【導(dǎo)讀】2021年9月6日，模擬晶圓代工龍頭企業(yè)X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）和國產(chǎn)SiC功率器件供應(yīng)商派恩杰聯(lián)合對外宣布，雙方就批量生產(chǎn)SiC晶圓建立長期戰(zhàn)略合作關(guān)系，此前雙方已經(jīng)合作近三年時間。
X-FAB總部位于歐洲，是全球第一家提供150mm SiC工藝的代工企業(yè)。X-FAB符合汽車品質(zhì)的生產(chǎn)環(huán)境可以幫助客戶生產(chǎn)制造出高品質(zhì)、高性能，并且能快速上市的器件。
作為X-FAB亞洲區(qū)重要的合作伙伴，據(jù)了解，過去三年派恩杰累計(jì)出貨1千萬，未來三年預(yù)計(jì)將超過8千萬。
從派恩杰官網(wǎng)了解到，派恩杰是成立于2018年9月的第三代半導(dǎo)體功率器件設(shè)計(jì)和方案商。創(chuàng)始人黃興博士師從IGBT之父B•賈揚(yáng)•巴利加（B. Jayant Baliga），在Cree / RFMD(Qorvo) / UnitedSiC等有長達(dá)十年的SiC&GaN功率器件設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)。由此可見，派恩杰SiC&GaN功率器件自帶美國半導(dǎo)體技術(shù)基因，具有先天技術(shù)優(yōu)勢，技術(shù)實(shí)力可見一斑，派恩杰的產(chǎn)品發(fā)展史也佐證了這一點(diǎn)。
2019年3月，派恩杰成立僅6個月即發(fā)布了第一款可兼容驅(qū)動650V GaN功率器件。同年8月完成Gen3技術(shù)的1200V SiC MOS，填補(bǔ)了國內(nèi)空白。2020年先后發(fā)布用于5G數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器與工業(yè)輔助電源的650V、1700V工業(yè)級MOS以及用于車載充電機(jī)的650V車規(guī)級MOS。2021年2月發(fā)布1200V大電流車規(guī)級MOS，應(yīng)用于電動汽車電驅(qū)單管及模塊。
截至目前，派恩杰已經(jīng)發(fā)布了50余款650V/1200V/1700V SiC SBD、SiC MOS、GaN HEMT功率器件產(chǎn)品。
派恩杰和X-FAB均表示，雙方將持續(xù)深度合作，充分發(fā)揮派恩杰國際一流水平的產(chǎn)品技術(shù)優(yōu)勢和在X-FAB高擴(kuò)展性和汽車品質(zhì)的代工服務(wù)，降低SiC器件的成本，保障產(chǎn)能，加速SiC功率器件在大數(shù)據(jù)中心、超級計(jì)算與區(qū)塊鏈、5G通信基站、新能源汽車/儲能/充電樁、微型光伏、城際高速鐵路和城際軌道交通、家用電器以及特高壓、航空航天、工業(yè)特種電源、UPS、電機(jī)驅(qū)動等領(lǐng)域的應(yīng)用，推動全球SiC產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。
推薦閱讀：
