般5mm以上的距離就沒(méi)有什么問(wèn)題了。
圖三
總結(jié)
功率開(kāi)關(guān)器件的驅(qū)動(dòng)正下方最好不走任何的信號(hào)。如果非要走不可,那就要做好各種驗(yàn)證工作,確保整個(gè)系統(tǒng)能正常工作,不會(huì)出現(xiàn)丟波、波形畸變甚至誤觸發(fā)波形的情況。比如在不同的負(fù)載功率,不同的溫度,各種過(guò)流甚至短路狀態(tài)下都不會(huì)干擾芯片。
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