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走向先進(jìn)電源便捷設(shè)計(jì)之路,或許你該直接選擇它?

發(fā)布時(shí)間:2020-07-08 來源:亞德諾半導(dǎo)體 責(zé)任編輯:lina

【導(dǎo)讀】LTC7803是ADI開發(fā)的一款同步降壓型控制器,可簡化高性能電源的設(shè)計(jì)。這款控制器具有以下主要特性:集成低阻抗柵極驅(qū)動器,能夠切換N通道MOSFET,從而降低整體轉(zhuǎn)換器成本,提高效率。
    
LTC7803是ADI開發(fā)的一款同步降壓型控制器,可簡化高性能電源的設(shè)計(jì)。這款控制器具有以下主要特性:集成低阻抗柵極驅(qū)動器,能夠切換N通道MOSFET,從而降低整體轉(zhuǎn)換器成本,提高效率;極低工作靜態(tài)電流(5 μA);40 V寬輸入/輸出電壓范圍;100 kHz至3 MHz的極高可編程開關(guān)頻率范圍;檢測電阻或DCR檢測可進(jìn)一步提升效率;以及100%占空比。另外支持Spread Spectrum®(擴(kuò)頻)操作。LTC7803在±15%范圍內(nèi)調(diào)節(jié)開關(guān)頻率,這可簡化EMI合規(guī)要求并降低EMI濾波器成本。
 
電氣原理圖和功能
 
降壓型轉(zhuǎn)換器的電氣原理圖如圖1所示。該轉(zhuǎn)換器從5 V至38 V輸入軌提供3.3 V電壓和20 A。電驅(qū)動系統(tǒng)包括MOSFET Q1至Q4、電感L1和輸入/輸出濾波器電容。MODE引腳和跳線JP1定義強(qiáng)制連續(xù)導(dǎo)通、跳脈沖或Burst Mode® (突發(fā)模式)操作。每種操作模式都各有優(yōu)缺點(diǎn)。在FCM中,整個(gè)輸出電流范圍內(nèi)的低輸出紋波以犧牲輕負(fù)載下的效率為代價(jià)。突發(fā)模式可在輕負(fù)載或無負(fù)載下提供高效率,但輕負(fù)載下的輸出電壓紋波更高。
 
走向先進(jìn)電源便捷設(shè)計(jì)之路,或許你該直接選擇它?
圖1. 基于LTC7803的轉(zhuǎn)換器電氣原理圖,VIN為5 V至38 V,VOUT為3.3 V(20A時(shí))。
 
LTC7803的另一個(gè)優(yōu)勢是能夠與外部時(shí)鐘同步,從而可避免主機(jī)系統(tǒng)中不同頻率相互作用造成干擾問題。跳線JP2 (FREQ SET)允許在固定頻率之間選擇、同步到外部時(shí)鐘或進(jìn)行擴(kuò)頻操作。請注意,如果選擇突發(fā)模式(MODE引腳連接至GND)并激活同步功能(PLLIN/Spread引腳上的時(shí)鐘脈沖),則控制器在FCM中運(yùn)行。從實(shí)際的角度來說,在這種情況下最好使用脈沖跳躍模式。脈沖跳躍模式(通過100 kΩ電阻將MODE引腳連接至INTVCC )在輕負(fù)載下提供的效率要比FCM高得多。
 
效率和擴(kuò)頻操作
圖2顯示了突發(fā)模式下具有不同輸入電壓的轉(zhuǎn)換器效率。
 
走向先進(jìn)電源便捷設(shè)計(jì)之路,或許你該直接選擇它?
圖2. 脈沖跳躍和突發(fā)工作模式下的轉(zhuǎn)換器效率。
 
圖3所示的DC2834A演示板用于LTC7803評估。圖4顯示DC2834在滿載下的熱圖像。
 
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圖3. DC2834A演示板。
 
走向先進(jìn)電源便捷設(shè)計(jì)之路,或許你該直接選擇它?
圖4. 在自然對流冷卻、沒有空氣流動的情況下,VIN為12 V、VOUT為3.3 V, 電流為20 A時(shí),轉(zhuǎn)換器的熱圖像。
 
擴(kuò)頻操作是LTC7803的一個(gè)重要優(yōu)勢。該特性大幅降低了轉(zhuǎn)換器的輻射和傳導(dǎo)噪聲,并顯著簡化了整個(gè)系統(tǒng)對EMI標(biāo)準(zhǔn)的合規(guī)要求。圖5比較了在CISPR 25 5類限制下,有擴(kuò)頻操作和無擴(kuò)頻操作的兩次傳導(dǎo)EMI掃描結(jié)果。
 
走向先進(jìn)電源便捷設(shè)計(jì)之路,或許你該直接選擇它?
圖5. 在CISPR 25 5類限制下啟用和禁用擴(kuò)頻操作(固定頻率)的傳導(dǎo)EMI掃描結(jié)果。
 
結(jié)論
低IQ 同步降壓型控制器LTC7803可顯著簡化高效率功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)。它能夠在各種輸入/輸出電壓下工作,并具有出色的瞬態(tài)響應(yīng)性能。LTC7803具有一些極重要的特性,如突發(fā)模式和擴(kuò)頻操作,進(jìn)一步提高了效率和EMI標(biāo)準(zhǔn)合規(guī)性。
(來源:亞德諾半導(dǎo)體)
 
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